SK海力士株式會社（SK hynix Inc.）宣布，已完成321層2Tb QLC NAND閃存產品的開發，并已啟動量產。這一成就標志著全球首次采用QLC技術實現超過300層的堆疊，為NAND閃存密度樹立了新的行業標桿。該公司計劃在完成全球客戶驗證后，于明年上半年推出該產品。321層QLC NAND在容量和性能方面均優于之前的QLC產品。數據傳輸速度翻倍，寫入性能提升高達56%，讀取性能提升18%。此外，寫入功耗效率提升超過23%。（美通社）
