儀式上，浙江麗水中欣晶圓半導體科技有限公司總經理郭建岳首先向參加儀式的各界來賓介紹了項目概況：浙江麗水中欣晶圓半導體科技有限公司由杭州中欣晶圓半導體股份有限公司與浙江麗水國資相關投資公司聯合設立。項目總投資40億元，占地 139 畝，新建廠房建筑面積11萬平方米，包括生產廠房，動力廠房，氣體站，輔助用房等。首期所需投資額30億元將建設年產120萬片8英寸、年產240萬片12英寸硅外延片。

儀式致辭環節，日本磁性技術控股股份有限公司代表取締役社長、FerroTec（中國）集團董事局主席、杭州中欣晶圓半導體股份有限公司董事長賀賢漢，麗水市政府常務副市長杜興林先后上臺發言。賀賢漢董事長首先對外延項目的開工建設表示衷心的祝賀，指示項目建設需以節能環保、自動化產線為實施要點，期待項目建設落成后成為國內首屈一指的硅外延片生產基地。杜市長則對中欣晶圓的規模實力、配套能力表示了充分的肯定和殷切的期許。他表示麗水市的經濟跨越式發展需要各級、各部門的共同努力，更離不開各大企業的“落戶”發展，各界凝心聚力、真抓實干才能切實開創企業自身及地方經濟共同發展的“雙贏”局面！

現場伴隨著麗水市人大常委會主任李鋒的一聲口令，浙江麗水中欣晶圓半導體科技有限公司外延項目建設工程正式開工！項目預計將于2022年11月竣工，2023年可實現投產運營。

在全球缺芯的大背景下，浙江麗水中欣晶圓半導體科技有限公司外延項目的建設將打破國外對我國半導體大硅片市場長期壟斷的局面，助力浙江成為集成電路核心材料新高地，對國內半導體行業的發展具有重要意義！

中欣晶圓投料晶棒研發團隊相關人員表示：此次“超重”晶棒的拉制成功對企業具有里程碑式的意義，其優勢在于：

一、實現工藝提升

在晶棒拉制過程中，投料越多對工藝、單晶爐臺控制精度都會有更高的要求。由于32寸石英坩堝一次性最多能裝340公斤的多晶硅料，所以投料量增加至450公斤必須要采用二次投料技術來實現。自中欣晶圓12寸450公斤投料晶棒研發項目成立以來，研發團隊在前期8寸二次投料基礎之上，根據12寸單晶爐結構設計配套使用二次投料工裝。順利完成所有部件組裝后，研發小組在空爐情況下進行試用，并最終成功實現連續2根12寸450公斤投料晶棒的拉制，帶動工藝提升。未來中欣晶圓12寸450公斤投料晶棒將會形成標準化量產。

二、有效提升產量和良率

大質量晶棒的拉制成功使得中欣晶圓月產量得以提升，與此同時，大質量晶棒長度增加提升了單根晶棒的可利用率，有助于提升12寸硅片的良率和穩定性。

三、實現降本增效

大質量晶棒在直徑相同的情況之下，意味著長度的增加，頭料和尾料相應減少，從而能夠提升晶棒的可利用率，實現降低成本增加效益；另一方面投料量增加，使用同樣坩堝及輔材增加產出，節省坩堝和輔材使用量，降低成本。 

中欣晶圓擁有國內先進的半導體硅片生產線，是國內極少數能量產12英寸大硅片的半導體材料企業，目前具有6英寸及以下40萬片/月、8英寸45萬片/月、12英寸10萬片/月的產能，將在2022年12英寸擁有20萬片/月生產能力，產品為拋光片(重摻/輕摻/Cop-free)和外延片，主要用于邏輯芯片（Logic）、閃存芯片（3D NAND & Nor Flash）、動態隨機存儲芯片（DRAM）、圖像傳感器（CIS）、顯示驅動芯片（Display Driver IC）等。中欣晶圓苦心專研技術，已在12英寸重摻砷低電阻率2.3—3毫歐、重摻紅磷低電阻率1.3毫歐上取得突破，達到國內外先進水平，并開始向國內外客戶供應正片。

在國產替代的大背景下，中欣晶圓堅持面向國家半導體行業的重大戰略需求，以發展中國半導體材料為己任，在技術上勇于突破，為大硅片國產化做出應有的貢獻。

中欣晶圓擁有國內一流的生產線，是國內極少數能量產12英寸大硅片的半導體材料企業，中欣晶圓目前具有6英寸及以下40萬片/月、8英寸45萬片/月、12英寸10萬片/月產能，在2022年12英寸將擁有20萬片/月生產能力，產品為拋光片（重摻/輕摻/Cop-free）和外延片，主要用于邏輯芯片（Logic）、閃存芯片（3D NAND & Nor Flash）、動態隨機存儲芯片（DRAM）、圖像傳感器（CIS）、顯示驅動芯片（Display Driver IC）等。中欣晶圓苦心鉆研技術，已在12英寸重摻砷低電阻率2.3-3毫歐、重摻紅磷低電阻率1.3毫歐上取得突破，達到國內、國際先進水平，并開始向國內外廠家供應正片。

今后中欣晶圓將秉承“勤勉、立志、開拓、創優”的經營理念，在董事長賀賢漢倡導“自信、尊嚴、責任、情懷、使命”的企業文化精神引領下，以發展中國半導體材料為己任，在技術上勇于突破，為大硅片國產化做出應有的貢獻，再創佳績。

“今年的人流比去年要多不少，開展前取消需要攜帶7日內核酸檢測報告的入場規定，應該還是能讓不少業內人士臨時決定過來參觀。”中欣的駐站人員在客戶來訪的間隙，和同事閑聊到。中欣的展臺前，不停地有觀眾駐足詢問關于產品種類、產能和產地方面問題，也有不少新的晶圓廠采購人員前來詢問中欣目前的客戶群，以便進行初步的供應商評估。

除了常規的N1-N5主展區以外，今年的Semi展還增設了E7館和戶外的展棚，展商的規模空前，這也從側面印證了中國目前半導體行業的蓬勃發展，上下游產業鏈各個環節的國產化替代方案在不斷涌現。所以主辦方也順理成章的在E7館搭建了一個特別的新技術舞臺，包括中欣晶圓在內的11家公司在這里發布了自己的新技術和新產品。

“國產存儲器件的市場地位將會愈發的重要。”中欣總經理郭建岳在演講中提到，以長江存儲為代表的國產存儲器件，正在縮小和3家國際巨頭之間的技術差距，與此同時，國際巨頭也在加速擴張在中國的存儲器件產線，例如三星在西安的二期二階段擴產項目也已經在穩步推進當中。巨頭的擴產和國產存儲器件的崛起是以快速增長的云端存儲需求為背景的，但需求的增長遠快于廠商的產能擴張，所以和其他的器件一樣，存儲器件也面臨著嚴重的缺貨，和不斷調高的出貨價，漲幅已經接近15%。作為存儲器件的基石，12英寸硅片的重要地位不言而喻，中欣晶圓也正是在觀察到了這樣的趨勢后，將12寸擴產的規劃正式提上日程，將在現有3萬片每月的基礎上，繼續拓展7萬片每月的產能，以期在年底達到每月10萬片的規模。但10萬片只是中欣的階段性目標，明年，中欣將會繼續積極的尋求產能拓展，最終形成20萬甚至是30萬每月的12英寸產能。

但存儲器件對于硅片的要求不僅在于尺寸，對于某些種類的存儲器件來說，其實8英寸的硅片也一樣可以使用，但對硅片的品質則會提出完全不同于普通器件的要求，而這樣的要求很多時候是針對COP指標，也就是氧氣顆粒大小和個數。一般而言存儲器件都會要求使用COP-Free的硅片。而對于8英寸硅片來說要做到COP Free，一般有2種方式，第一種是在拉晶過程中直接抑制COP的產生，另一種會在后道工藝中使用退火的方式來形成硅片表層的COP-Free區域，兩種方式各有千秋，所能應對的器件種類也不盡相同。但無疑都給國內的存儲器件廠商提供了一種相對于12英寸COP-Free硅片來說更底成本的解決方案。而中欣晶圓也是國產硅片供應商中，為數不多的能夠同時提供2種不同工藝8英寸COP-Free硅片的廠商，尤其是8寸退火片的開發成功，對中欣來說有著非常重要的戰略意義，對國產硅片、下游的國產晶圓廠商來說也意義重大。因為這將是一款甜品級的國產替代產品，高品質但又成本可控。

“除了存儲器件以外，中高端5G手機的出貨量也在今年強勢反彈。”郭建岳總經理繼續介紹到。在剛過去的2021年2月，國內市場的手機出貨量同比增長接近241%，雖然去年同期受到疫情的沖擊影響，但是這樣的反彈勢頭也預示著消費類電子市場已經全面復蘇。隨之而來的是CMOS模塊的成倍增長，因為越來越多的中高端手機將會配備2-3個鏡頭，而每個鏡頭背后都藏著一顆不同尺寸和規格的CIS芯片。以索尼和三星為代表的CIS巨頭正在加緊生產以應對爆發式的需求增長。而在硅片層面，同質外延片則是CIS芯片的關鍵原材料，隨著中欣晶圓正式下線符合CIS需求的P型同質外延片，能夠根據客戶需求調節厚度和電阻的國產外延產品替代方案已經正式推向市場，相信可以成為國內CIS芯片廠商的成長之路上的堅實伙伴。

由5G中高端手機需求帶來爆發式增長的不僅有CIS芯片，還有電源管理芯片的成倍增長，原先每部4G手機上的PMIC芯片需求量只有一顆，而5G則增加到了3顆左右，使得本就捉襟見肘的全球8英寸PMIC產能更加緊缺。而用于此類芯片的重摻8英寸硅片的供應量也并不充足，中欣晶圓也正是注意到了這點，超低電阻的重摻砷和紅磷的8英寸硅片已經在今年一季度正式下線，而更低電阻的超重摻產品也已經蓄勢待發。

在國產替代的大背景下，中欣晶圓正在加速布局，不論是產能還是產品種類，中欣憑借多年的硅片生產經驗，正在快速補齊國產硅片的各類技術短板。同時為了應對全球芯片緊缺的市場環境，中欣也在積極的調配自身的現有產能，從而最大限度地滿足客戶對各種尺寸的硅片需求，不論是8寸還是12寸，亦或是4-6寸，中欣正全力保障客戶的晶圓生產。相信在產能和技術都不斷提升的雙重助力下，中欣可以幫助國內的客戶更加平穩地渡過這段半導體行業并不平靜的特殊時期。