AI算力爆發，高效可靠電源成行業剛需

當前AI服務器機柜功率由120kW邁向兆瓦級，電源模塊也從3kW快速迭代至30kW以上。行業數據顯示，2030年全球數據中心電力需求量預計將增長220%。算力產業高速增長的背后，高適配、高效率、高可靠的電源系統，已成為高端算力基建的核心剛需，也是全球半導體功率技術賽道的核心競爭焦點。

實測效率96.71%，大幅降低算力運營成本

基于主流拓撲結構實測，三安光電650V SiC MOSFET在典型負載下最高效率達96.71%，相比傳統硅基方案，系統整體能效提升約5%。以一兆瓦系統五年運行周期測算，單套系統電費可節省約60萬美元，同時實現散熱能耗降低30%、運維成本下降20%。即便計入SiC模塊初期溢價，整套方案投資回報周期僅2.1-2.8年，五年整體綜合成本可下降23%，具備顯著的商業化落地價值。

全鏈條能力,筑牢量產交付與品質體系

三安光電構建覆蓋長晶、襯底、外延、芯片設計制造的碳化硅全產業鏈垂直整合布局，已具備從材料端到應用端的完整交付能力。同時，公司可靠性實驗室通過CNAS認證，測試標準覆蓋JEDEC、MIL、AEC-Q101等主流規范，為批量供貨構筑完整的質量閉環。目前，三安光電碳化硅產品已在新能源汽車、光伏儲能、充電樁、服務器電源及AI數據中心等領域批量應用，累計向超過800家國內外客戶交付碳化硅芯片及器件4億顆。

深耕算力賽道，錨定下一代技術路線

三安光電在會上表示，布局AI服務器高端算力賽道，核心是搭建可復現、數據充分驗證、高穩定的可靠產品體系。針對行業高端設備進口依賴、成本與可靠性難以平衡等痛點，公司明確下一代技術規劃：加速8英寸碳化硅襯底量產，壓降缺陷與生產成本；依托AI智能檢測實現制造全流程管控；聯動國內產業鏈伙伴突破關鍵技術，構建碳化硅完整產業閉環。

深耕碳化硅，以硬核芯片驅動算力升級。

長期以來，氧化鎵從材料優勢走向量產芯片，高質量同質外延技術是其產業化的主要技術難點。在國際主流的氧化鎵晶面上，外延生長極易出現缺陷，導致器件良率和實際耐壓遠低于理論預期，制約了行業規模化商用進程。

近日，三安光電聯合西安電子科技大學寬禁帶半導體國家工程研究中心、杭州鎵仁半導體有限公司，在氧化鎵同質外延技術取得關鍵突破。聯合團隊采用金屬有機化學氣相沉積方法，精準優化初始成核條件，成功抑制孿晶缺陷，已在2英寸襯底上獲得高質量的同質外延層。測試結果表明：整片晶圓表面均方根粗糙度低于0.5nm，晶體質量與襯底相當，電子遷移率達到100cm²/(V?s)。

基于上述外延片，聯合團隊優先發展橫向功率器件。相比于縱向結構需要導電襯底和厚外延、且面臨氧化鎵p型摻雜困難的固有挑戰，橫向器件可充分發揮半絕緣襯底隔絕漏電的優勢，通過靈活設計柵漏間距來承受更高電壓，同時與現有平面硅工藝高度兼容。在未使用特殊終端結構的情況下，該橫向器件擊穿電壓達到1420V，開關比達10?，閾值電壓均勻性超過91%，驗證了從材料到器件的整體工藝水平。

目前，聯合團隊已具備2英寸氧化鎵外延及器件制備能力，并擁有向6英寸及更大尺寸擴展的工藝基礎。此次三安光電與西電、鎵仁的產學研技術突破，為氧化鎵在智能電網、新能源汽車等高壓場景的落地應用提供了關鍵技術支撐，將有效推動第四代半導體技術商業化進程。

隨著AI數據中心、云計算等算力基礎設施高速發展，服務器電源成為決定數據中心PUE值和運營成本的核心關鍵。主流服務器電源需滿足80 PLUS鈦金級（效率≥96%）及更高能效標準，傳統硅基器件已逼近物理極限，難以兼顧高效率與小型化需求。

破解行業難題，實現低電阻高品質雙向兼顧

作為理想替代材料的碳化硅，常規襯底電阻率偏高（約20mΩ?cm），若進一步降低電阻，極易產生層錯、位錯等缺陷，導致良率低、成本高，制約其在服務器電源領域的大規模應用。碳化硅襯底電阻每降低1mΩ?cm，器件導通電阻可下降2%-4%，對服務器電源而言，這意味著更低發熱、更小散熱器、更高開關頻率，從而縮小變壓器與電容，助力電源模塊向超高效（98%-99%）與小尺寸邁進。

三安光電在晶體生長、純度控制、缺陷抑制等環節實現關鍵突破，碳化硅襯底平均電阻率穩定至11mΩ?cm，較傳統量產20mΩ?cm減半，同時層錯、位錯、微管、面型等指標對標量產標準，成功破解"低電阻與高品質" 不可兼得的行業難題。

可靠性驗證：1000小時零失效，具備量產能力

值得關注的是該低電阻碳化硅襯底并非實驗室樣品，而是經過嚴苛驗證的成熟、可靠、可批量生產的產品。三安光電已完成外延、器件全流程驗證，首批配套芯片通過1000小時可靠性測試，實現零失效。目前，湖南三安已完全具備量產能力，隨時可按需規模化供貨。客戶無需調整后段工藝即可無縫升級，大幅降低應用門檻與升級成本。

疊加尺寸迭代，賦能多領域提效

低電阻碳化硅襯底帶來更低導通損耗、更高功率密度與更精簡的熱管理方案，助力數據中心電源系統向鈦金級乃至更高能效邁進。同時，疊加碳化硅產業從6英寸向8英寸的迭代趨勢，將進一步攤薄制造成本。

三安光電將持續深耕低電阻碳化硅襯底等先進技術研發，加速碳化硅器件在服務器電源、新能源汽車、高壓快充、光伏儲能、智能電網等領域的大規模滲透，推動第三代半導體產業鏈向高性能、低成本、高可靠方向升級，為全球綠色能源轉型提供堅實的材料基礎。

作為國內化合物半導體領域全產業鏈布局的主力軍，三安光電精準切入碳化硅、金剛石等寬禁帶材料賽道，聚焦AR光學、中介層、熱沉三大核心方向，在先進封裝領域構建起獨特競爭優勢，多項技術成果已進入送樣或批量交付階段，為全球AI芯片效能提升提供重要樣本。

AR光學襯底：寬禁帶材料賦能，夯實光學封裝基礎

AR光學襯底方面，碳化硅折射率達2.7（傳統玻璃約2.0），熱導率超玻璃百倍，兼具優異光學與導熱性能。三安光電具備Micro LED和碳化硅光學材料綜合服務能力，目前8英寸光學碳化硅襯底已通過客戶驗證，12英寸產品已實現小批量交付，為AR設備性能升級提供核心材料支撐。

碳化硅中介層：精準破解散熱痛點，適配高端AI封裝需求

碳化硅中介層可精準破解散熱痛點，其熱導率約為硅的3倍，能使GPU結溫降低20–30°C，散熱成本下降約30%。目前，三安光電12英寸碳化硅襯底正配合頭部客戶開展下一代AI芯片封裝驗證，有望成為先進封裝方案的主流選擇。

熱沉領域：雙材料并行布局，滿足多元散熱需求

熱沉領域，三安光電采用金剛石、碳化硅雙路線并行，覆蓋多元散熱需求。其中，金剛石熱沉基板熱導率達2300W/(m?K)，在大功率激光器應用中較陶瓷基板熱阻大幅降低，已通過1000小時老化測試并批量交付；碳化硅熱沉產品已完成送樣測試，逐步推進商業化落地。

全鏈產能布局：筑牢供給保障，支撐技術規模化落地

產能布局是技術落地的重要支撐，三安光電已構建湖南、重慶兩大核心生產基地，形成從襯底到模塊的全鏈條自主制造能力。湖南基地6英寸碳化硅芯片月產能達16000片，8英寸襯底月產能1000片、外延月產能2000片，8英寸芯片產線已通線量產；重慶基地8英寸襯底月產能3000片，產能逐步釋放，補強大尺寸碳化硅材料供給。湖南三安的碳化硅二極管已形成覆蓋650V至2000V的全電壓產品梯度，累計出貨達4億顆，投產三年內累計銷售收入近20億元，在國內碳化硅功率器件市場具備領先產業實力，為先進封裝材料產業化提供了堅實的市場根基。

以寬禁帶技術為核，筑牢先進封裝材料底盤。前瞻布局前沿新工藝，三安光電將持續領跑核心材料突破，以中國方案支撐全球AI芯片效能升級，驅動先進封裝產業向高端跨越。

產品迭代：高速光芯片梯度布局，主流速率穩定交付

當前全球數據中心正處于400G規模商用、800G快速滲透、1.6T加速迭代的關鍵窗口期，高速光芯片的交付能力與迭代節奏，直接決定企業在全球算力供應鏈中的地位。三安光電面向400G/800G光模塊的商用光芯片已實現批量出貨，配套高速PD光探測器同步進入批量供應階段，產品性能、穩定性與交付能力獲得全球主流客戶認可，筑牢了業務增長的基本盤。面向下一代超高速傳輸市場，三安光電針對1.6T光模塊開發的高速光芯片已進入客戶送樣與聯合驗證環節，技術指標貼合行業主流方案；更前沿的3.2T光芯片也已啟動研發攻關。從規模化量產、客戶驗證到前沿預研，公司形成了清晰可持續的技術迭代節奏，能夠精準匹配全球數據中心的速率升級周期。

技術突破：100G EML芯片落地，高端器件能力再升級

2026年4月，三安光電正式推出自研100G EML電吸收調制激光器芯片，進一步夯實高端技術競爭力。該芯片專為400G/800G長距主流光模塊方案設計，在傳輸速率、溫度適應性與長期可靠性上達到行業高端水準，同時實現了從外延生長、芯片設計到制程封裝的全流程工程化落地，具備大規模量產能力，有效補齊了高端光器件產品矩陣，提升了在中長距高速傳輸場景的全球競爭力。

場景拓展：前沿技術多點開花，開辟增量新賽道

除核心數據中心賽道外，三安光電持續向新型光互聯、車載光電子等增量場景延伸，不斷拓寬成長邊界。在短距高速互連領域，公司聯合高校與通信企業研發的高速Micro LED光源器件，為AI芯片間高密度傳輸提供了全新方案，目前已向國際客戶送樣測試，具備明確的產業化潛力。

在智能汽車領域，公司推出的寬溫域VCSEL芯片已通過頭部新能源車企車規級認證，可在極端工況下穩定運行，預計2026年實現規模化上車，打開車載光通信新市場。

全球布局：海外認證落地，躋身全球供應鏈第一梯隊

在全球化布局方面，三安光電的CW光源產品已通過海外頭部科技企業認證，覆蓋70mW與100mW兩大主流功率規格，可適配400G至1.6T全系列光模塊方案。這一認證標志著公司的制造工藝、品控體系與量產能力已躋身全球第一梯隊，融入全球高端算力供應鏈。

戰略升級：光芯片成核心引擎，卡位全球產業新周期

站在產業發展視角，三安光電已在光通信、光互聯、車載光電子領域構建起全鏈條技術與產能體系。在AI算力持續升級、光互聯全面普及的行業趨勢下，光芯片已成為公司核心戰略增長引擎，從補充業務選項升級為長期發展的必答題。

依托全產業鏈IDM積淀、穩健的產品迭代節奏與全球化市場布局，三安光電已在全球光互聯浪潮中完成戰略卡位。伴隨高端產品持續落地、產能規模穩步釋放、新興應用場景加速落地，公司將深度受益AI算力升級紅利，穩居全球下一代算力新基建核心陣營。

作為國內電力電子平臺型領軍企業，麥格米特深耕低空飛行電驅領域，已是大疆等行業頭部無人機廠商的核心合作伙伴，批量供應高端電源部件及全套驅動解決方案。依托扎實的技術實力與產品口碑，麥格米特工業級無人機電源產品穩居市場重要地位。

憑借國內稀缺的碳化硅全產業鏈垂直整合制造服務平臺，三安光電旗下湖南生產基地已構建起完善的產品矩陣，完成650V至2000V、1A至100A全電壓電流規格碳化硅二極管梯度布局，同時實現650V到2000V、12mΩ至1000mΩ全系列SiC MOSFET全覆蓋。三安自主研發的SiC MOSFET具備低導通損耗、高頻特性突出、高溫穩定性強等核心優勢，可大幅提升無人機電機驅動系統在懸停、爬升等復雜工況下運行效率與整機可靠性。目前，該款碳化硅芯片已成功量產導入麥格米特為大疆無人機定制的電源解決方案，并順利通過多輪嚴苛飛行實測驗證。

數據顯示，2026年第一季度，湖南三安已向麥格米特交付碳化硅芯片超60萬顆。依托成熟的技術配套與服務能力，三安助力客戶將新品研發導入周期縮短30%，雙方已建立起涵蓋器件選型、系統適配、測試驗證到迭代優化的全流程成熟協同機制。麥格米特電源產品線負責人表示，"三安完備的全鏈條研發制造能力與穩定的批量交付實力，為企業業務快速擴張筑牢了供應鏈根基，免去諸多后顧之憂。"

隨著eVTOL等低空經濟產業的快速崛起，市場對超高功率密度與極限可靠性的器件需求持續攀升。三安將攜手麥格米特聯合研發更高電壓、更低損耗的下一代功率器件，以硬核中國芯助力低空經濟產業高質量騰飛，共拓萬億產業新藍海。

產能"航母"：主流光芯片月產超200KK

目前，三安光通訊DFB/EML/FP芯片月產能達12KK，PD/APD芯片月產能40KK，通信VCSEL與消費VCSEL月產能分別達20KK和150KK，覆蓋電信、數據中心、消費電子等多場景需求。外延片月產能從2750片提升至6000片，實現自供與對外供貨雙輪驅動。通過全流程IDM模式，公司產能利用率與交付效率顯著提升，保障供應鏈穩定暢通。

IDM+代工雙模式：一站式破解制造難題

作為國內少數同時具備GaAs和InP兩大材料體系能力的廠商，三安光通訊提供從外延定制、晶圓流片到封裝測試的全周期代工服務。外延環節支持2-6英寸定制化生長，適配1.25G-400G全速率工藝；晶圓制程良率達國際一流水平。同時開放高端工藝平臺，支持多品種、小批量柔性生產與大規模量產快速切換。

技術攻堅：100G EML芯片自主化，CW光源瞄準1.6T光模塊

三安構建1.25G-400G全速率產品矩陣，自研100G EML芯片可適配800G光模塊方案，實現設計到制造全流程自主化；CW光源覆蓋70mW/100mW功率規格，適配400G至1.6T高速光模塊需求。高精度光刻、外延生長等核心工藝構筑起技術壁壘，晶圓制程良率國內領先。

產品已滲透數據中心、電信傳輸、車載光通信、工業互聯網及消費電子等領域。CW光源、高速EML、VCSEL等全面適配800G/1.6T光模塊；電信產品用于5G基站、光纖到戶及骨干網；車規級VCSEL、PD芯片已與全球頭部新能源車企及Tier1供應商達成合作，應用于自動駕駛激光雷達和智能座艙。此外，還拓展至工業傳感、AR/VR、激光醫療等新興場景。

從產能擴張到技術自主，從代工服務到多場景落地，三安光通訊在全球光芯片產業格局中正扮演著越來越重要的角色。在AI算力與數字經濟持續升溫的背景下，三安光通訊著力邁向全球價值鏈高端，敬請期待。

隨著3GPP R18至R20標準的演進，R21發布在即，行業對5G-A/6G網絡的能力展開充分研討，射頻前端器件因此正面臨性能與設計的嚴峻挑戰。未來的射頻設計需在R19/R20等新標準下實現更高的功率等級（Power Class），同時非地面網絡（NTN）等新應用場景也對輸出功率及隔離度提出嚴苛指標。

此外，隨著載波聚合（CA）技術及4G/5G協同雙連接（ENDC）的普及，射頻鏈路需在更小的物理尺寸內支持更大的帶寬和輸出功率，導致功放器件熱密度急劇上升。如何在提升功率附加效率（PAE）的同時，解決高功率下的熱耦合與可靠性問題，已成為當前射頻工程師亟待攻克的核心痛點。

針對上述挑戰，三安集成在報告中詳細展示了最新一代砷化鎵工藝HP56的性能表現。對比三安的前代工藝，HP56在3.5GHz頻段下保持良好線性度的同時，實現了更高的功率增益和更優越的最大功率附加效率，相比前代HP12工藝，增益提升了2.6dB，效率提升了2.6%，能夠有效支持甚高頻及更大帶寬調制信號放大并顯著降低PA功耗。

報告同時客觀指出，隨著功率密度的提升，芯片會面臨更明顯的熱失控（Thermal Runaway）風險。對此，三安集成通過仿真與實測，提出了具體的工藝優化建議，通過調整結構和金屬間距，可以有效降低結溫，緩解熱耦合效應，為設計客戶解決高功率下的可靠性問題提供了切實可行的參考方案。

面向商業航天、非地面通信等未來高頻通信應用場景，三安集成也同步展示了在氮化鎵工藝與濾波器產品上的技術布局：

• 氮化鎵（GaN）技術：新一代工藝重點針對功率密度與電流崩塌效應進行了優化，旨在通過外延與工藝的代際升級，實現效率與可靠性的雙重提升，以滿足民用基站及商用航天對高效率的迫切需求。
• 濾波器產品：公司的1109 NTN SAW濾波器系列已覆蓋n256頻段及BDS接收頻段，能夠針對性解決衛星通信中現網共存頻段臨近過密、邊帶抑制要求高的技術難點，同時帶內插損僅為1dB左右，為天地一體化通信提供關鍵支持。

三安集成將持續投入射頻工藝研發，以客戶需求為中心，為全球客戶提供高性能、高可靠性的射頻制造方案，助力下一代無線通信技術與產業的高質量發展。

維諦技術是全球數據中心基礎設施的絕對龍頭，也是英偉達液冷方案的獨家合作伙伴，其以嚴苛的質量標準聞名于業內。2025年第四季度，維諦訂單量同比增長252%，積壓訂單達95億美元。

三安光電憑借碳化硅芯片的低導通損耗、高開關頻率和優異高溫穩定性，精準匹配了維諦的嚴苛標準。截至2026年一季度，三安向維諦累計供貨碳化硅芯片超500萬顆；2025年全年供貨量較上年增長80%，2026年一季度同比再增123%。2026年初，維諦將"突出貢獻獎"頒給三安光電，其供應鏈負責人表示："三安的碳化硅器件讓我們的電源模塊效率再上臺階。"

合作遠不止供貨。針對維諦高密度數據中心供電方案，三安光電參與熱仿真與器件選型，優化開關特性后幫助客戶將電源模塊效率提升至98%以上，并簡化散熱結構。下一步雙方計劃共建下一代高壓電源聯合實驗室，聚焦3300V SiC MOSFET在數據中心SST系統的創新應用。 三安光電與維諦的深度協同，為全球AI算力鏈鋪就一條更高效、更可靠的"芯"道路。

并肩，讓每顆芯都算數。

據FortuneBusinessInsights統計，2025年全球先進封裝市場規模已達423.6億美元，預計2034年將增至704.1億美元。市場高速擴張的背后，是AI芯片對更高算力、更高帶寬、更高集成度的極致追求。產業共識認為，關鍵材料創新已成為突破封裝性能瓶頸的核心驅動力。三安光電旗下湖南三安聚焦碳化硅中介層、熱沉散熱、AR光學襯底三大方向，多項成果已進入送樣或批量交付階段。

碳化硅中介層：為CoWoS"退燒"

當前主流的CoWoS封裝技術中，硅中介層在高功率場景下散熱能力捉襟見肘。碳化硅熱導率約為硅的3倍，可將GPU芯片結溫降低20–30°C，散熱成本下降約30%。三安光電已實現12英寸碳化硅襯底的研發與小批量送樣，為應對AI芯片封裝的中介層瓶頸及潛在巨量市場做好了技術儲備。

熱沉雙路線：金剛石與碳化硅并進

隨著封裝集成度提升，熱管理已從輔助環節升級為核心痛點。三安光電采用碳化硅、金剛石雙路線并行策略。其研發的金剛石熱沉基板熱導率最高達2300 W/m?K，電阻率達2.3×10¹?Ω?cm，在大功率激光器中較傳統陶瓷基板熱阻降低81.1%，并通過1000小時老化測試，目前該產品已在高熱流密度場景批量交付。

碳化硅光學襯底：撬動AR眼鏡新應用

在AR光學領域，碳化硅折射率高達2.7（傳統玻璃約2.0），熱導率為玻璃的百倍以上，可顯著提升全內反射效率并解決高功率光源散熱難題。作為同時擁有Micro LED與12英寸碳化硅光學材料的企業，三安光電的碳化硅光學襯底面型參數行業領先，已向多家國內外終端及光學元件廠商小批量交付，正配合客戶進行材料與光學設計迭代。

雙基地協同：產能矩陣逐步釋放

三安光電已構建湖南、重慶雙基地協同的碳化硅全鏈產能矩陣。湖南基地6英寸碳化硅配套產能16000片/月，8英寸襯底產能1000片/月、外延2000片/月，8英寸芯片產線已通線；重慶基地8英寸碳化硅襯底產能3000片/月正逐步釋放，形成從襯底到模塊的完整制造能力。

隨著混合鍵合、玻璃基板、背面供電等先進封裝工藝走向成熟，材料創新將成為技術演進的核心驅動力。三安光電正以更優的熱管理性能和產業化能力，深度融入先進封裝產業鏈，為算力時代的散熱難題提供堅實底座。

從4寸到6寸：一次"邊緣損耗"的精準手術

行業共識是，砷化鎵剛性電池性能雖好，但價格不菲。三安光電的選擇很直接：跳出傳統產線思維，在天津生產基地率先規模化量產6英寸大尺寸襯底電池。相較于業界普遍采用的4英寸工藝，6英寸產線讓晶圓利用率大幅提升，邊緣損耗直接砍半。這意味著，同樣一塊襯底材料，能切出更多有效電池片，單位成本被顯著攤薄 —— 為太空算力的大規模部署掃除了能源部件的價格障礙。

不犧牲性能的"減法"

值得關注的是，降本并未以犧牲性能為代價。三安量產的三結疊層剛性電池，在AM0（太空標準太陽光譜）條件下轉換效率穩定維持在30%以上。基于成熟的鍺襯底技術，其抗輻照能力和機械強度足以應對嚴苛的發射振動與長壽命在軌運行。可以說，這套方案在保持"航天級"可靠性的前提下，實現了成本的大眾化普及。高效、可靠的供電，直接轉化為單顆衛星上可用于計算負載的凈功率提升，讓太空算力芯片得以在更低供電成本下運行。

從"定制"到"標配"：推動商業航天的基礎設施化

三安光電的更大價值，或許在于其規模效應。依托6寸產線的產能優勢，公司正將剛性電池從一個需要高度定制、價格高昂的"藝術品"，轉變為可批量供應、性價比突出的"標準組件"。對于正在瘋狂組網的低軌星座及未來空間數據中心而言，這種高可靠、可負擔的能源底座，正是支撐其規模化擴張的關鍵 —— 沒有低成本的太空光伏，就沒有規模化的太空算力。

在商業航天的成本競賽中，上游元器件的工藝革命是必由之路。三安光電憑借大尺寸襯底技術，不僅鞏固了自身在化合物半導體領域的制造壁壘，更實質性地降低了太空算力基礎設施的入場門檻，讓每一顆衛星都能以更低的能源成本承載更強的計算能力。

當太空光伏不再是"奢侈品"，中國的"星鏈"故事才真正有了批量復制的底氣。

當前，光通信行業正經歷一場由AI驅動的超級成長周期。隨著全球數據中心向800G/1.6T高速迭代，作為光模塊"心臟"的高速光芯片，其性能直接決定了傳輸速率與功耗表現。然而，這一市場長期由美國Coherent、Lumentum和日本三菱電機、住友電工等巨頭主導，國產化率不足5%，供需缺口持續擴大。

三安此次宣布，在高速光芯片、海外市場拓展、車載光通信三大領域同步取得突破：100G EML芯片正式推出、CW光源產品通過海外頭部客戶認證、寬溫VCSEL & PD與產業鏈下游頭部企業初步達成戰略合作。

100G EML芯片可適配800G主流光模塊方案，實現了從設計到制造的全流程自主化，為下一代AI算力網絡提供了關鍵器件的國產化選項。CW光源產品叩開海外市場大門，覆蓋70mW/100mW主流功率規格，可適配400G至1.6T高速光模塊需求，標志著三安高端光芯片已具備與國際廠商同臺競爭的能力。

在汽車智能化浪潮下，自動駕駛對帶寬、時延、可靠性要求急劇提升，傳統銅纜架構已難以支撐。三安切入車載光通信賽道，已研發出滿足車載嚴苛環境要求的車規級光芯片，并與產業鏈下游頭部企業達成戰略合作，共同推進產業化落地。

依托垂直整合制造能力，三安數據中心應用的高速PD已實現批量出貨，100G EML、CW光源及車載光芯片均已具備規模化交付能力。

從行業趨勢看，隨著AI算力需求持續爆發和汽車智能化加速滲透，光芯片的戰略地位正被推向前所未有的高度。三安此次突破，意味著其光通信業務已從"布局期"進入"收獲期"，為國產高端光芯片從替代向引領升級提供了有力注腳。

碳化硅（SiC）——這一第三代半導體材料正加速走向舞臺中央。其高擊穿場強、卓越熱導率與低導通損耗，精準命中了AI電源對“高效率、高功率密度、高可靠性”的終極要求，成為支撐“東數西算”與綠色數據中心的核心基石。

全鏈自主：打通“從材料到器件”的根基

憑借在化合物半導體領域超過二十年的深厚積淀，三安光電構建了從長晶、襯底、外延到芯片制造的垂直整合制造服務平臺。旗下湖南三安已成功打造覆蓋 650V至2000V 全電壓梯度的碳化硅二極管與MOSFET產品矩陣，可滿足從邊緣計算服務器到超大規模數據中心的全場景需求。

全鏈條自主可控不僅保障了供應鏈安全，更使三安能與電源客戶深度協同，實現芯片級參數的精準定制與快速迭代，致力于將碳化硅的性能潛能發揮到極致。

市場驗證：打通“從產品到價值”的回路

技術的價值，最終由市場丈量。三安光電碳化硅產品已成功導入維諦技術、臺達、光寶科技、長城電源、偉創力等全球頭部電源制造商供應鏈，并實現穩定量產交付。這標志著國產碳化硅芯片在AI算力基礎設施這一高端領域實現關鍵突破。

為客戶帶來的價值清晰可見：電源整機效率顯著提升、散熱結構簡化、功率密度增加，直接轉化為更具競爭力的產品與更低的運營成本。

雙路并進：打通“從當下到未來”的縱深

為全面覆蓋AI電源從數據中心到邊緣側的廣闊譜系需求，三安光電堅持 “碳化硅+氮化鎵（GaN）” 雙技術路線驅動。在持續優化碳化硅器件的同時，公司已推出適用于高頻、高效場景的100V/650V GaN產品，并為國內頭部設計公司提供代工服務，確保為客戶提供從千瓦級到百千瓦級的全方位功率解決方案。

生態協同：打通“從單點到生態”的循環

三安光電積極攜手國際巨頭，與意法半導體合作建設8英寸碳化硅芯片產線，加速技術落地與成本優化。通過凝聚產業鏈生態力量，共同推動AI服務器電源的國產化替代進程，為構建自主、安全、先進的算力基礎設施奠定堅實基礎。

AI浪潮奔騰向前，其動力之源，始于一顆顆穩定、高效、綠色的“芯”。從材料突破到生態共贏，三安光電正以全產業鏈的深厚底蘊、前瞻性的技術布局與開放的生態合作，將碳化硅的卓越特性，轉化為驅動AI算力革命的核心動能。

讓每一瓦算力，都有“芯”底氣。

金剛石熱導率可達2300 W/m?K以上，為銅的5倍、碳化硅的4倍，是自然界已知材料中熱導率最高的材料。其電阻率高達10¹? Ω?cm，兼具電氣絕緣與高效導熱特性。在大功率激光器、AI服務器、射頻功率放大器等高熱流密度場景，金剛石的導入已從理論驗證走向工程實踐。

湖南三安是率先在國內構造寬禁帶半導體全鏈制造服務平臺的企業，已布局超寬禁帶半導體金剛石材料多年。實測數據表明，采用金剛石熱沉后，激光器芯片熱阻較陶瓷基板降低81.1%，并通過1000小時老化測試。

目前，湖南三安產品已覆蓋多晶金剛石襯底、電子級單晶金剛石襯底、熱沉級單晶金剛石襯底、金剛石熱沉基板等品類，在激光器、濾波器、大功率LED、功率放大器等場景進入實質應用階段，并獲得批量訂單。

全鏈條能力構筑產業壁壘

金剛石的產業化，絕非單一環節的突破，而是全鏈條能力的比拼。湖南三安已建成金剛石中試線，配備MPCVD設備、激光切割機、磨拋機等制造裝備，以及原子力顯微鏡、掃描電鏡、X射線衍射儀等檢測設備，打通"長晶—晶圓—檢測—應用"全鏈條，授權相關專利4項，并與湖南大學、中電科48所等高校及科研院所建立產學研合作，在設備開發、材料制備、終端應用環節形成協同優勢。

面向未來的散熱基石

從AI服務器到光通信，從新能源汽車到先進封裝，當器件功率密度持續攀升，散熱已從"可優化項"變為"必答題"。金剛石以其極致的熱物理性能，正成為下一代高性能半導體器件的標配材料。

未來，三安光電將持續推進金剛石材料的技術迭代與應用拓展，以更優的導熱性能、更成熟的產業化能力，響應行業發展對極致散熱的迫切需求，為全球半導體產業貢獻來自中國的"散熱方案"。

近年來，寬禁帶半導體核心材料——碳化硅憑借其獨特物理特性與優異性能，受到AR整機廠商的高度關注。在新能源領域，碳化硅已展現出提升能源轉換效率與系統功率密度的顯著優勢；如今在光學顯示領域，該材料更被業界視為破解AR全彩顯示核心瓶頸的關鍵。目前，碳化硅、光波導及AR整機企業正緊密協作，開展技術創新與需求適配，這一跨界協同不僅有望實現AR眼鏡技術的突破性進展，更將為全產業鏈創造新的發展機遇。

高折射率+高熱導率 碳化硅筑牢AR顯示技術優勢

伴隨科技發展，AR眼鏡輕薄化設計趨勢推動光波導技術從離軸、棱鏡、自由曲面等光學方案中脫穎而出，成為當前AR光學的主流選擇。不過，現有技術路線仍存短板：幾何反射波導方案光損嚴重、擴瞳維度受限且工藝復雜、良率偏低；全息體光柵波導雖光學性能理想，但多層堆疊與嚴苛封裝要求使其量產難度極高。相比之下，表面浮雕光柵波導方案在制造成本與工藝成熟度上優勢顯著，光學性能亦表現出色。

值得關注的是，表面浮雕光柵波導方案在色散與彩虹紋問題解決上已取得實質性進展，而通過采用碳化硅作為襯底材料，可進一步優化光學性能。作為高折射率、高導熱率的先進材料，碳化硅不僅能提升光波導核心性能，更可強化AR眼鏡整體散熱效果。從技術成熟度與量產可行性綜合評估，表面浮雕光柵波導方案是當前最具前景的量產選擇，碳化硅的引入將為AR顯示技術突破提供核心支撐，推動行業邁向新發展階段。

三安光電技術中心總經理王篤祥指出，碳化硅的高折射率與高導熱率特性，可為AR眼鏡帶來四大核心優勢：

• 更大視場角：碳化硅折射率達2.6以上，遠超普通樹脂（約1.51）、高折射率樹脂（約1.74）、普通玻璃（約1.5）及高折射率玻璃（約1.9）。在光波導結構中，基底折射率直接決定視場角上限，傳統玻璃經三層堆疊后視場角僅約40度，而單層碳化硅鏡片即可實現80度以上視場角。
• 破解彩虹紋難題：彩虹紋源于環境光經AR波導后產生的分光現象，本質是光柵對不同波長光的衍射角度差異導致的色散。高折射率碳化硅可壓縮光在材料中的有效波長，進而縮小光柵周期、增大環境光衍射角度，使其超出人眼可視范圍，從根源上解決彩虹紋問題。
• 延長穩定續航：碳化硅熱導率約490W/m?K，遠高于玻璃（約1W/m?K）及樹脂等傳統材料，可快速傳導光機模塊與計算單元產生的熱量，避免局部高溫導致的性能衰減或器件損壞，支持5000尼特峰值亮度等高規格顯示需求及長時間穩定運行。
• 簡化散熱設計：傳統AR眼鏡依賴鏡腿散熱模塊或主動冷卻系統，增加了設備重量與復雜度。碳化硅的高熱導性可使光波導片集成散熱功能，僅通過被動散熱即可滿足需求；同時其優異散熱性能為提升設備集成度、增加傳感器配置預留了充足空間。

國內產業生態蓄勢待發 三安光電引領適配落地

作為功率半導體領域的成熟材料，碳化硅在AR眼鏡波導片基底應用上仍需全產業鏈協同突破。值得慶幸的是，中國在光學顯示與寬禁帶半導體領域的前瞻布局，為碳化硅規模化應用奠定了堅實基礎：顯示領域，中國已成為全球最大顯示面板生產制造與研發應用中心；寬禁帶半導體領域，器件規模穩步提升，裝備國產化加速推進，襯底及晶圓制造產線建設與產能釋放持續提速。上下游產業的高效適配，正成為碳化硅在AR眼鏡領域規模化應用的核心驅動力。

三安光電全資子公司——寬禁帶半導體供應商湖南三安，已推出性能滿足AR眼鏡制造需求的光學晶片，且產能儲備充足、產量持續爬坡。目前，其6英寸及8英寸光學晶片已通過國際頭部客戶認證并實現小批量出貨，12英寸光學晶片已完成客戶送樣驗證。同時，依托三安光電業界領先的Micro-LED量產能力，湖南三安的SiC襯底可與Micro-LED在AR眼鏡應用中形成解決方案協同，全力推動國產技術規模化落地。

王篤祥坦言，當前碳化硅在AR眼鏡領域廣泛應用的核心制約因素為成本，需通過產業鏈協作與本地化配套破解。"8英寸、12英寸碳化硅晶片分別可切削4副、10副鏡片，當前碳化硅鏡片成本顯著高于玻璃及樹脂材質。未來需通過碳化硅晶體生長、晶圓加工設備及原輔料的國產化，結合大規模生產實現成本大幅下降。"

憑借高折射率與高導熱率特性，碳化硅正成為突破AR眼鏡視場角與散熱瓶頸的關鍵。在此技術革新進程中，三安等國內企業已展現突出優勢：子公司湖南三安不僅實現光學級碳化硅晶片的量產與客戶認證，更依托自主Micro-LED技術推動"碳化硅襯底+Micro-LED"一體化解決方案落地，為產業鏈國產化與規模化提供核心支撐。

展望未來，隨著三安等企業持續推進大尺寸晶片降本與產業鏈協同，碳化硅有望加速AR眼鏡向高性能、輕薄化方向普及，助力中國在下一代人機交互領域搶占全球先機。

儀式現場，湖南三安總經理江協龍先生發表致辭。他表示："此次碳化硅芯片的成功上車，是湖南三安從技術攻堅邁向市場引領的關鍵一步。這一成果充分驗證了我們全產業鏈垂直整合模式在保障產品品質與供應鏈穩定上的顯著優勢。"江協龍強調，未來湖南三安將繼續堅定推進以"車規化、平臺化、高效能、全鏈自主"為核心的發展戰略，致力于為理想汽車這樣的行業領軍企業提供更領先、更可靠的功率半導體解決方案，共同推動新能源汽車產業的技術進步。

理想汽車動力驅動研發副總裁劉強博士對合作成果給予高度評價。他在發言中指出："與三安的合作是理想汽車在核心電驅系統供應鏈上進行前瞻性、深度布局的關鍵環節。湖南三安在第三代半導體技術領域的戰略布局以及其新一代碳化硅芯片所展現出的卓越產品力，為理想汽車純電車型的研發落地和快速迭代提供了堅實的技術支撐。我們期待與湖南三安持續深化合作，共同探索前沿技術應用，攜手推動新能源汽車產業的創新與變革。"

在隨后進行的技術交流環節中，湖南三安技術長許志維博士與理想汽車研發團隊圍繞碳化硅芯片在提升電驅系統效率、優化充電性能以及未來平臺化應用等前沿議題進行了深入研討。雙方技術專家一致認為，基于湖南三安在 8英寸襯底技術、低缺陷密度先進工藝方面的深厚積累，將為理想汽車高壓平臺車型的持續開發與性能升級提供強有力的核心芯片支持。為紀念這一具有里程碑意義的時刻，湖南三安向理想汽車贈送了象征其先進技術水平的8英寸SiC MOSFET芯片成品。這份特殊的禮物，不僅體現了湖南三安在寬禁帶半導體材料與芯片設計制造領域的領先實力，也寄托了對雙方未來合作邁向更廣闊領域、更高水平的誠摯祝愿與堅定信心。

隨著雙方管理層及技術專家團隊合影留念，并展開更深入的戰略洽談，本次上車儀式圓滿落幕。以此為全新起點，湖南三安表示將堅定不移地朝著"成為知名半導體研發、制造與服務平臺"的愿景邁進。在未來三至五年，公司將持續加大在車規級 SiC MOSFET與GaN（氮化鎵）制造服務平臺領域的研發投入，全力加速8英寸產線的產能爬坡與良率提升，進一步鞏固其在第三代半導體產業中的核心競爭優勢。此次碳化硅芯片的成功"上車"，不僅是湖南三安的一個重要交付里程碑，更象征著雙方攜手共進、共赴"理想"新征程的開端。湖南三安表示，將繼續以技術創新為核心引擎，積極賦能綠色出行，鏈接智慧未來，為全球汽車產業的電動化轉型貢獻堅實的"芯"力量。

全鏈制造平臺：賦能高效能源"芯"動力

三安半導體擁有國內為數不多的SiC全產業鏈制造服務平臺，覆蓋從粉料合成、晶體制備、襯底加工、外延生長到芯片制造的全流程，能夠實現產品迭代、質量管控與交付保障的全方位把控。公司在產能規模和技術水平上具備全球競爭力，能夠穩定保障市場供應。

基于完整的SiC產業鏈，三安半導體推出了面向可再生能源轉換系統的SiC MOSFET功率器件，具備低導通電阻、高阻斷能力和易驅動等優勢，可助力光伏儲能、車載充電、充電樁及電驅動系統實現更高功率密度和更輕量化設計。

三安半導體已形成完備的SiC SBD產品系列，電壓覆蓋650V至2000V，累計出貨超過3億顆。目前產品已迭代至第五代，進一步優化了正向壓降與散熱性能，廣泛應用于光伏、服務器電源、通信及新能源汽車等領域，為客戶系統帶來更高效率和長期可靠性。

展會現場，三安半導體還展示了與理想汽車合作開發的全橋電源模塊，體現了公司在車規級高端功率模塊領域從協同創新到規模化量產的綜合能力。

行業認可：技術創新獲權威獎項

在11月8日的頒獎典禮上，三安半導體憑借"超低損耗高可靠性碳化硅肖特基二極管技術開發及產業化"項目，榮獲中國電源學會科學技術獎-技術創新獎。該獎項是對三安半導體持續技術創新與研發實力的高度認可。

通過此次展會，三安半導體不僅展現了其完整的產品布局與技術實力，也體現了公司作為行業領軍者積極參與全球綠色能源變革的決心。未來，三安半導體將繼續依托SiC全產業鏈制造平臺優勢，與產業鏈伙伴深化合作，共同推動SiC技術在新能源汽車、清潔能源、工業電源等領域的創新應用，為構建更高效、智能、可持續的能源未來貢獻核心"芯"力量。

基于對巨量轉移等核心技術的持續攻關，艾邁譜將先進的顯示理念轉化為實際產品并設立展區，吸引了大量與會嘉賓駐足交流。現場觀眾就產品展開了積極探討，這在一定程度上反映了市場對其技術路線的關注。展會現場，艾邁譜核心展品--高端Micro-MiP顯示箱體P系列P0.9正式亮相。

該產品基于Micro-MiP技術，成功應用了以下兩大關鍵技術：巨量轉移技術，通過工藝優化，該技術轉移良率高達99.99%，精度可達±1μm，為大規模制造奠定了可行性基礎；RDL封裝技術，采用BM工藝在芯片周邊涂覆黑膠，通過RDL工藝拓展電極，并用PV保護線路，將Micro LED芯片、藍寶石和焊盤集成于一體，提升了產品的氣密性和可靠性。

Micro-MiP P0.9顯示箱體的核心價值在于實現了"超高畫質"與"低成本"的有效統一，展現出多方面的綜合優勢。在成本方面，該產品依托高良率的巨量轉移工藝，顯著提升了單位產能，從而有效控制了生產成本；其高可靠性設計也減少了后期維護需求，進一步優化了全生命周期的運營成本。在畫質表現上，刷新率不低于3840Hz，配合1/45秒掃描技術，確保動態畫面流暢無拖影，對比度高達1000000:1，黑場表現純凈，色域覆蓋達到98% DCI-P3以上，通過精準分選與光學調控有效避免了"黃藍線"問題。此外，該箱體具備良好的應用適配性，支持前維護與無縫拼接，兼容多種安裝環境與信號源，可廣泛適用于廣播電視、商業展示、指揮調度等多種高端應用場景。

在艾邁譜的產業布局中，Micro-MiP P0.9顯示箱體，以均衡性能表現和具備競爭力的成本結構，被視為推進Micro LED走向規模化應用的關鍵產品，為高端顯示技術的普及提供了可行的產業化路徑。同時，公司推出的"AM-MiP"燈驅合一技術方案，革新傳統架構，為高端應用領域帶來高集成度和卓越性能，進一步鞏固了其市場地位。這一系列舉措，彰顯了公司在高端顯示技術領域的領先地位和多元化產品矩陣的構建能力。

在本次大會中，艾邁譜全方位展示了在Micro LED領域從核心器件到系統集成的全鏈條技術實力。Micro-MiP P0.9顯示箱體作為當前產業化進程的代表性產品，以其卓越性能和成本優勢引領行業發展，標志著巨量轉移與先進封裝技術在產業化道路上取得了重大突破。展望未來，三安將繼續推動Micro LED技術的全面產業化，為顯示技術路徑的多元化貢獻力量。

近年來，5G與物聯網普及催生車載光通訊技術發展，其傳輸快、抗干擾強、功耗低的優勢，契合汽車高速穩定通信需求。根據行業數據，2025年中國新能源汽車滲透率突破55%，上半年L2級輔助駕駛裝車率82.6%，市場滲透率預計達65%。智能網聯汽車中傳感器數量增加、座艙娛樂向大屏多屏化發展，海量ECU推動EEA架構從分布式向中央域控與區域集中演進。

預計到2026年，L3等級的自動駕駛汽車帶寬需求可能突破20Gbps。傳統銅纜線束在車載高速通信場景下面臨成本高、重量大、敷設難度高、易受電磁干擾等局限，光纖通信方案則以其高帶寬、低時延、輕量化等部署優勢，成為更優選擇。IEEE在2020年發布了802.3ch和802.3cz標準，為"光纖上車"提供了理論支撐。

"光纖上車"為光芯片開辟新應用場景，同時也帶來全新的挑戰。首先，車輛工況溫度-40~125℃遠超消費級芯片規格，高溫易致芯片性能下降、壽命衰減，影響駕駛安全。其次，車內布線緊湊、光模塊與光纖部署有限，對單一設備性能要求更高。另外，行車中的振動、擠壓、污染顆粒會影響傳輸效率，需芯片具備極高可靠性。

在此背景下，三安光通訊通過外延設計與材料工藝創新，推出"超寬溫高速VCSEL"產品，破解傳統光通訊溫度范圍窄、環境要求苛刻的瓶頸制約；將芯片工作溫度大幅度擴展至-55~125℃，同時隨機失效率低至個位數，有效保障其高可靠性，全面滿足IEEE標準，覆蓋車用全溫域需求。這意味著在高溫暴曬、低溫嚴寒等極端工況下，其芯片仍能穩定且可靠的支持高達數十Gbps速率的數據傳輸。

此外，新能源汽車綠色節能趨勢要求芯片多速率兼容、動態調優能效。三安光通訊寬溫VCSEL芯片可支持Ethernet與PON不同光網架構應用，同時支持波長、功率密度等客制化需求定制。搭配其已大批量出貨的自研寬溫PD芯片（-55~125℃）形成"發射-接收"全套方案。該套車規級方案在頭部新能源車企供應鏈送樣驗證中，目前進展順利，預計2026年正式上車。

作為化合物半導體先進平臺，三安光電在車載領域多維度布局，其車規級SiC MOSFET、LED車燈等產品已進入頭部車企供應鏈。三安光通訊依托母公司車規產品開發經驗與客戶資源，及 "外延-芯片"制造垂直整合能力，已同步推出激光雷達專用EEL、窄線寬DFB等產品，形成多場景應用覆蓋的一站式解決方案，這是三安在中國半導體汽車電子領域的重要突破，未來有望立足全球車載光通訊芯片市場，提供核心元器件支撐。

關于三安光通訊

泉州市三安光通訊科技有限公司為上市公司三安光電（SSE：600703）的全資子公司，致力于成為世界級化合物半導體激光器與光電探測器芯片研產銷及代工平臺，提供 GaAs和InP 兩大材料體系產品，支持客制化合作。公司已通過ISO9001國際質量管理體系及IATF16949汽車行業質量管理體系認證，產品兼具質量與價格競爭力，廣泛應用于光通信、消費與工業、車載等領域。

作為國內率先實現碳化硅全產業鏈垂直整合的企業，三安具備從粉料合成到芯片封測的自主可控能力。本次展會還同步展示了針對新能源汽車與工業應用自主研發的評估測試板，助力客戶加速系統驗證與產品上市。

在同期舉辦的ISES China 2025國際半導體高管峰會上，三安半導體工藝技術研發副總顧子琨博士受邀發表主題演講，系統闡述了三安在碳化硅MOSFET技術上的演進路徑與突破，包括產品可靠性提升、導通電阻優化等關鍵進展，展現了三安在寬禁帶半導體領域從材料到芯片的全鏈閉環能力。

雙會聯動，"芯"光熠熠。三安雙線出擊兩大行業盛會，以領先的碳化硅（SiC）與功率半導體解決方案，體現了公司持續推進能源電子產業升級的戰略決心，與行業大咖共同探討技術前沿，攜手引領下一代能源與電子革命！

未來，三安將持續加大寬禁帶半導體創新投入，深化全球合作，推動"中國芯"在高端能源與電子應用中實現更大規模落地，為構建綠色、高效的智慧未來注入三安力量。

市場潛力巨大：從核心部件到應用場景的全產業鏈機遇

根據維深信息wellsenn XR數據，2025年二季度全球AR眼鏡銷量為15.1萬臺，同比增長40%，預計2025年銷量將為85萬臺，同比增長70%。未來，伴隨AI技術的快速發展以及智能眼鏡硬件的不斷升級，AI+AR智能眼鏡將進入高速發展期，2030年全球AI眼鏡出貨量有望增長至8,000萬副。

上游核心部件：顯示領域Micro LED因"高分辨率、低功耗"成為AR眼鏡首選，2025年，多個AR品牌推出了采用Micro LED顯示技術的產品。SiC以其卓越的物理性能，成為AR眼鏡的關鍵材料—電源管理模塊的核心功率器件。

中游設備制造："AI賦能"重構產品價值，當前產品的核心競爭力轉向"AI交互體驗"——通過融合大模型技術，AR眼鏡從"被動顯示工具"升級為"主動智能助手"。

下游應用場景：消費與企業端"雙輪發力"。消費端，"AR+娛樂""AR+生活服務"場景快速落地。企業端，工業、醫療、教育等領域的需求已進入規模化驗證期，主要用于設備巡檢、員工培訓等場景，降本增效效果顯著。

Micro LED：點亮AR眼鏡的未來

Micro LED像素尺寸小、分辨率高，能夠呈現出更加清晰、細膩的圖像，支持更廣的色域覆蓋，使得AR眼鏡能夠呈現出更加豐富、真實的色彩，讓用戶能夠獲得更加震撼的視覺體驗，成為推動顯示技術變革和構建新型顯示產業格局的重要支撐。

SiC：助力AR眼鏡的高性能發展

SiC作為一種新型半導體材料，是"高效供能"的電力核心，不僅解決了續航不足的難題，同時攻克了散熱的技術瓶頸，重新定義了AR眼鏡的"輕、強、久、清"。

超高折射率（2.6–2.7）：較傳統玻璃（1.8–2.0）提升約50%，可支持單層鏡片實現70°–80°超大視場角，鏡片厚度更是降至0.55mm（單片僅2.7g），從根源上減輕重量，徹底消除視覺"彩虹效應"，呈現更純凈畫面。

極致散熱性能：熱導率高達490W/m?K，與銅金屬相當，遠超普通玻璃百倍以上，能迅速導出Micro-LED發熱，保障高亮度光源穩定運行與使用壽命。

卓越耐磨耐久：莫氏硬度高達9.5，僅次于鉆石，抗刮擦性能出色，輕松應對日常使用磨損。

半導體廠商戰略卡位AR眼鏡新賽道

AR技術與人工智能AI的深度融合，AR眼鏡正從專業工具向大眾消費電子市場加速滲透。SiC功率器件提供高效能源管理和光波導鏡片，Micro LED呈現極致圖像顯示，二者的絕佳組合成為AR眼鏡主流創新方案，推動著行業朝著更輕量、更高清、更沉浸的AR體驗新時代大步邁進。

三安光電在Micro LED和SiC兩大核心部件上均有充分布局，將憑借系統性解決方案能力，積極推動AR眼鏡規模化落地與應用。

三安光電在Micro LED領域擁有豐富的研發經驗和先進的生產工藝。公司通過不斷優化芯片結構和制造流程，成功實現了Micro LED芯片的小型化和高效率化，在亮度、對比度、色彩飽和度、響應速度等方面均達到行業先進水平。三安光電的Micro LED產品在AR上的應用正與國內外終端廠商配合方案優化，已從技術驗證邁向小批量驗證階段。

三安光電在SiC領域通過自主研發，已建立起覆蓋襯底、外延、芯片等產業鏈多環節的垂直整合制造平臺。光學晶片在400-700nm可見光波段無吸收峰，光吸收系數達到光學級玻璃水平；光學片表面粗糙度（Ra）小于0.3nm，晶片總厚度變化（TTV）小于1微米；關鍵技術指標均達到AR眼鏡光波導制造要求，面型參數已處于國際前列，光學晶片已通過國內外頭部客戶認證。

人機交互巨擘，誰是王者？

目前，在AR眼鏡上的技術路線尚未完全統一，特別是在光學顯示方案上，LCOS、Micro LED等技術路徑仍在發展和競爭之中。而業內普遍認同，Micro LED代表了顯示技術的巔峰，解決了AR在視覺體驗上的核心痛點；SiC代表了功率電子的未來，解決了AR在能源管理上的瓶頸；Micro LED+SiC的協同，共同攻克了AR眼鏡邁向"全天候、全場景、高性能"消費級產品的"最后一公里"，被業內視為未來技術路徑的"絕佳組合"。

隨著市場競爭加劇，擁有穩定、高效的供應鏈至關重要，這不僅關系到產品的性能和成本，也直接影響產能和交付能力。三安光電以市場獨有的前瞻性布局，同時具備AR眼鏡核心部件Mirco LED和SiC的研發和生產制造能力，在同類廠商中更具完善的產業鏈優勢和良好的交付能力。

當前，AR/AI技術快速迭代，應用場景不斷拓展，各大玩家都在積極探索差異化定位和殺手級應用，通過自身優勢構建生態鏈和供應鏈，人機交互革命愈演愈烈。"百鏡大戰"，誰是王者？讓我們拭目以待。