在全球智能手機市場出貨增長趨緩的大背景下，消費者對終端的性能需求持續高漲，催生出大約1200億人民幣的射頻前端市場 ，其中本地化AI、5G新應用和模組化趨勢都在需求更多更好的射頻前端器件。三安憑借在砷化鎵材料多年的外延研發經驗，持續迭代砷化鎵射頻工藝能力，支持設計客戶在新技術時代的產品升級；以平臺化的制造服務能力，從系統層面提升客戶設計效率和產品競爭力。

新應用要求智能手機在更高頻段中承載更多的數據流量，因此射頻前端器件必須具備更高的功放效率和更好的線性度，復雜工況下進一步要求器件具備足夠好的頑健性。三安第三代砷化鎵HBT工藝HP36/56采用三安自主開發外延，改善電容結構，以提升器件可靠性；在測試條件下，相比前代工藝的功放效率提升約3%，其中HP36為高階5G應用定向開發了高線性度能力，HP56則是為復雜應用增強了器件的頑健性。

為適應射頻前端設計的模組化趨勢，三安砷化鎵工藝平臺提供銅柱工藝以支持器件進行倒裝封裝，優化射頻器件尺寸，提升系統效率；銅柱工藝全面采用激光切割工藝，可以進一步縮小銅柱間隙，為客戶未來設計需求儲備技術能力。同時，三安提供的濾波器也為客戶的高階模組設計提供支持，采用鍵合TC-SAW技術路線，具備向1612以下尺寸快速迭代的能力；在封裝端采用WLP封裝形式，進一步滿足模組設計的集成化需求。

三安將持續投入砷化鎵材料和射頻器件工藝研發，持續關注市場趨勢和客戶需求，以穩定的供應和質量管理支持客戶產品迭代，與行業客戶共同推進無線通信技術變革，加速高能效通信網絡時代的到來。

隨著5G通信和物聯網終端向高頻化、微型化加速發展，聲表面波（SAW）濾波器作為射頻前端的核心組件，承擔著信號選頻的關鍵功能。據Yole Développement預測，到2026年，全球聲表面波濾波器市場規模將達55億美元。智能終端對濾波器數量和性能的需求激增，推動材料技術向更高一致性、更優光學性能演進。

2025年3月7日，國際電工委員會（IEC）正式發布《聲表面波器件用單晶晶片規范與測量方法》（IEC 62276:2025），首次將壓電材料的光學性能（透過率/黑化程度）納入國際標準。該標準由中國企業主導修訂，標志著我國在高端壓電材料領域實現從技術跟隨到規則制定的跨越。

泉州三安集成（原晶安光電團隊）依托三安光電二十余年的化合物半導體研發制造經驗，持續投入LN/LT壓電材料制備工藝的研發，逐步掌握成熟的晶片黑化工藝。團隊自2016年深度參與該項目的標準論證，在透過率的相關技術要求和相應測量方法與項目其他成員協作，討論及驗證試驗，提出了多項技術性修改內容，納入了新標準中主要的修訂內容之一。

三安擁有國內少有的濾波器垂直整合產業鏈，構建射頻前端芯片整合解決方案制造平臺，持續加強工藝和材料的研發投入，積極投身行業標準的制定和提升，促進行業協同發展和產品質量標準提升，為全球頭部射頻設計公司提供可靠的芯片制造服務。

現代通信技術的進步是推動半導體先進技術創新發展的重要推力之一。國際通信協議Release-18即將凍結，對于5G和5.5G的定義也愈發明確，在年初召開的MWC Barcelona大會上，各大運營商、設備商和終端品牌均展示了各自在5G/5.5G領域的戰略布局，對射頻前端架構和射頻前端芯片和性能提出了更高的要求。

根據國際咨詢機構Yole的報告數據，在智能手機總數增長保守的情況下，射頻前端芯片的市場容量將在2028年增長到近200億元，其中增長的重要助力即是射頻前端模組。高端旗艦機型的射頻前端模組要求在多元而復雜的場景下保持穩定通信；而入門機型則要求剝離冗余性能，采用更具性價比、更精準的解決方案。三安集成對此表示，在模組化的大趨勢中，存在著往兩級分化的發展方向，三安集成所提供的射頻前端整合解決方案能力，能夠全面覆蓋客戶在不同應用場景下的需求。

三安集成的射頻前端整合解決方案主要由砷化鎵/氮化鎵功放代工服務、濾波器產品，以及封測代工組成，在本次會議上針對濾波器晶圓制造和封裝制程做了詳細展開介紹。三安集成根據客戶和市場需求選擇了聲表面濾波器（SAW）的技術路線并投入研發，在開發壓電材料和鍵合襯底的基礎上，發展了高性能的溫度補償型濾波器（TC-SAW），在優化生產結構的同時，產品也能提供優異的插損和滿足5G/5.5G應用的功率耐受表現。在封裝制程方面，三安集成持續投入先進封裝的開發，目前已推出小型化濾波器(Tx/Rx)和雙工器(DPX)平臺，晶圓級封裝(WLP)濾波器芯片也在客戶射頻前端模組端量產出貨。

三安集成市場產品經理張昊廷表示，三安集成將借助材料端的研發經驗，持續發揮垂直整合優勢，提供端到端的解決方案能力；通過大規模制造的效應，幫助客戶快速響應市場需求，迭代產品，占領市場先機。

同場會議中，湖南三安半導體作為碳化硅垂直整合制造服務平臺，為在場觀眾呈現"SiC功率器件的關鍵技術與標準建設"專題報告，介紹了碳化硅功率芯片的制程及行業標準定義。

隨著5G演進到Rel. 18及更高，推動著射頻前端迭代到最新的Phase 8架構，集成度進一步提高。三安集成新一代的砷化鎵射頻器件制造工藝正是針對市場主流的模組化趨勢，能夠為客戶提供更高性能的解決方案。

射頻前端PA器件功放管主要采用砷化鎵HBT工藝，追求在高頻工況下，具備高線性度、穩定性和放大效率。三安集成通過在外延材料及工藝端的改善，發展的HP1/HP2工藝，對比起前代的HG6/HG7，在IMD3和PAE均有明顯的改善，能夠滿足在復雜工況下的信號輸出穩定需求。同時，配合新一代的銅柱工藝，實現晶圓的輕薄化和良好散熱特性，減小模組尺寸，縮減成本、提升整體系統性能。

三安集成砷化鎵研發部部長郭佳衢在報告中提道，三安集成的砷化鎵HBT工藝已經覆蓋了2/3/4G，Sub-6GHz，以及Wi-Fi 7等無線通信應用，并向著更高頻率的應用投入研發資源。

砷化鎵PHEMT是三安集成的另一工藝體系，目前已進展到0.1um的工藝節點，可以滿足客戶在Ka至W波段的高頻應用，實現良好的信號強度和低噪聲系數。成熟的P25工藝型譜則廣泛應用于接收模組和中高功率的手機和基站，新一代P25ED51工藝相比前代在OIP3系數有明顯改善，顯現出出色的產品競爭力。

"三安集成具備豐富的大規模制造經驗，秉持'客戶至上'的精神，為客戶和市場提供更高質量的制造服務，幫助客戶實現商業成功，共同促進無線通信行業的發展繁榮。"郭佳衢部長補充道。

關于三安集成

三安集成成立于2014年，是專注于化合物射頻前端芯片制造的整合解決方案提供商，提供砷化鎵射頻前端代工服務，濾波器產品，以及先進應用封裝代工服務。主要服務智能手機、通信模塊、Wi-Fi和民用基站等應用領域。

根據美國衛星產業協會（SIA）發布報告表示，2014年至2022年，全球衛星互聯網產業市場規模由2460億美元增長到2819億美元，而中國衛星互聯網產業預計在2025年將達到446.92億元，相較于全球市場，整體規模較小，仍處于初期發展階段，作為全球消費電子最大的市場之一，存在著廣闊的市場和發展空間。

包括終端設備在內的地面設施將占據上述市場中40%左右的份額，國際通信組織3GPP針對終端設備和NTN應用制定了相應標準，指導下一代手機和衛星通信系統的設計，在手機端和衛星端進行同步的長期演進。

隨著衛星通信的發展，射頻前端通信芯片市場也出現了新的增量空間。一方面，衛星通信對終端的發射功率需求提高，需要支持30dBm乃至更高的傳導輸出級別；另一方面，終端接收到的衛星通信信號損耗很大，需要接收端的器件進行更先進的設計以提高系統的信噪比。除此另外，隨著射頻前端的功能愈發強大，射頻前端模組內部的空間資源也愈發稀缺，這就要求模組內的器件提供更高的效率和更小的空間占用，對芯片設計提出了前所未有的苛刻要求。

作為射頻前端芯片整合制造服務提供商，三安集成具備全面自主的濾波器研發和制造能力，面向衛星通信應用推出LAS1995A3K/RAS2185A3Q產品組。

該產品組針對天通一號、ECHOSTAR衛星通信服務所在的n256頻段進行設計，以1.1*0.9mm的極小尺寸，支持客戶在消費類射頻模塊內的小型化布局。經客戶端測試，LAS1995A3K/RAS2185A3Q提供了極佳的群延時性能，提升了系統的通信效率，結合良好的插損性能和出色的抑制度表現，幫助客戶的設計達成優異的信噪比。目前，該產品組已在客戶端累計出貨超過5KK套。

衛星通信方興未艾，有希望成為有線組網、無線蜂窩網絡之外的第三種接入互聯網的方式。隨著衛星部署的逐步完善，互聯網的覆蓋能力將實現全方位的升級，最終實現"空天地一體化"的網絡格局。三安集成將持續跟進濾波器芯片設計前沿，提升芯片制造能力，支持客戶在衛星通信的藍海中贏得先機。

作為通信領域最具影響力的全球性展會，MWC巴塞羅那展被視為全球移動通信行業風向標。MWC 24以"Future First"為主題，匯集前沿的移動通信技術，智能手機，網絡技術，物聯網以及云計算等方面的頂尖企業，展開產品技術交流，共同探討未來移動通信的發展趨勢。

自2023年8月集團業務整合以來，三安集成現已成為三安光電旗下專注射頻前端整合解決方案的公司，主營業務為射頻前端芯片制造，細分為砷化鎵射頻代工、濾波器、先進應用封裝三條產品線。在被喻為5G-A商用元年的2024年，網絡連接的數字化、智能化進一步深入發展，對射頻前端芯片制造的標準提出了更高的要求。三安集成已做好充分準備，與全球通信行業客戶一起，擁抱更加繁榮的5G-A時代。

"三安集成的射頻前端芯片制造在性能和質量方面均展現出精湛水平，已經在中國市場獲得了手機品牌和ODM廠商的廣泛認可，"三安集成的市場負責人表示，"因此，我們希望進一步延伸我們的服務版圖，在MWC這樣的國際平臺上，與客戶交流戰略布局，廣泛聽取客戶的需求，以便我們掌握全球視野，在長遠未來做好芯片制造服務。"

三安集成的砷化鎵射頻HBT、pHEMT工藝全面支持客戶在在Sub-3G和Sub-6GHz等4/5G頻段的設計需求。基于自研LT襯底專利工藝，三安集成提供全面的高性能TC-SAW和HP-SAW濾波器產品，結合WLP等先進應用封裝能力，幫助客戶實現更高能效和更小空間占用的射頻模組設計。在5G-A時代大數據通量、高鏈接密度、低時延和高可靠性的要求下，三安集成將持續投入工藝研發，不斷提升技術和產品的性能和可靠性。

NEPCON JAPAN是代表"亞洲電子產業"的綜合性展覽會，作為了解"未來電子產業"最新技術的絕佳場所而備受業界矚目，此次展會吸引了來自全球各地24個國家的1,650家參展商和85,000名專業觀眾匯聚一堂。展會期間，三安半導體憑借自主研發且全面的產品展示，贏得了眾多業界精英的關注贊賞與駐足咨詢。三安半導體市場銷售及技術團隊接待了各位來賓，針對公司自主研發的產品進行詳盡解答和深入交流，進一步拓寬了三安半導體在全球電力電子功率半導體領域的客戶資源，提高了公司知名度。

三安半導體的碳化硅系列產品主要面向工業級和車規級應用。目前，SiC SBD已推出G3/G4/G5系列產品，性能對標國際一線企業，已廣泛應用于光伏逆變器、充電樁、電源以及新能源汽車等高可靠性領域并形成批量出貨，累計出貨量超2億顆；SiC MOSFET方面，已推出針對新能源汽車主驅的1200V 16mΩ車規級產品，目前正在數家戰略客戶進行模塊驗證，同時，還推出了針對光伏的1700V 1Ω及1200V 32mΩ/75mΩ SiC MOSFET，已在重點客戶批量導入。

未來，三安半導體將持續以客戶為中心，聚焦客戶需求，以技術創新推進產品迭代，以產品迭代賦能可持續發展，全面提升生產制造能力，為全球客戶持續提供高品質的產品及解決方案，進一步拓寬海外市場，為中國企業走向世界貢獻力量。

本屆訊石英雄榜圍繞"創新 實力 應用 潛力"主題展開，重點聚焦光通信全產業鏈接領域，旨在"發現好產品 推廣新技術 成就前沿研究"。該獎項作為行業知名的產品和技術展示平臺，促進了行業的交流和光通訊技術發展。

三安光通訊通過在外延設計和生長上進行了深入研究，推出的"宇航級寬溫高速VCSEL"產品正式解決了傳統光通訊應用溫度范圍窄，對環境要求苛刻的痛點，通過大幅擴展工作溫度范圍到宇航第一級溫寬（-55-125°C），徹底覆蓋了傳統高速VCSEL不能覆蓋的車用以及更高要求的溫度范圍。

特別在車用領域，隨著ADAS以及多傳感器融合的趨勢，車內需要實時傳輸的數據量越來越大，加上光纜對比銅線的減重增程優勢，車載光通信技術成為車載網絡應用的新拓展方向，往更高帶寬、更低延遲、更高可靠性和更高性價比來應對智能網聯新架構發展。為應對上車的需求，三安光通訊本次推出的VCSEL和PD產品，在整個車用關心的-40~125°C的溫度范圍內，帶寬、眼圖、靈敏度均能滿足客戶需求，在超寬溫度范圍內仍能保持性能的穩定。當前產品配合頭部光模塊廠商已經在頭部車企完成性能認證。同時，三安光通訊積極參與中國汽車工程學會智能網聯汽車的光通信標準白皮書撰稿和標準制定，和業界同仁一起推動車載光通信的標準化和市場化，開拓新的市場。

三安光通訊是三安光電旗下光技術事業部全資公司，是收發光芯片全方位解決方案提供商，致力于成為行業內可靠的一站式光芯片伙伴，賦能智能生活和智慧鏈接愿景。目前，三安的PD產品已在廣泛的數通類應用領域批量出貨；中高端的 56G PAM4 VCSEL和25G DFB已通過客戶端驗證，開始批量供貨；在車載數通應用提供全套VCSEL和PD方案，可以應用于125℃工作環境；面向激光雷達應用也以推出了成套的EEL，VCSEL以及窄線寬DFB方案；三安與中科院醫工所共同開發的工業激光加熱模塊也在今年的展會中向行業觀眾進行實機演示，引領行業的發展。

三安光通訊的市場副總王益表示，本次獲獎既是行業權威對于技術創新的鼓舞，也是促進行業積極向上可持續發展的助力。三安光通訊將持續完善工藝平臺和產品型譜，在高端光通訊芯片領域持續投入研發，面向未來先進應用，加速智能生活和智慧鏈接愿景的實現。

我們為什么需要濾波器？

濾波器作為選頻過濾功能實現的重要器件，可以保障通訊鏈路在"特定工作頻率"上進行穩定的信號處理工作。在現代民用無線通訊系統中，各國家及地區所部署的無線頻段網絡數量已經達到50~60個。為了更高的空口利用率和傳輸吞吐量，射頻前端的系統架構已引入天線輪發、載波聚合等鏈路設計需求。在種種設計方案中，對濾波器的數量、性能、尺寸等要求變得越來越復雜、越來越重要。

通常情況下，因為聲波信號抗干擾能力強，波長短，在特定介質中傳播損耗低，可以實現器件的超小型化，完美契合便攜手持設備等終端產品的需求，所以在處理400MHz~ 2690Mhz的濾波需求時，往往會優先采用聲波濾波器。

HP-SAW相較于普通SAW的演進

在射頻前端市場驅動及國產替代趨勢下，單一均質壓電材料的聲表器件[普通SAW，N-SAW]技術愈加成熟。普通SAW聲表器件的局限性也日益凸顯，即溫度穩定性表現差、品質因素Q值低和器件散熱差而導致的最大輸入功率偏低這使得普通SAW器件在性能和應用場景方面比較受限。

行業在2018年提出"不可思議高性能SAW[I.H.P SAW]"器件的概念，著重提高諧振器的 Q 因子，使得HP-SAW的Q 特性峰值在 1.9 GHz 頻段超過 3,000，超過了一般BAW器件的數值。另外，HP-SAW在溫度特性上也做出了明顯的改善，可以表現出±8 ppm/°C 或更低的改進偏移。

面對新的挑戰，三安集成作為射頻前端全方位解決方案提供商，利用"自材料到器件端"的垂直整合優勢，基于自研壓電襯底新材料和豐富的濾波器研發制造經驗，在HP-SAW的技術路線上邁出了堅實一步。

三安集成發布全自主HP-SAW產品B8&B25雙工器，支持下一代1411尺寸封裝

三安集成作為射頻前端全方位解決方案提供商與制造平臺，將多年化合物半導體制造經驗延伸至濾波器領域，擁有濾波器全產業鏈的研發和制造能力。三安集成于近期提出可量產的HP-SAW解決方案，以Band8 1612（PN: PBD0943G23）為例， ES特性如下圖：

如圖所示，該產品在低邊帶可以達到0ppm/℃的溫漂參數， 高邊帶對比上一代TC-SAW產品，大幅優化至-17ppm/℃，插損和隔離度特性也顯示出比前代工藝更明顯的優勢。綜合而言，HP-SAW工藝，可以幫助客戶實現低插損、高隔離度的設計要求，并具備向小延伸至1411尺寸的超小型化可能性。同時，三安集成也同步開發了WLP封裝以支持集成化要求更高的客戶。

另外，為了支持客戶在歐美市場的業務拓展，三安集成同步推出B25雙工器（PN: PBD1963G48），適配北美市場，采用相同的自主HP-SAW技術：

隨著通訊技術的演進和市場規模的擴大，射頻前端供應鏈也在逐步完善和成熟。三安在成熟的砷化鎵射頻代工制造平臺的基礎上，結合垂直整合的的濾波器研發制造能力，打造射頻前端全方位解決方案。三安集成電路事業部的射頻板塊已贏得國內外終端和模塊設計廠商的認可，濾波器產品已在客戶端累計出貨200KK顆。三安將持續投入材料研發，提升工藝能力，完善濾波器產品布局，為全球通訊市場提供可靠的制造服務和高品質的產品，賦能射頻前端生態鏈，加速實現萬物互聯的愿景。

根據Yole的報告，到2026年，全球光模塊市場將達到209億美元的總值，其中數據通信應用貢獻了151億美元；3D成像和傳感市場將突破150億美元的總值，移動終端等消費應用占據將近一半的份額，汽車和工業也貢獻了22%的市場。但在后疫情時代，行業對光芯片制造提出了更高性能、更高質量的要求，三安也在追求提升更多的優質產能。

三安目前已經在廈門、泉州兩地建設了合計月產30,000片4及6寸砷化鎵晶圓的產能，同時布局了2/3/4寸磷化銦平臺，用于全波長、全速率數通類光芯片、大功率消費類和車載光通訊芯片的生產。目前，三安的PD產品已在廣泛的數通類應用領域批量出貨；中高端的 56G PAM4 VCSEL和25G DFB已通過客戶端驗證，開始批量供貨；在車載數通應用提供全套VCSEL和PD方案，可以應用于125度環境；面對激光雷達應用也以推出了成套的EEL，VCSEL以及窄線寬DFB方案；三安與中科院醫工所共同開發的工業激光加熱模塊也在近期展會中向觀眾進行實機演示，引領行業的發展。

在同期舉辦的2023 CIOE&YOLE國際論壇上，三安受邀在光收發器&硅基光電子技術國際高端論壇上進行技術分享。光技術事業部副總王益表示，光芯片技術將在未來的通訊和出行生活中扮演著重要的角色，三安擁有成熟的工藝平臺和完善的產品布局，面向未來的光芯片應用，有信心為光電行業和智慧生活愿景提供更有力的支持。

在展臺現場，三安一如既往地為行業同仁準備了內容豐富的線下路演，主題涵蓋接入網、電信網絡、消費類AOC、激光雷達、醫美及功率應用，呈現了三安在光芯片應用領域的全面解決方案能力，同時促進了行業內的創新技術交流。

三安半導體專注于碳化硅、氮化鎵功率半導體的研發和制造，展會現場展示了最新的產品系列，包括SiC MOSFET、SiC Schottky二極管和GaN HEMT等關鍵器件，其中自主開發的SiC MOSFET產品和工藝平臺備受矚目。憑借卓越的品質和先進的制造工藝，三安半導體贏得了全球客戶的廣泛認可和合作伙伴的高度贊譽。

除了展示產品，三安半導體還強調了其在碳化硅、氮化鎵功率半導體領域的技術創新成果。公司在材料研發、器件設計和封裝技術等方面不斷探索和突破，提升產品性能和可靠性。這些成果不僅在國內外市場獲得成功，還為行業發展帶來新機遇。

參加慕尼黑上海電子展，是三安半導體與行業同仁交流合作的重要平臺。展會期間，三安半導體積極與全球客戶及合作伙伴分享技術經驗和市場見解，共同應對復雜挑戰。

展會仍在繼續，歡迎7月12-13日蒞臨三安半導體展臺（7.2號館C202展臺），期待與各位現場交流。

該合資項目公司將由三安光電控股，暫定名為"三安意法半導體(重慶)有限公司"，其中由三安光電全資子公司湖南三安持股51%，意法半導體（中國）投資有限公司持股49%。項目預計投資總額達32億美元，待監管部門批準后即開工建設，計劃于2025年第四季度點火投產，預計將于2028年全面達產，將采用意法半導體的碳化硅專利制造技術，達產后可生產8英寸碳化硅晶圓10,000片/周。三安光電獨資在重慶設立的8英寸碳化硅襯底工廠計劃投資約70億元，將利用自有碳化硅襯底技術獨立建造和運營，以滿足合資工廠的襯底需求，并與其簽訂長期供應協議。

三安光電總經理林科闖表示："本次合資工廠的建立，將為中國碳化硅市場注入新的力量，我們將充分發揮各自優勢，擴大產能供給，有力推動碳化硅器件在市場上的廣泛應用，助推新能源汽車行業快速發展。這也體現出三安光電的碳化硅業務已經得到國際客戶的充分認可，是我們朝著國際一流的專業碳化硅晶圓代工廠這一目標邁出的重要一步。隨著新的合資工廠和襯底工廠建立，我們有信心繼續在碳化硅晶圓代工市場占據優勢地位。"

意法半導體總裁兼首席執行官Jean-Marc Chery表示："中國汽車和工業領域正朝著電氣化方向全速前進，對意法半導體而言，與中國本土的重要合作伙伴一起建立一個專門的晶圓廠，這將幫助我們以最高效的方式滿足中國客戶不斷增長的需求。我們將三安光電未來的8英寸襯底制造工廠、雙方新成立的前端合資制造工廠以及在意法半導體在深圳現有的后端制造工廠相結合，將有能力為中國客戶提供一個完全垂直整合的碳化硅價值鏈。此舉也是我們繼意大利和新加坡的持續重大投資外，進一步擴大全球碳化硅制造業務的重要一步。"

碳化硅賽道非常火熱，新能源汽車是碳化硅的主要應用市場之一，也是產業近年來的核心增長引擎。碳化硅材料具有耐高壓、耐高溫等優勢，碳化硅功率器件應用領域廣泛，能提升新能源汽車充電效率，實現同等電量更長續航里程，提升整車駕駛性能，解決"充電慢"和"里程短"的雙焦慮。據Yole數據，全球碳化硅功率器件市場規模預計將從2021年的10.9億美元增長至2027年的62.97億美元，年均復合增長率達34%。這次兩家碳化硅行業巨頭的合作，備受行業和市場關注。

PCIM Europe即歐洲電力電子系統及元器件展，是展示電力電子和應用領域當前產品、主題和趨勢的領先國際平臺。本次展會聚集了全球眾多行業知名企業，三安半導體海內外研發、市場和銷售團隊悉數參與了此次業內盛會。

在本次活動上，三安半導體展出的產品包括碳化硅晶碇、襯底、外延、碳化硅肖特基二極管、碳化硅MOSFET、碳化硅功率器件等，獲得了眾多海內外客戶、行業人士的到訪和關注。同時，三安半導體旨在讓客戶在具體應用中實現最佳效率，重點著眼于新能源汽車、光伏儲能、通信基站、數據中心、工業自動化、家用電器、消費類電子等細分領域以及更多相關交叉應用，各板塊涵蓋的展品和解決方案受到了業內人士、海內外專家的認可和贊譽。

展品亮點

1、6英寸碳化硅晶碇 襯底 外延

在晶碇生長技術上，三安半導體采用6/8英寸兼容大尺寸單晶生長平臺，依托精準熱場控制的自主PVT工藝，實現更低的成本及更低的缺陷密度。

碳化硅襯底技術是目前產業鏈上技術門檻較高、工藝難度較大的環節，三安半導體擁有高效率、低損耗的切割技術，精準控性、高平坦度的研磨技術，以及高表面質量、低缺陷的拋光和清洗技術，基于此，6英寸碳化硅襯底的品質和良率在逐步提升。

在外延環節，缺陷密度、摻雜濃度均勻性是主要技術難點，與可靠性和成本息息相關。三安半導體采用650V-1700V寬電壓區間外延平臺和領先的多層外延技術，實現了低缺陷密度、高一致性與高可靠性，成本管控良好。

2、碳化硅功率芯片、器件

功率芯片方面，本次展出的二極管及MOS芯片均通過了車規認證，基于更好的Vth控制技術和減薄晶圓平臺，產品具備高電流密度高浪涌能力，以及極低損耗和低寄生參數。

器件方面，三安半導體展出的650V/1200V全產品系列碳化硅功率二極管及MOS器件，通過了AEC-Q101認證，以高性能、高一致性和高可靠性為特點，可根據客制化要求，提供多種靈活工藝方案。

作為全球第三家、中國第一家碳化硅垂直整合制造平臺，三安半導體提供從晶體生長、襯底制備、外延生長、芯片制程到封裝測試的全產業鏈制造服務，可實現對產品迭代、質量、交付、成本的全方位管控。同時通過大規模制造，加速碳化硅技術在終端應用上的滲透率提升。

三安半導體成立之初就開始了全球化布局，在10余個國家和地區設有銷售辦公室、生產制造基地和產品研發中心，為中美英德日韓等地客戶及代理商提供強有力的技術支持和客戶服務，保障供應鏈安全穩定，為推動行業的健康發展起到了積極作用。

此次出海參加PCIM Europe，三安半導體收獲了眾多國際客戶的支持，也為公司開拓海外市場打開了新局面。未來，三安半導體將堅持以高價值產品和服務，不斷惠及全球客戶利益，賦能可持續發展，促進低碳、環保等趨勢的實現。

成立分會 推進產業高質量發展

當前，汽車行業正處在從傳統化石能源驅動逐步向全電驅動轉換的巨大歷史變革當中。新能源汽車進入發展快車道，汽車功率芯片是新能源汽車的重要器件，汽車功率半導體產業迎來向上發展的重要機遇。

我國汽車功率半導體發展起步較晚，產業鏈尚不健全，上游的襯底、外延、晶圓、封裝、測試，中游的電機、電控，下游的整車，以及關鍵材料、裝備、軟件、工藝等產業基礎還沒有形成協同創新、協同發展的局面。

為抓住機遇，共促汽車功率半導體發展，形成競爭優勢，在工信部裝備一司、電子司的指導下，在產業鏈主要企業的支持下，汽車功率半導體分會在中國汽車芯片創新聯盟組織下正式設立，以促進功率半導體行業發展為總體目標，圍繞產業鏈構建創新鏈促進產業協同合作，加快關鍵技術的快速突破，構建有競爭力的車規級功率半導體產業鏈，為新能源汽車產業高質量發展貢獻力量。

賦能電動化 把握趨勢迎接挑戰

工業和信息化部裝備一司汽車發展處二級調研員陳春梅、中國汽車芯片創新聯盟理事長董揚、秘書長原誠寅為大會致辭。

陳春梅對于汽車功率半導體分會如何促進新能源汽車和功率半導體的發展提出了具體的意見和建議。

董揚指出：“中國芯片產業快速發展的條件已經成熟。中國進入高質量發展新階段，經濟體量大，創新需求高，必須發展芯片產業。”結合行業調研結果，董揚認為：中國制造正在走向中高端，發展芯片產業的能力已經具備，是水到渠成。當前最重要的工作之一是促進產業鏈上下游合作，打造良好的產業生態。

原誠寅表示，汽車芯片是一個足夠有想象力的市場，企業要在產品布局上體現產品特色和技術優勢。原誠寅看來，汽車產業變革中，電動化、網聯化、智能化已經成為不可逆轉的發展趨勢，會產生新機遇和新價值增長點。汽車產業的核心價值鏈將會逐步從傳統制造業轉到高新技術行業。

中國汽車芯片創新聯盟副秘書長鄒廣才介紹了我國汽車芯片標準體系研究和建設進展，2021年組建的汽車芯片標準體系建設研究工作組，對汽車芯片在車上應用情況進行了技術結構分析，制定《國家汽車芯片標準體系的建設指南》，計劃2025年出臺30項以上國行標，到2030年累計出臺70項以上國行標。

中國第一汽車股份有限公司研發總院功率電子開發部部長趙永強帶來《碳化硅應用于電驅系統實踐及思考》的分享，隨著新能源汽車行業對電驅動系統的技術要求飛速提升，電驅集成化趨勢明確，以碳化硅為代表的材料迭代成為重要突破方向。

上海電驅動股份有限公司副總經理兼總工程師張舟云在《新能源汽車電驅動總成技術進展與功率半導體器件應用》演講中強調，電機、電控要專注提高材料利用率、工況匹配效率和品質，以及一體化的電驅動系統深度集成和產業鏈的持續發展。

湖南三安碳化硅應用專家施洪亮分析了在新汽車時代下碳化硅功率半導體應用所面臨的挑戰，分享了基于碳化硅功率半導體的牽引逆變技術，展示了湖南三安的碳化硅垂直整合模式。

蓄勢啟芯程 構建協同發展格局

在閉門圓桌討論環節，與會代表圍繞“汽車功率半導體技術體系、構建汽車功率芯片全產業鏈協同發展生態、汽車功率半導體標準體系建設、打造汽車功率半導體測試驗證公共服務平臺”等話題進行討論，形成根據整車需求制定汽車功率半導體技術和產業發展路線圖、共建協同發展平臺、制定測試驗證規范條件及共建測試驗證平臺等共識。

大會當天還安排了碳化硅全鏈整合超級工廠技術開放日活動，與會嘉賓一同走進湖南三安，近距離體驗感受垂直整合制造發展模式在上下游產業鏈協同、共同研發上的優勢，為產業鏈自主、穩定提供可靠保障，為汽車從業者帶來對芯片制造更深刻的認識。

作為峰會亮點，湖南三安發布了最新的1200V碳化硅MOSFET系列，包含1200V 80mΩ/20mΩ/16mΩ，均來自湖南三安自主可靠的六寸全鏈整合平臺。系列產品在比導通電阻特性，擊穿電壓特性和閾值電壓穩定性上，測試顯示出對比友商更為優越的結果，能有效提高電驅動系統的效率和可靠性，在后續導入客戶的過程中具備顯著的優勢。

目前，湖南三安的碳化硅二極管系列已經深入光伏、服務器電源和充電樁等領域的頭部企業供應鏈，累計客戶超過600家，已實現國內外客戶的大規模出貨。本次發布的碳化硅MOSFET系列則是旨在2023年實現整車和新能源汽車零部件的全面突破。今年8月，湖南三安與理想汽車合資打造碳化硅功率半導體研發和生產基地在江蘇蘇州啟動建設，建成后將有助于芯片制造與整車應用的全鏈打通，建立領先優勢，確保供應鏈安全可靠。

Yole Développement數據顯示，碳化硅功率半導體市場在新能源汽車良好發展態勢的推動下，將在2025年突破30億美元，且車用碳化硅功率器件的需求僅占全部碳化硅功率應用需求的60%。對比EV Tank發布的2025年新能源汽車銷量預估和碳化硅功率芯片的公開產能數據，保守估計仍有超過219萬片的產能缺口。

湖南三安是全球第三家具備碳化硅全鏈整合能力的企業，具備成熟的大規模制造經驗和質量管理能力，實現產能以及質量驗證的全鏈管控能力。目前已實現月產能12,000片，達產后將實現年產能500,000片碳化硅6寸晶圓，極大程度上緩解行業的產能焦慮，助力低碳智能出行。

在新能源汽車產業變革浪潮中，碳化硅作為新一代功率半導體材料技術孕育著新的機遇。湖南三安將牢牢把握發展機遇，與行業伙伴共享、共贏、共創新能源汽車電驅動技術新輝煌。

泉州2022年8月5日 /美通社/ -- 2022年7月25日，泉州三安集成取得IATF16949體系認證證書，該證書標志著泉州三安集成的質量管理體系就射頻前端芯片和濾波器的設計和制造符合IATF16949:2016相關標準要求，體現了三安一貫地致力于為汽車行業客戶提供高品質產品和服務的宗旨。

泉州三安集成是一家射頻前端芯片制造和濾波器以及封裝代工垂直整合平臺，地處泉州南安芯谷園區，具備高質量4/6寸鉭酸鋰襯底生產能力，器件級CPS、小型化、晶圓級WLP封裝能力，目前已實現月產20,000片砷化鎵晶圓，以及200Mu顆濾波器，在2021年二季度突破了單月出貨超10kk顆，支持客戶實現產品快速迭代落地。

"泉州三安集成能夠實現這一里程碑，我們為團隊所取得的成果深感自豪。汽車行業的智能化需求與我們的大規模芯片制造能力非常吻合，是我們戰略增長的關鍵領域之一。"泉州三安集成總經理蔡文必說道。

在車用市場"電動化、網聯化、智能化"的趨勢下，半導體器件在汽車零部件中的應用比重日益增加，車用半導體供應鏈也成為了整車制造商和零部件廠商產品規劃中越來越重要的一環。泉州三安集成憑借在移動終端豐富的規模制造經驗，覆蓋主流頻段的濾波器產品組合以及一站式的射頻前端芯片和封裝測試解決方案，能夠幫助整車廠和零部件廠商快速開發下一代車載射頻半導體芯片。

廈門2022年6月30日 /美通社/ -- 隨著WLAN技術的發展，室內場景更傾向于依賴無線通信技術，2021年互聯網約有50%的數據流量采用WiFi接入（來源：思科網絡）。龐大的流量和接入需求推動著無線通信技術的發展，WiFi 6E標準開放了新的6GHz頻段，可以使用14個80MHz通道和7個額外的160MHz通道，搭載MU-MIMO技術，支持4K QAM調制以及OFDMA，實現了室內大場景下的多點高頻高效數據傳輸，為4K/8K視頻流、大規模協同辦公、智能家居和低時延大型游戲等場景提供可能性。

與需求擴張相對的，是國內市場對于支持WiFi 6E的芯片和技術仍處于探索階段。三安集成憑借成熟的GaAs HBT/p-HEMT工藝平臺，是目前國內唯一一家有能力量產WiFi 6E芯片的企業。目前，三安集成已與國內頭部射頻企業達成深度合作，實現多款WiFi 6E前端模塊的量產，產品覆蓋18.5-23.5dBm中高功率等級，具備優越的TX端線性功率和極限1.5dBm的RX端NF值。客戶端產品已經成功打入國際市場，雙方也正在針對下一代WiFi產品展開新一輪合作。

三安集成的GaAs HBT/p-HEMT出貨量在國內一直保持領先；去年8月，三安集成的濾波器產品也進入了全球主流射頻前端平臺。如今GaAs代工業務已延伸至前沿的WiFi 6E技術，意味著三安集成射頻前端業務在移動通信技術和無線通信技術的雙向突破，有實力全方位覆蓋客戶在5G時代所需要的射頻前端制造服務。

三安集成成熟的制造管理和可靠的產能保證是幫助客戶快速搶占市場的利器。繼承母公司三安光電二十年化合物半導體制造管理經驗，三安集成發展了成熟全面的砷化鎵HBT/p-HEMT工藝型譜，支持客戶在復雜通信場景下的不同應用需求。三安集成面向未來市場，積極投入產能，在泉州南安芯谷園區建設了2,300畝的制造基地，規劃了20,000片6寸砷化鎵晶圓和256Mu顆雙工器的月產能，為客戶產品落地和快速迭代提供可靠支持。

新能源汽車迎來“碳化硅元年”，湖南三安駛入發展快車道

在化石燃料資源和環境問題面前，各國都發布了“雙碳”計劃。歐盟各國決定在2040-2060年間徹底禁止燃油車，拜登政府也計劃拿出超過600億美元用于推動家用車和公交車的電動化，日本則是通過提高行業燃油經濟性標準以促進新能源車普及。

碳化硅功率器件以其出色的能源轉換效率，在充電樁、車載充電器、逆變器等新能源汽車高壓充放電環節發揮著關鍵作用。在由特斯拉掀起的碳化硅“上車”的行業革命中，國內外新能源車企紛紛響應，可謂新能源汽車的“碳化硅元年”。碳化硅功率器件市場有望在2026年突破10億美元的大關。

作為中國首條、世界第三條碳化硅全產業鏈整合研發與制造平臺 -- 湖南三安已經做好準備，迎接這片高速發展的市場。

“長沙造”碳化硅二極管量產下線并通過客戶可靠性驗證

2021年6月，歷時僅一年就完成建設并順利點亮投產的“湖南三安”一期項目，在半年后取得新的重大突破。從“碳化硅晶體生長”到”器件封測”的量產線全線貫通，并于11月量產下線碳化硅肖特基二極管全系列產品。

近日，從客戶處得知，“長沙造”碳化硅二極管已經全面通過大客戶的可靠性驗證。這標志著“湖南三安”長沙工廠的量產爬坡正穩步推進，質量管理和產品良率均已達到客戶認可水平。

新年開門紅，車規級器件接連收獲汽車行業客戶訂單

三安650V 20A“車規級”碳化硅二極管在前期與汽車行業客戶的送樣和測試過程中，均取得優異的可靠性和產品性能表現，獲得客戶廣泛認可。新年伊始，捷報頻傳。截止目前已收獲來自車載充電器（OBC）領域頭部企業和中國最早布局新能源汽車的主機廠訂單，標志著三安車規級功率器件正式“上車”。 

隨著汽車平臺高壓化趨勢愈演愈烈，預計2025年新能源汽車市場對6英寸碳化硅晶圓需求將超過200萬片，其中新能源汽車的主驅逆變器、車載充電器、電源模塊將成為主要驅動力，在2025年有望占據62%的碳化硅應用市場份額。這次快速得到客戶青睞，也從側面反映碳化硅功率器件正得到新能源汽車主機廠的普遍重視和戰略布局。 

碳化硅“上車”熱潮即將來臨，三安為車企保供應有哪些殺手锏？

中國第三代半導體行業整體發展成熟度不足，在襯底材料生產效率、芯片性能效率、封裝水準和良率等重要方面都存在著諸多挑戰。尚待健全的產業鏈可能導致“缺芯”潮在車用功率器件領域重演。

三安堅持全產業鏈整合模式，實現產能、成本及質量驗證的全方位管控，加速碳化硅和氮化鎵功率器件在細分行業客戶的產品應用，推動產業化和規模化生產。湖南三安部署的6寸碳化硅晶體產線，生產的晶體厚度可對標國際水平，同質外延具備自主研發專利；2021年正式發布了純自研1200V碳化硅MOSFET平臺和器件；1200V和650V碳化硅二極管獲得AEC-Q車規級可靠性認證。

據湖南三安半導體市場銷售負責人張真榕介紹，全產業鏈的模式引起了國內外關鍵客戶的認可和重視。2021年三安導入碳化硅功率器件客戶549家，覆蓋服務器電源、通信電源、光伏逆變器、家電、新能源汽車充電系統的充電樁電源和車載充電機等各細分應用市場標桿客戶，量產交付產品66款。獲得數億元新增訂單，主要來自于新能源汽車、光伏逆變器、PFC電源等。

全球碳化硅公司大舉擴產，迎接需求大時代，部分新能源車企擔心全球碳化硅產能擴張低于市場需求快速增長，已提前布局上下游企業的強化合作，及供需訂單戰略協議。“三安有信心將全產業鏈整合的優勢發揮到最大，給客戶提供高質量準時交付的保障”，張真榕最后補充道。

多工器的引入使載波聚合不需要增加額外天線，但增加了射頻前端鏈路設計挑戰性，尤其是帶間隔離的設計。一方面，由于多工器整合了多個頻段，頻段之間尤其是Band 1發射端（1920-1980MHz）和Band 3接收端（1805-1880MHz）這樣相近頻段的帶間隔離是困擾射頻工程師的調試難題之一；另一方面，多工器的版圖設計與雙工器難以實現嚴格的管腳對齊，因此接收模組的適配需要花費比加裝天線和單一濾波器更多的時間精力。

三安集成發布國內首顆自主鍵合片四工器，搭載自研EZ-Tuning技術降低調試難度、優化客戶量產精度。

三安集成作為國內領先的射頻前端解決方案與器件制造平臺，將多年化合物半導體制造經驗延伸至SAW/TC-SAW濾波器領域，擁有濾波器全產業鏈的研發和制造能力，優先布局高端溫度補償型SAW濾波器產品，產品型號涵蓋FDD/TDD主流頻段。2021年8月，三安集成推出了首款可量產的小尺寸Band 1+Band 3四工器（Part No.: RBQ2140E0H）。

RBQ2140E0H采用TC-SAW濾波器工藝技術，基于自研的鍵合材料，實現Band 1 TX與Band 3 RX之間的高隔離，同時達到國際一流水平的低插損值，溫漂系數可以達到-20ppm/℃或更低。另外，研發團隊在設計中加入了“EZ-Tuning” （快速匹配）的考慮，使Band 1和Band 3的鏈路特性可以在特征阻抗下達到最優狀態，對于功放與四工器之間的負載牽引部分，也簡化了匹配過程，只簡單匹配即可上機測試，系統性地提高量產精度。

RBQ2140E0H的產品特性圖表

國內首個能全套提供Phase V NR架構所需四工器和雙工器產品的企業，助力5G主銷“千元機”的射頻前端小型化和國產化

隨著四工器的發布，標志著三安集成在濾波器領域走到行業前沿，搭配新的NR頻段雙工器產品，成為國內首個能全套提供Phase V NR架構所需四工器和雙工器產品的企業。全新的NR頻段雙工器產品，采用1612尺寸外形，更小尺寸適合5G時代手機內部更小的擺件空間，全套濾波器解決方案為加速5G千元機種集中上量提供可能。

作為中國新興的SAW/TC-SAW供應商，三安集成濾波器事業部僅用4年多時間，通過研發和產能的大量投入，迅速躋身中國濾波器行業領先地位。目前已在泉州南安布局大規模生產線，即將在2021年底達到產能峰值，產品線已涵蓋大部分頻段，即將推出HP-SAW產品。2020年，三安集成濾波器已達成雙工器單月10kk出貨量，產能和品質已在客戶端收獲認可。

三安集成認為，實現萬物高速互聯的美好未來，射頻前端集成電路和無線通信是關鍵。除此之外，三安集成用多個業務板塊，全方位解決高速互聯世界的射頻、激光和功率芯片需求。

聯系方式：LinQing Chen，linqing_chen@sanan-ic.com，18659160925

5G對消費類通訊終端射頻前端鏈路提出新需求

5G暨第五代移動通信技術，承接著LTE時代手機等消費類通信終端出貨量大爆炸的美好成果，同時也進化出更大帶寬，更低時延，更廣泛連接的解決方案。隨著5G技術的不斷普及，Edward認為5G對射頻前端鏈路設計的新挑戰表現為更復雜，更小型，更便宜與更低功耗。

5G在帶來n77/n79等新頻段的同時，也部署于與4G相同頻率范圍的n41[LTE-B41],n28[LTE-B28]等之上。并不相同的鏈路要求及日漸普遍的載波聚合功能大大復雜化了5G終端射頻前端的設計。

無論是新頻段的擴充，或是常態化支持載波聚合以實現大通信帶寬的要求，都需要更多器件的支持。這與終端的有限布板空間及高品質射頻走線相矛盾，因此小型化與集成化的重擔，落在各個射頻器件廠商的雙肩。

4G千元機直接派生出5G千元機的價格下探。成本決定售價，更便宜更親民，無疑是消費類終端公司必爭主題之一。這也對前端器件公司在小型化研發，量產管控，良率提升等制造能力上提出了新要求。

聲表面波濾波器國內外發展現狀

在濾波器產品領域，聲表面波濾波器(SAW)的主要功能為，在射頻前端電路中，區分各個頻譜資源帶。及實現雙工或載波聚合等通路功能。SAW利用壓電效應和聲特性來進行無線電磁波的濾波工作，此時壓電效應的材料起到換能器作用。

目前的SAW濾波器市場，國內外發展現狀的差異還是比較大的。國際來看，以村田，太陽誘電，京瓷等為首的日本廠商長期占有全球SAW濾波器的40%以上市場份額。以壓電材料，基板材料，聲電模型及設計拓撲與封裝設計等5類研究方向為基石的SAW上游供應商中，這些細分市場的把控依舊以日本廠商為主。

再觀國內，以26所，55所等研究所為代表的廠商，在材料學與設計拓撲上的研究成果并非不先進。據Edward觀察，自美中貿易摩擦持續博弈以來，國內廠商的研發實力與研發轉可量產水平已經得到長足的進步和較好的發展機會。然而在產品市場上看，國內SAW器件商卻不能說過的很好，一方面，受限于產品路標的同質化規劃；另一方面，受制于上游材料，設備與生產自動化水平的限制。

來自Yole的預測數據表明，濾波器在射頻前端器件市場中，逐漸成長為占比最大，增速較快的業務。射頻前端市場中，濾波器的價值占比超過50%，2017-2023年復合增速約為19%，超過整體需求14%的平均增速。據Navian報告顯示，21年僅聲表雙工器出貨將達到108億顆，其中國產占比僅為3.6%，且基本均為為分立式CSP。而聲表濾波器單接收SAW市場因單價較低，技術門檻相對不高且失效后對終端用戶體驗影響不大等原因，已顯現紅海市場的銷價競爭現象。

三安集成射頻前端解決方案

2014年以來，三安集成積極投入砷化鎵代工業務。2016年，三安集成大力布局濾波器全產業鏈研發、生產、銷售及先進封裝測試業務，在日本和中國布局濾波器研發中心，匯集全球濾波器高端人才，核心研發團隊由從業經驗超過20年的博士組成，具備濾波器設計、工藝開發和先進封裝的自主研發能力。目前濾波器產品線已經涵蓋FDD-LTE主流頻段，在高頻產品上，通過自有的鍵合片技術，幫助TC-SAW產品來提高機電耦合系數，散熱特性，品質因素Q及其穩定性以及溫度漂移特性。其中TC-SAW Band8在性能測試中，已經與國際競爭對手的同類產品性能相當。

三安集成始終立足于生產制造，自鉭酸鋰襯底起夯實從材料起步的研發實力，自平臺與系統出發研制優性能導向的濾波器產品，順應技術趨勢淬煉涵蓋系統級封裝的優質產能；對客戶價值奉獻，重視客戶項目性能需求與供應穩定保障，致力于打造“責任·創造”的新時代品牌。三安集成在泉州南安的濾波器制造基地已經投入量產，到2021年底，產能將突破128Mu/月[按雙工器計]。

三安集成在三安光電二十年化合物半導體大規模制造經驗基礎上，專業性部署賦能5G、展望6G的芯制造與芯能量。隨著越來越多合作伙伴的攜手兼程，共鑄互聯時代價值。