三星電子宣布，已成功開發出其首款采用12納米（nm）級工藝技術打造的16 Gb DDR5 DRAM。這一技術突破是通過使用一種新的高介電（high-k）材料來增加電池電容，以及改進關鍵電路特性的專利設計技術而實現的。結合先進的多層極紫外（EUV）光刻技術，新款DRAM擁有三星最高的DDR5 Die密度（Die density），可使晶圓生產率提高20%。基于DDR5最新標準，三星12nm級DRAM將解鎖高達7.2千兆每秒（Gbps）的速度。與上一代三星DRAM產品相比，12nm級DRAM的功耗降低約23%。（全球TMT）
