SK海力士（SK hynix Inc.）宣布，已率先在業內開發完成并開始供應采用“High-K EMC”材料的具備高效散熱性能的移動DRAM產品。SK海力士在提升EMC材料的導熱性方面找到了解決方案——這種關鍵材料覆蓋在DRAM封裝表面。通過在傳統EMC材料的二氧化硅中添加氧化鋁，該公司成功開發出High-K EMC材料。該技術使熱導率提升3.5倍，垂直熱阻降低47%，有望通過提升智能手機性能并降低功耗，從而延長電池續航時間和產品使用壽命。（美通社）
