韓國首爾2025年3月6日 /美通社/ -- 韓國8英寸純晶圓代工廠SK啟方半導體(SK keyfoundry)今天宣布,該公司為其代工廠客戶提供一種新型3D霍爾效應傳感器技術,可通過三維磁場檢測來測量速度和方向。
霍爾效應傳感器是一種利用霍爾效應測量磁場強度的裝置,能夠檢測到當導體或半導體穿過磁場時產生的電壓差。所測量的磁場被應用于那些利用裝置的位置、速度、旋轉、方向和電流的場景中。
SK啟方半導體已經提供了各種采用現有1D(一維)和2D(二維)霍爾效應傳感器的產品,而這款新型3D霍爾效應傳感器將垂直和平面霍爾效應傳感器集成在單個芯片上。它具有比現有2D產品更高的靈敏度,響應速度很快,能實時測量微小的三維方向和速度變化。
SK啟方半導體提供的3D霍爾效應傳感器的另一個重要特性是,通過在現有工藝中添加掩膜,即可輕松集成到客戶產品中。此外,在0.13μm至0.18μm范圍內的多個節點上均可集成3D霍爾效應傳感器,同時保持電氣特性。
這款新型3D霍爾效應傳感器預計將被應用于各種領域,特別是汽車行業的安全駕駛輔助和自動駕駛系統、消費電子行業的智能家電和游戲機,以及工業自動化領域的機器人控制、無人機、虛擬現實、增強現實和可穿戴設備。
SK啟方半導體首席執行官Derek D. Lee表示:"新推出的3D霍爾效應傳感器技術具有高靈敏度和檢測微小三維運動的能力,預計將被用于家電、汽車、機器人和無人機等各個行業的產品設計中。"他接著說:"我們計劃通過持續的技術開放,支持客戶將更加多樣化的功能集成到單個半導體中。"
關于SK啟方半導體
SK啟方半導體總部位于韓國,致力于為半導體公司提供專業的模擬和混合信號代工服務,范圍涵蓋消費、通信、計算、汽車和工業等各個行業。憑借廣泛的技術組合和工藝節點,SK啟方半導體具備足夠的靈活性和能力來滿足全球半導體公司不斷變化的需求。欲了解更多信息,請訪問https://www.skkeyfoundry.com。
]]>SK啟方半導體的HVIC工藝特點在于,它可以在一個工藝中實現5V邏輯、25V高壓器件、650V+ nLDMOS(橫向雙擴散金屬氧化物半導體)以及650V以上自舉二極管,這使得客戶能夠減少外部器件,在單個芯片上設計各種高壓功能。該工藝有望通過確保25V高壓器件和650V nLDMOS器件的高電流性能,來提高客戶產品的競爭力。此外,該工藝還提供非易失性器件、MTP(多次性編程)IP和OTP(一次性編程)IP作為可選功能,使客戶能夠在一種設計中更改各種產品規格。
隨著這一HVIC工藝的開發,SK啟方半導體擴大了其高壓產品陣容,除現有的200V及以下高壓BCD(Bipolar-CMOS-DMOS)工藝產品和帶有厚金屬間電介質(Thick IMD)選項的1500V以上超高壓產品外,新增了650V至1200V范圍內的柵極驅動產品。特別是,該工藝符合汽車質量標準AEC-Q100一級標準,適用于電動汽車的汽車電機驅動器和車載充電器(OBC),并有望將業務擴展到太陽能逆變器等未來需求預計會增加的各種應用領域。
使用HVIC工藝的主要產品包括高壓柵極驅動集成電路(IC),這些IC可接收來自微控制器單元(MCU)的控制信號,并直接驅動高壓金屬氧化物半導體場效應晶體管(MOSFET)或絕緣柵雙極晶體管(IGBT)等柵極,它們被廣泛應用于各種電力產品,包括大型白色家電的電機驅動器、數據服務器的電壓轉換器、汽車電機驅動器和車載充電器,以及工業電機驅動器。
SK啟方半導體首席執行官Derek D. Lee表示:"我們推出HVIC工藝技術意義重大,因為它增強了我們在大型家電和汽車電機市場的競爭力。隨著我們不斷擴大HVIC產品組合,我們將繼續鞏固我們在多個應用領域的技術優勢,包括用于下一代功率半導體高壓器件的柵極驅動IC。"
]]>為提高移動和汽車功率半導體性能提供了解決方案
韓國首爾2024年9月11日 /美通社/ -- 韓國8英寸純晶圓代工廠SK啟方半導體(SK keyfoundry)今天宣布推出其第四代0.18微米BCD工藝,性能較之前的第三代提升了約20%。借此,SK啟方半導體為提高移動和汽車功率半導體性能提供了解決方案。
SK啟方半導體的第四代0.18微米BCD工藝提供高達40V的功率器件,并支持多種功率器件柵極輸入電壓,如3.3V、5V和18V,可應用于多種場景,例如服務器和筆記本電腦PMIC、DDR5內存PMIC、移動充電器、音頻放大器和汽車柵極驅動器等,以滿足客戶需求。此外還提供MTP(可多次編程)/OTP(一次性編程)存儲器、SRAM存儲器等選項,幫助客戶更好地進行產品設計。
SK啟方半導體的第四代0.18微米BCD工藝符合汽車質量標準AEC-Q100 Grade 1,確保集成電路(IC)能在125℃的高溫環境下穩定運行,適用于汽車功率半導體,厚IMD(金屬間介質)選項使得汽車產品設計能夠承受超過15,000V的電壓。
憑借從第三代0.18微米BCD工藝中積攢的量產經驗以及客戶的高度信任,該公司期望第四代0.18微米BCD工藝能夠幫助延長移動設備的電池壽命、通過減少發熱實現穩定的性能,并通過提高汽車用功率半導體的能源效率來改善整體性能。
SK啟方半導體首席執行官Derek D. Lee表示:"我們很高興能夠為客戶提供性能更好的全新第四代0.18微米BCD工藝。SK啟方半導體將繼續加強在功率半導體工藝技術方面的競爭力,并與客戶緊密合作,將業務拓展到未來有望實現高速增長的各種應用領域,例如AI服務器PMIC、DDR5 PMIC、汽車柵極驅動IC等。"
]]>韓國首爾2024年6月19日 /美通社/ -- 韓國8英寸晶圓代工廠SK啟方半導體(SK keyfoundry)今日宣布,已確保新一代功率半導體GaN(氮化鎵)的關鍵器件特性。公司正在加大GaN的開發力度,力爭在年內完成開發工作。
SK啟方半導體持續關注著GaN功率半導體的市場和潛力。為此,公司于2022年成立了一個專職團隊來推動GaN工藝的開發。日前,公司已得到650V GaN HEMT的新器件特性,并計劃在今年年底完成開發工作。
由于650V GaN HEMT具有較高的功率效率,因此與硅基產品相比,可以降低散熱器的成本。也正因如此,與硅基產品相比,終端客戶系統的價格差異較小。該公司預計,硅基650V產品將為快速充電適配器、LED照明、數據中心和ESS以及太陽能微型逆變器等市場的無晶圓廠客戶帶來開發優質產品的優勢。除了爭取新客戶外,SK啟方半導體還計劃積極向對650V GaN HEMT技術感興趣的現有功率半導體工藝客戶推廣該技術。
GaN具有高速開關、低導通電阻等特性,與硅基半導體相比,具備低損耗、高效率和小型化的優越特性,因此被稱為新一代功率半導體。據市場調研公司OMDIA預測,GaN功率半導體市場將以33%的復合年增長率增長,從2023年的5億美元增至2032年的64億美元,主要用于電源、混合動力、電動汽車以及太陽能逆變器。
SK啟方半導體表示,公司計劃以650V GaN HEMT為基礎,打造GaN產品組合,可為GaN HEMT和GaN IC提供多種電壓支持。
SK啟方半導體首席執行官Derek D. Lee表示:"除了具有競爭力的高壓BCD外,我們還在為下一代功率半導體做準備。我們還將擴大功率半導體產品組合,未來除GaN以外,還將開發SiC(碳化硅),以確立我們作為專業功率半導體代工廠的地位。"
]]>加速汽車功率半導體業務轉型
韓國首爾2024年4月25日 /美通社/ -- 韓國8英寸純晶圓代工廠SK啟方半導體(SK keyfoundry)今日宣布,該公司將提供增強型0.13微米BCD工藝,旨在幫助汽車功率無晶圓廠公司設計出高性能的汽車半導體產品。
SK啟方半導體的增強型0.13微米BCD工藝符合AEC-Q100的Grade-0標準,即汽車電子元件可靠性測試標準,并被認定為適用于需承受高達150℃工作環境溫度的高性能、高可靠性汽車半導體產品。同時,該工藝還支持制造高達120V的高壓器件,更實現了15KV以上的絕緣技術,為設計電動汽車的BMS IC、隔離柵極驅動器IC、直流-直流IC以及CAN/LIN收發器IC等高電壓、高可靠性產品提供了可能。此外,由于高電壓BCD工藝還可集成高密度閃存IP,這使其特別適用于需要MCU功能的汽車半導體,比如電機驅動器IC、LED驅動器IC、傳感器控制器IC以及電源傳輸控制器IC。值得一提的是,閃存IP的編程次數高達10萬次,因此客戶可將其廣泛應用于需要反復更改數據的高性能產品。
隨著電動汽車的普及和車載電子設備的不斷增加,汽車功率半導體市場有望繼續保持宏觀擴張的態勢。據市場研究公司OMDIA預計,汽車功率半導體市場將從2023年的208億美元增長到2028年的325億美元,年復合增長率達到9.3%。
SK啟方半導體一直致力于開發適用于汽車半導體的高性能工藝技術,并憑借其卓越的質量控制水平,成功通過了對質量有嚴格要求的全球頂級汽車供應商的汽車零部件生產質量審核,這使SK啟方半導體不僅能夠為客戶提供滿足其需求的代工服務,更確保了其工藝技術在汽車領域的高可靠性。
SK啟方半導體首席執行官李東宰(Derek D. Lee)在談及公司的技術開發工作時表示:"盡管提供汽車功率半導體工藝的代工廠為數不多,但我們一直在不斷改進高性能的汽車高壓BCD工藝。憑借與主要汽車無晶圓廠公司超過十年的量產合作經驗以及我們的量產質量,將大力推廣我們的特色工藝,確保未來在8英寸汽車功率半導體市場奠定堅實的增長基礎。"
]]>韓國首爾2024年1月3日 /美通社/ -- 韓國8英寸純晶圓代工廠啟方半導體(Key Foundry)今日宣布,該公司正式更名為SK啟方半導體(SK keyfoundry)。新名稱已獲股東批準,自2024年1月1日起生效。SK啟方半導體于去年年底在韓國及海外提交了商標注冊申請,現已完成注冊。
SK啟方半導體是一家8英寸代工廠,于2020年9月自美格納半導體獨立,2022年8月成為SK海力士旗下子公司。在被SK海力士收購后,該公司推進了合并后整合及更名事宜,考慮到與現有客戶之間的業務連續性,最終決定使用SK啟方半導體作為其新名稱。SK啟方半導體希望以此次更名為契機,提高在國內外的聲譽,以便大力拓展公司業務。
SK啟方半導體總部位于清州,擁有一家月產能約10萬片的晶圓廠,負責開展代工業務,主要生產模擬混合信號芯片,包括顯示驅動芯片、微控制器和8英寸功率分立器件,適用于小批量多樣化產品生產。尤其值得一提的是,最近,功率IC市場對100V及更高電壓BCD (Bipolar-CMOS-DMOS)的需求不斷增長,以實現高速電力輸送和高功率效率。SK啟方半導體作為高壓BCD工藝的領先代工廠, 我們將全力開拓汽車以及工業用功率半導體市場。此外,為確保功率半導體供應的連續性,公司正在研發下一代功率半導體的材料氮化鎵(GaN),碳化硅(SiC)的研發也在積極評估當中。
同時,SK啟方半導體將2024年定為開始"深度變革"的一年,力求實現創新增長和變革。為此,公司最近進行了內部組織架構重組。最終目標是通過改善在美國和中國的銷售網絡來獲得新客戶,并通過提供差異化鑄造工藝和提高產品質量來實現較高的客戶滿意度。
SK啟方半導體首席執行官李東宰(Derek D. Lee)表示:"此次更名在獲得作為SK集團成員的歸屬感的同時,并推動我們將自身打造成一家快速強大的公司。SK啟方半導體將積極拓展汽車用功率IC市場,努力在8英寸代工市場中取得進一步的發展。"
]]>韓國首爾2023年10月11日 /美通社/ -- 韓國8英寸純晶圓代工廠啟方半導體(Key Foundry)今日宣布,該公司已經與威世集團(Vishay Intertechnology Inc.)(NYSE: VSH)簽署了多款功率MOSFET產品的長期供應協議。
功率MOSFET是在高電壓、大電流的工作狀態下,具備低功耗、高速開關能力和高可靠性的,幾乎可以應用于所有電子設備的典型的功率分立器件。
市場調研公司OMDIA的數據表明,2022年功率分立器件的市場規模為212億美元,預計到2027年將達到284億美元,年復合增長率為6%。威世是全球領先的功率分立器件提供商之一,其功率半導體已廣泛用于汽車DC-DC轉換器、電池管理系統、HVAC(供暖、通風和空調)控制、LED照明以及電視、冰箱、洗衣機和虛擬現實(VR)/增強現實(AR)等消費和工業產品。
啟方半導體和威世簽署了多款功率MOSFET產品的長期代工服務協議,并計劃于2024年開始量產。此外,雙方還開始討論未來的產品開發。
根據這項協議,威世確保了功率MOSFET穩定的代工供應商,而啟方半導體則與汽車功率分立器件的大客戶合作,從長遠來看,這將增加其汽車半導體的銷售份額。
威世總裁兼首席執行官Joel Smejkal表示:"通過這項協議,我們擴大內外產能的計劃又向前邁出了一步。更重要的是,它有助于緩解我們當前的MOSFET供應短缺問題,特別是面向汽車和工業客戶。"在評估代工廠合作伙伴時,我們決定與啟方半導體合作,是源于其代工實力和對客戶需求的積極應對,我們期待通過與啟方半導體的合作來實現協同優勢。"
啟方半導體首席執行官李東宰(Derek D. Lee)表示:"很高興能與汽車功率半導體的領軍者威世合作。啟方半導體將繼續改進工藝技術,加強營銷、質量和生產能力,擴大汽車半導體的供應,并成長為領先的專業代工廠。"
]]>韓國首爾2022年6月9日 /美通社/ -- 韓國唯一一家純晶圓代工公司啟方半導體(Key Foundry)今天宣布,將發布用于低功耗PMIC的0.18微米30V非外延BCD工藝。
BCD是一種將雙極晶體管(Bipolar)、互補金屬氧化物半導體(CMOS)和用于高壓處理的雙擴散金屬氧化物半導體(DMOS)集成在同一個芯片上的工藝技術。它被廣泛應用于功率半導體的制造,與普通半導體相比,功率半導體需要更高的額定電壓和更高的可靠性,隨著功率半導體應用的擴大,對BCD的需求也在不斷增加。
與啟方半導體現有帶EPI外延層的BCD工藝相比,這個新的0.18微米30V非EPI BCD工藝盡管去除了EPI外延層,但仍保持了同等性能。這個新工藝非常適合于與普通半導體相比需要更高電壓,更高可靠性 和更高效率的功率半導體應用。能夠適用于低功耗電源管理如智能手機和智能手表應用的 DC-DC 和充電芯片的生產。
這種新工藝比導通電阻(Rsp)性能與0.18微米EPI BCD工藝相比保持不變。啟方半導體可提供5V至30V之間的各種功率器件選擇。由于該工藝不需要EPI制程,因此提高了工藝效率,通過為5V電源模塊提供5V LDMOS晶體管,實現了高效設計。特別值得一提的是,這個新的非EPI BCD工藝的邏輯器件保持了和現有EPI BCD工藝邏輯器件非常接近的電性能,同時其數據庫(libraries) & IP和目前大規模量產的工藝相兼容。為了提高使用者的便利性,新工藝還提供了MTP(多次編程)和OTP(一次性編程)IP,而不需要任何額外的工藝步驟。得益于這些優點,該工藝適用于需要存儲功能的功率半導體,也可以用于其它多種類型的應用,如移動直流-直流IC和充電器IC。
從工藝開發的最早階段開始,啟方半導體就與無晶圓廠功率半導體設計客戶密切溝通,以反映市場對工藝結構的需求。啟方半導體通過開發出容易使用的版圖選項和設計工具包,加強了用戶的使用便利性。特別是,與現有產品相比,客戶能夠實現簡化流程提高產品性能。同時這個新工藝滿足了汽車電子國際可靠性規范AEC Q100的Grade-1要求,所以不僅適用于移動設備,而且還可以用于汽車功率半導體,如馬達驅動IC和直流-直流IC等。
啟方半導體首席執行官李泰鐘(Tae Jong Lee)博士表示:"隨著功率半導體市場的快速增長,對高度可靠又更精簡的BCD工藝的需求正在增加。我們將繼續改進工藝技術,提供最優化的BCD工藝,滿足功率半導體設計公司的需求。"
]]>韓國首爾2022年2月28日 /美通社/ -- 韓國唯一一家純晶圓代工廠啟方半導體(Key Foundry)今天宣布其0.18微米高壓BCD(雙極-CMOS-DMOS)工藝已經開始量產。
BCD是一種單片集成工藝技術,它將用于模擬信號控制的雙極器件、用于數字信號控制的CMOS和用于高壓處理的DMOS同時制作在同一個芯片上。這種工藝適用于各種功率半導體產品,具有高電壓、高可靠性、低電子干擾等優點。近年來,隨著電子設備系統尺寸的縮小和功率效率的提高變得越來越重要,對合適的功率半導體的需求也越來越大,因此對BCD的需求也在增加。
啟方半導體為工作電壓在8V至150V之間的功率器件提供0.18微米BCD工藝。特別是100V或150V級別的高壓功率器件,這些器件適合用來提高智能手機或筆記本電腦中電池充電IC的性能。以使用USB-C型連接器的電池充電為例,使用之前60V BCD工藝設計的充電器IC的充電功率最高可以為100瓦,但如果使用的是150V BCD工藝,充電功率則可以增加到240瓦。這些高壓器件還可用來設計大功率工業電機的驅動IC。啟方半導體計劃在下半年繼續完善其高壓器件技術,以提供適用于通信和工業設備大功率電壓轉換器IC的200V級別的高壓器件。
啟方半導體0.18微米150V BCD工藝提供低導通電阻器件,以幫助其無晶圓廠客戶在提高電源效率的同時縮小芯片的尺寸。對于電源供電控制和輸出微調,啟方半導體還提供可選的存儲器件,比如SRAM(靜態隨機存取存儲器)、ROM(只讀存儲器)、MTP(多次可編程存儲器)和OTP(一次性可編程存儲器)。該公司還為客戶提供電機精密控制所需的霍爾傳感器器件,幫助他們實現高性能電機驅動IC的設計。
啟方半導體支持無晶圓廠客戶使用該BCD工藝開發并量產適用于智能手機、筆記本電腦和許多家用電器的快速充電器IC、交流-直流IC、直流-直流IC、電機驅動IC和以太網供電(PoE)IC。此外,該BCD工藝還符合國際汽車電子零部件可靠性測試標準AEC-Q100的Grade-0規范,可用于汽車電機驅動IC、直流-直流IC和LED驅動IC。
啟方半導體首席執行官李泰鐘(Tae Jong Lee)博士表示:“近年來為了實現高速電源傳輸和高功率效率,功率半導體市場對100V或更高電壓BCD工藝的需求正在加大。特別是,由于很少有代工廠使用傳統體硅襯底硅片提供100V或更高電壓BCD工藝,因此不再使用SOI襯底的0.18微米150V BCD工藝的量產有著重要的意義。啟方半導體將繼續開發工藝技術,以滿足功率半導體設計公司的需求。”
]]>韓國首爾2021年9月14日 /美通社/ -- 由于新冠肺炎疫情的暴發,企業越來越意識到自己所承擔的環境和社會責任的重要性,特別是,環境、社會和治理(ESG)理念變得至關重要。
啟方半導體(Key Foundry)是韓國唯一的純晶圓代工廠。該公司今天宣布將加強ESG活動,更全面地開展活動,并展示管理層的決心,較之前主要關注環境、安全和健康的ESH項目做出更大的社會貢獻。
支持半導體供應,應對醫療應用市場因新冠肺炎疫情而日益擴大的需求
盡管自新冠肺炎疫情暴發以來,對醫療應用半導體的需求有所增加,但由于半導體代工廠的供應受到限制,醫療應用供應商正在努力爭取采購必要的半導體芯片。功率半導體的需求非常高,呼吸機供應可能對能否從病毒感染中挽救生命發揮關鍵作用。通過提供0.18微米NVM(非易失性內存)工藝, 啟方半導體積極應對了自疫情暴發以來日益擴大的體溫計需求,并持續支持熱像儀讀出集成電路(ROIC)和制氧機源極驅動器集成電路的生產。最近,一位因半導體短缺而嚴重擔心生產中斷的終端客戶對啟方半導體采用BCD (Bipolar-CMOS-DMOS)工藝及時支持呼吸機DC-DC轉換器供應的行為表示了感謝。
努力減少溫室氣體排放
為了滿足最近對8英寸晶圓日益增長的需求, 啟方半導體正在加大努力,提高利用率和擴大產能。預測到高度利用的晶圓廠將會使用更多氣體(SF6、PFC、HFC等)用于半導體生產,以及不斷拓展的設施和基礎設施將排放更多的溫室氣體,啟方半導體在早期獲得了碳排放津貼和信貸,并制定了一項排放計劃,以實現更低碳排放的環境。其中一個重點方面是減少PFC(全氟碳化合物),這是全球半導體公司正在努力實現的目標。該公司已經使用全球變暖可能性較小的C2F6(六氟乙烷)取代了C3F8(八氟丙烷)(半導體制造使用的一種溫室氣體),并通過回收當地焚化爐的廢熱(蒸汽)將液化天然氣使用量從7000標準立方千米減少到800標準立方千米。此外,去年通過在使用PFC的設備中安裝等離子洗滌器,將PFC使用量減少了8萬噸,并將繼續進行投資,以每年減少15萬噸PFC為目標。
水、廢棄物和能源管理改進以及其他綠色活動
半導體制造工藝不可避免地需要使用高度精煉的DI(去離子)水來清潔晶圓和提高生產力。每一個工藝步驟前后,啟方半導體回收57%的晶圓清洗水。此外,該公司還利用回收公司的服務處理設施內產生的90%以上的廢棄物,并將繼續提高廢棄物回收率。為了降低能耗,該公司于2016年與Ministry of Trade, Industry, and Energy of Korea(韓國貿易,工業,能源部)簽署了一項節能協議,并一直在制定新的節能計劃,并依次實施。
啟方半導體首席執行官李泰鐘博士(Tae Jong Lee)表示:“現在是時候呼吁企業承擔更大的社會和環境責任了,我們正在探索各種方式來啟動ESG行動。ESG理念是我們運營原則的核心,我們將繼續在這一領域開展活動。”
]]>韓國首爾2021年8月11日 /美通社/ -- 韓國唯一一家純晶圓代工公司啟方半導體(Key Foundry)今天宣布,公司已開發出一款以客戶為導向的半導體設計支持工具PDK Version E(增強版工藝設計工具包),并開始向無晶圓廠芯片設計半導體公司提供該服務。
PDK是由晶圓代工公司提供的半導體制造工藝相關數據庫。借助該數據庫,客戶能夠根據晶圓代工服務提供商的制造工藝和設備特性創建各種設計。
PDK最近已成為衡量晶圓代工服務提供商的技術實力的關鍵指標。通過使用定義明確的PDK,半導體芯片設計公司可以降低半導體制造過程中可能出現的風險,并縮短開發周期。
啟方半導體提供的PDK支持新思科技(Synopsys)、鍇登電子(Cadence)、西門子(Siemens)等主要芯片設計工具公司的環境,從而為客戶設計提供支持。PDK version E是通過添加PDK設置環境(PDK Organizer)和門級PCell(GCELL)用以提高客戶設計的便利性。
PDK設置環境有助于客戶構建適合其產品設計的用戶環境,并支持整套PDK工具包的客制化,而現有方案僅支持PDK工具包中部分工具的客制化。此外,作為晶圓代工行業引入的首項特色功能,GCELL支持包括基本單元器件組合的功能單元,從而提高設計的便利性并縮短設計周期,而傳統方案只支持制造工藝中提供的獨立基本單元器件。
啟方半導體已將PDK Version E已經應用于其所有BCD(Bipolar-CMOS-DMOS)工藝,并且還在不斷將其應用范圍擴展到混合信號、嵌入式閃存和高壓工藝。尤其是市場需求一直在增長的BCD工藝,啟方半導體預計將推出更多更新版PDK Version E以包含和以前相比更多,更能精確反映真實硅器件特性的仿真模型,借此擴大客戶群。
在啟方半導體近期開展的客戶滿意度調查中,大多數使用了PDK Version E的客戶都給出了積極的反饋,他們認為這是一款非常有用的工具包,并打算在未來的設計中繼續使用該工具包。分析認為,該工具包之所以在這項調查中獲得積極的反饋,主要是因為它可用于輕松定制設計環境,并且具有卓越的設計和布局便利性。
啟方半導體首席執行官李泰鐘(Tae Jong Lee)博士表示:“啟方半導體多年來一直致力于開發和驗證工作,以增強對我們的半導體設計公司客戶的設計支持。我們將繼續努力,通過改進PDK來提升我們的晶圓代工服務,并提高我們的工藝技術的競爭力。”
]]>韓國首爾2021年6月16日 /美通社/ -- 韓國唯一一家純晶圓代工公司啟方半導體(Key Foundry)宣布,該公司為ABOV Semiconductor提供適用于汽車功率半導體的第二代0.13微米嵌入式閃存BCD工藝。
韓國唯一一家純晶圓代工公司啟方半導體(Key Foundry)宣布,該公司為ABOV Semiconductor提供適用于汽車功率半導體應用的第二代0.13微米嵌入式閃存BCD工藝。
功率半導體是一種為電視、燈、筆記本電腦和智能手機等各種應用轉換、分配和控制電源供應的半導體器件。第四次工業革命涌現的產品,如人工智能,物聯網和自動駕駛汽車需要多個功率部件,因此功率半導體的重要性和需求正在迅速增長。為了生產適用于第四次工業革命產品的功率半導體,能夠在單個芯片中實現模擬控制Bipolar器件、數字控制CMOS器件和高功率管理DMOS器件的BCD工藝是不可或缺的。
啟方半導體擁有自主研發的BCD工藝,可生產各種功率半導體,從40 V及以下的低壓產品到200 V的高壓產品。得益于啟方半導體不懈的研發努力,該公司的BCD工藝具有同類最佳的高擊穿電壓(BV)、低導通電阻(RON)、小開關損耗等工藝特性。此外,啟方半導體自主研發的DTI(深槽隔離)工藝,減少了高壓產品中的干擾,從而提高了產品的整體性能,得到了積極的市場反饋。第二代0.13微米嵌入式閃存BCD工藝提供了高度集成的1.5 V邏輯電路,8-40 V LDMOS功率管和64K byte嵌入式閃存。而且,所有器件均符合國際汽車電子器件可靠性標準AEC-Q100 1級標準。
ABOV已經使用啟方半導體的第二代0.13微米嵌入式閃存BCD工藝開發了一款UFC(通用快速充電器)MCU。這款超快速充電器MCU具有電源LDMOS和高度集成的嵌入式閃存,支持USB PD3.0和傳統的高速充電。隨著此次采用啟方半導體第二代0.13微米嵌入式閃存BCD工藝的首款汽車產品的成功推出,啟方半導體預計該工藝的應用可以擴大到各種汽車功率半導體的生產,包括馬達驅動IC、BMS(電池管理系統)、直流-直流IC和無線充電IC。
ABOV首席執行官Won Choi表示:“使用啟方半導體的0.13微米嵌入式閃存BCD工藝的首款汽車產品上市對我們來說意義重大。與我們的主要產品系列之一家電微控制單元(MCU)一起,我們今年將全面推廣汽車MCU。預計從中長期來看,我們在外國公司占傳統主導地位的汽車MCU市場的份額將增長,并將通過我們與啟方半導體的持續合作加速通用汽車MCU的發展。”
啟方半導體首席執行官李泰鐘博士(Tae Jong Lee)表示:“我們很高興在這個快速增長的汽車半導體市場上ABOV上市首款使用我們第二代0.13微米嵌入式閃存BCD工藝的汽車半導體產品。我們將繼續提供支持多樣化產品設計的代工服務,我們計劃提高汽車半導體在我們產品組合中的份額。”
]]>韓國首爾2021年4月6日 /美通社/ -- 韓國唯一一家純晶圓代工公司啟方半導體(Key Foundry) 今天宣布,該公司已成功開發出面向汽車半導體應用的第二代0.13微米嵌入式閃存工藝,年內就將全面投入量產。
啟方半導體的一家韓國客戶率先將這項新工藝應用到交通收費應答器的MCU產品上。啟方半導體自行設計的128Kbyte eFlash IP已嵌入這款通過產品級別測試的產品,今年啟動全面量產。這是第一款采用啟方半導體嵌入式閃存工藝的汽車應用產品。據該公司預計,該產品的成功開發將有助于把這項技術的應用范圍擴展到觸控IC、無線充電IC和其他各種汽車產品。
與第一代工藝相比,第二代技術在可靠性和成本競爭力上均有明顯提升,預計將廣泛應用于包括MCU、觸控和自動對焦在內的各種消費類應用。此外,在與BCD工藝(雙極型-互補金屬氧化物半導體-雙擴散金屬氧化物半導體工藝)相集成后,為各類電源產品帶來了合適的解決方案,例如USB Type-C PD(USB C型電源通信協議)、電機驅動IC或無線充電IC等。第二代技術的應用場景有望進一步擴大到具有超低漏電工藝選項的低功耗物聯網產品。
繼0.13微米的第一代和第二代技術之后,啟方半導體目前正在開發0.11微米嵌入式閃存工藝。為了滿足客戶日益追求更高存儲密度的需求,該公司打算大幅縮小閃存單元的尺寸,打造出存儲密度高達4Mbits的閃存IP。
啟方半導體首席執行官李泰鐘博士(Tae Jong Lee)表示:“首款使用第二代0.13微米嵌入式閃存技術的產品已經開發完成,即將投入量產。我們將充分利用我們積累的技術優勢來提供高度可靠且具有成本競爭力的代工服務,并繼續提高汽車半導體在我們產品組合中的比例。”
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