SAMSUNG SEMICONDUCTOR zh_CN PRN Asia 三星半導體亮相第七屆進博會 2024-11-06 11:56:00 三星半導體進博會展臺(上海國家會展中心4.1H展廳) 三星車載應用區 – 革新未來出行 隨著自動駕駛和車聯網的發展,汽車行業對存儲器的需求與日俱增,對駕駛員監控系統(DMS)與乘客監控系統(OMS)的要求也更為嚴格。三星電子響應這一趨勢,研發出了小封裝的車載 LPDDR5X(561F)以及性能卓越的車載SSD AM9C1,為車載人工智能應用提供創新解決方案。三星ISOCELL Vizion 931全局快門圖像傳感器,專為快速移動設計,能以180fps的速度實現全分辨率捕獲和VGA視頻流,適用于復雜多變的駕駛環境,大幅提高汽車的安全性和智能化水平。在三星展臺的模擬數字座艙區域,參觀人員可以親身體驗三星艙內攝像頭解決方案的絕妙之處,感受其在提升駕駛安全性和智能化水平方面的潛力。 三星半導體車載,AI展示區 三星人工智能區 – 人工智能聚合未來 人工智能的發展需要大量的數據來進行訓練和學習,為滿足該行業呈指數級增長的數據量需求,三星半導體此次帶來了面向高性能計算(HPC)和人工智能平臺的新一代人工智能芯片——HBM3E?12H,其能效較上一代產品提升了12%。此外,參展的還有專為大量實時數據服務的DDR5,能靈活擴展存儲器性能的CMM-D,開創了大容量數據存儲的新紀元的PM9D3a,以及專為人工智能和圖形密集型工作負載而生的24Gb GDDR7,為人工智能發展提供算力、存儲和能耗方面的有力支撐。 三星移動終端區 – 點亮每日精彩 移動電子產品的發展對數據傳輸的速度以及圖像捕捉的及時性、保真性提出了更高的要求。存儲器方面,三星半導體展出了速度高達10.7Gbps的LPDDR5X以及存算一體化的LPDDR5X-PIM,為客戶帶來低功耗,高性能的端側AI解決方案。圖像傳感器方面,三星的未來技術ISOCELL Zoom Anyplace(畫中畫技術)采用人工智能追蹤技術,能以高達4K的高分辨率同時拍攝全場景和特寫區域,通過展臺的高山景觀裝置,參觀人員可以一窺三星ISOCELL Zoom Anyplace的卓越性能。同時展出的還有ISOCELL HP9——三星首款長焦相機圖像傳感器。ISOCELL HP9具有2億像素,采用E2E人工智能Remosaic(像素重塑)技術,帶來更智能、更快速的圖像捕捉體驗。三星在移動電子方面的創新顯著提升了用戶的拍攝體驗感和使用流暢度。 三星半導體移動終端展示區 三星晶圓工藝區 – 驅動人工智能革新 傳統芯片的架構設計注重通用性和穩定性,而人工智能芯片的架構更注計算精度和處理速度。三星半導體秉持銳意創新的精神,不斷實現工藝突破,與人工智能的革新形成相與之勢。此次展出的X-Cube作為采用混合銅鍵合技術的3D芯片堆疊解決方案,大幅降低了芯片結構的風險;而I-Cube作為水平多芯片集成平臺,是三星面向HPC和人工智能應用研發的技術利器。三星的創新工藝從靈活性、集成度、穩定性等方面有力地推動了人工智能在性能、能效方面的顯著進步。 相信此次進博會能夠促進三星與中國市場的合作交流,為全球科技進步助力。讓我們一起見證更多精彩,攜手開啟科技新時代。 ]]> 展出創新解決方案助推車載、AI、移動技術革新浪潮

深圳2024年11月6日 /美通社/ -- 2024年11月5日至11月10日,第七屆中國國際進口博覽會(以下簡稱"進博會")在上海國家會展中心盛大開幕。本屆進博會秉承"新時代,共享未來"的主題,迎來上百國家的數千優秀龍頭企業參展。今年是三星連續參展的第七年,在本次進博會上,三星半導體全面展示面向智能汽車、消費電子、人工智能等應用的創新半導體技術,助力更多合作伙伴掌握先進技術。

三星半導體進博會展臺(上海國家會展中心4.1H展廳)
三星半導體進博會展臺(上海國家會展中心4.1H展廳)

三星車載應用區 – 革新未來出行

隨著自動駕駛和車聯網的發展,汽車行業對存儲器的需求與日俱增,對駕駛員監控系統(DMS)與乘客監控系統(OMS)的要求也更為嚴格。三星電子響應這一趨勢,研發出了小封裝的車載 LPDDR5X(561F)以及性能卓越的車載SSD AM9C1,為車載人工智能應用提供創新解決方案。三星ISOCELL Vizion 931全局快門圖像傳感器,專為快速移動設計,能以180fps的速度實現全分辨率捕獲和VGA視頻流,適用于復雜多變的駕駛環境,大幅提高汽車的安全性和智能化水平。在三星展臺的模擬數字座艙區域,參觀人員可以親身體驗三星艙內攝像頭解決方案的絕妙之處,感受其在提升駕駛安全性和智能化水平方面的潛力。

三星半導體車載,AI展示區
三星半導體車載,AI展示區

三星人工智能區 – 人工智能聚合未來

人工智能的發展需要大量的數據來進行訓練和學習,為滿足該行業呈指數級增長的數據量需求,三星半導體此次帶來了面向高性能計算(HPC)和人工智能平臺的新一代人工智能芯片——HBM3E 12H,其能效較上一代產品提升了12%。此外,參展的還有專為大量實時數據服務的DDR5,能靈活擴展存儲器性能的CMM-D,開創了大容量數據存儲的新紀元的PM9D3a,以及專為人工智能和圖形密集型工作負載而生的24Gb GDDR7,為人工智能發展提供算力、存儲和能耗方面的有力支撐。

三星移動終端區 – 點亮每日精彩

移動電子產品的發展對數據傳輸的速度以及圖像捕捉的及時性、保真性提出了更高的要求。存儲器方面,三星半導體展出了速度高達10.7Gbps的LPDDR5X以及存算一體化的LPDDR5X-PIM,為客戶帶來低功耗,高性能的端側AI解決方案。圖像傳感器方面,三星的未來技術ISOCELL Zoom Anyplace(畫中畫技術)采用人工智能追蹤技術,能以高達4K的高分辨率同時拍攝全場景和特寫區域,通過展臺的高山景觀裝置,參觀人員可以一窺三星ISOCELL Zoom Anyplace的卓越性能。同時展出的還有ISOCELL HP9——三星首款長焦相機圖像傳感器。ISOCELL HP9具有2億像素,采用E2E人工智能Remosaic(像素重塑)技術,帶來更智能、更快速的圖像捕捉體驗。三星在移動電子方面的創新顯著提升了用戶的拍攝體驗感和使用流暢度。

三星半導體移動終端展示區
三星半導體移動終端展示區

三星晶圓工藝區 – 驅動人工智能革新

傳統芯片的架構設計注重通用性和穩定性,而人工智能芯片的架構更注計算精度和處理速度。三星半導體秉持銳意創新的精神,不斷實現工藝突破,與人工智能的革新形成相與之勢。此次展出的X-Cube作為采用混合銅鍵合技術的3D芯片堆疊解決方案,大幅降低了芯片結構的風險;而I-Cube作為水平多芯片集成平臺,是三星面向HPC和人工智能應用研發的技術利器。三星的創新工藝從靈活性、集成度、穩定性等方面有力地推動了人工智能在性能、能效方面的顯著進步。

相信此次進博會能夠促進三星與中國市場的合作交流,為全球科技進步助力。讓我們一起見證更多精彩,攜手開啟科技新時代。

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三星開發出其首款24Gb GDDR7 DRAM,助力下一代人工智能計算 2024-10-17 07:00:00 三星半導體24Gb GDDR7 DRAM 憑借高容量和卓越性能,24Gb GDDR7將廣泛應用于需要高性能存儲解決方案的各個領域,例如數據中心和人工智能工作站,這將進一步擴展圖形 DRAM 在顯卡、游戲機和自動駕駛等傳統應用領域之外的應用范圍。 三星電子存儲器產品企劃團隊執行副總裁裴永哲(Bae YongCheol)表示:"繼去年開發出三星首款16Gb GDDR7后,三星憑借此次最新研發成果,進一步鞏固了其在圖形DRAM市場的技術前沿優勢。我們將持續推出新一代產品,以滿足人工智能市場不斷增長的需求,引領圖形DRAM市場發展。" 24Gb GDDR7采用的是第五代10納米級DRAM制程技術。這使得GDDR7可在保持與前代產品相同封裝尺寸的情況下,將單元密度提高50%。 除了采用先進的工藝節點外,GDDR7還使用了脈沖幅度調制(PAM3)信號技術,使其速度在圖形DRAM中達到業界前沿的40Gbps,與前代產品相比提高了25%。根據使用環境的不同,GDDR7的性能可以進一步提升至最高42.5Gbps。 同時,將原先應用于移動產品的技術首次應用于圖形DRAM,GDDR7實現了能效的顯著提高。通過采用包括"時鐘控制管理[2]"和"雙電壓(VDD)設計[3] "等方法,可以大幅降低不必要的功耗,進而實現超過30%的能效提升。 為了確保在高速運行時依然具備卓越的穩定性,24Gb GDDR7采用了電源門控設計,盡可能地降低電流泄漏。 今年,三星將攜手主要GPU客戶,在下一代人工智能計算系統中對24Gb GDDR7進行驗證,并計劃于明年年初實現該技術的商業化。 [1] GDDR7: 第七代圖形雙倍數據速率,一種專門為圖形處理等高帶寬、高性能應用設計的顯存。 [2]?時鐘控制管理: 指動態調節芯片內部時鐘信號的技術。通過降低或禁用芯片中未使用部分的運行速度,可以優化功耗。 [3]?雙電壓?(VDD) 設計: 一種電源管理技術,指芯片的不同部分采用不同的電壓水平工作。這種技術可以在不需要最高電壓的區域降低功耗。 ]]> 新款GDDR7提供了業界出眾的容量和超過40Gbps的速度,極大提升了圖形DRAM的性能,為未來應用注入強勁動力

今年將攜手主要GPU客戶進行驗證,并計劃于明年年初投入生產

深圳2024年10月17日 /美通社/ -- 三星電子今日宣布,已成功開發出其首款24Gb GDDR7[1] DRAM(第七代圖形雙倍數據傳輸率存儲器)。GDDR7具備非常高的容量和極快的速率,這使得它成為眾多下一代應用程序的理想選擇之一。

三星半導體24Gb GDDR7 DRAM
三星半導體24Gb GDDR7 DRAM

憑借高容量和卓越性能,24Gb GDDR7將廣泛應用于需要高性能存儲解決方案的各個領域,例如數據中心和人工智能工作站,這將進一步擴展圖形 DRAM 在顯卡、游戲機和自動駕駛等傳統應用領域之外的應用范圍。

三星電子存儲器產品企劃團隊執行副總裁裴永哲(Bae YongCheol)表示:"繼去年開發出三星首款16Gb GDDR7后,三星憑借此次最新研發成果,進一步鞏固了其在圖形DRAM市場的技術前沿優勢。我們將持續推出新一代產品,以滿足人工智能市場不斷增長的需求,引領圖形DRAM市場發展。"

24Gb GDDR7采用的是第五代10納米級DRAM制程技術。這使得GDDR7可在保持與前代產品相同封裝尺寸的情況下,將單元密度提高50%。

除了采用先進的工藝節點外,GDDR7還使用了脈沖幅度調制(PAM3)信號技術,使其速度在圖形DRAM中達到業界前沿的40Gbps,與前代產品相比提高了25%。根據使用環境的不同,GDDR7的性能可以進一步提升至最高42.5Gbps。

同時,將原先應用于移動產品的技術首次應用于圖形DRAM,GDDR7實現了能效的顯著提高。通過采用包括"時鐘控制管理[2]"和"雙電壓(VDD)設計[3]"等方法,可以大幅降低不必要的功耗,進而實現超過30%的能效提升。

為了確保在高速運行時依然具備卓越的穩定性,24Gb GDDR7采用了電源門控設計,盡可能地降低電流泄漏。

今年,三星將攜手主要GPU客戶,在下一代人工智能計算系統中對24Gb GDDR7進行驗證,并計劃于明年年初實現該技術的商業化。

[1] GDDR7: 第七代圖形雙倍數據速率,一種專門為圖形處理等高帶寬、高性能應用設計的顯存。

[2] 時鐘控制管理: 指動態調節芯片內部時鐘信號的技術。通過降低或禁用芯片中未使用部分的運行速度,可以優化功耗。

[3] 雙電壓 (VDD) 設計: 一種電源管理技術,指芯片的不同部分采用不同的電壓水平工作。這種技術可以在不需要最高電壓的區域降低功耗。

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PM9E1啟動量產:三星當前最強PC SSD,專為人工智能應用打造 2024-10-04 07:00:00 三星PC SSD PM9E1量產 三星電子存儲產品規劃執行副總裁YongCheol Bae表示:"我們的PM9E1集成了5nm控制器,提供優異能效和卓越性能,并且通過了三星主要合作企業的驗證。在快速發展的端側人工智能時代,三星的PM9E1將為全球客戶提供堅實的基礎,幫助客戶有效布局人工智能產品。" 得益于PCIe 5.0接口和八通道設計,新款SSD的順序讀/寫速度相比于上一代提升超過兩倍,分別高達14.5GB/s(千兆字節每秒)和13GB/s。這一強大性能讓數據傳輸更快捷,能夠滿足數據密集型人工智能應用的需求,即使14GB的大語言模型(LLM)也可以在不到一秒的時間內從SSD傳輸到DRAM。 PM9E1具備多種存儲規格,包括512GB、1TB、2TB,以及4TB。4TB規格尤其適合需要高容量存儲的PC(個人電腦)用戶,能夠存儲諸如人工智能生成的內容、大型數據程序和高分辨率視頻等大型文件,還能夠滿足游戲等高負載任務的存儲需求。 三星PC SSD PM9E1 此外,PM9E1的能效提升幅度超過50%,大幅提升的能效增強了電池續航能力,非常適合端側人工智能應用。 為了加強安全措施,三星的PM9E1采用了安全協議和數據模型(SPDM) v1.2規范。SPDM包含"安全通道"、"設備認證"和"固件篡改認證"等技術,有助于預防生產或分銷環節的供應鏈攻擊,避免存儲數據遭到偽造或篡改。 PM9E1是三星高級SSD產品全球PC制造商推廣計劃的開篇之作,未來,三星預計推出基于PCIe 5.0的消費類產品,以鞏固其在端側人工智能市場的市場地位。 ]]> PM9E1采用三星的5nm控制器和第八代V-NAND,
性能和能效顯著提升,適配人工智能 PC的需求

與上一代產品相比,其順序讀/寫速度提升超過兩倍,
分別高達14.5GB/s 和 13GB/s 

深圳2024年10月4日 /美通社/ -- 三星電子今日宣布,當前三星性能最高、容量最大的PCIe 5.0 SSD——PM9E1已正式開始量產。PM9E1憑借自主研發的5納米(nm)控制器和第八代V-NAND (V8)技術,展現出優異的性能和更強的能效,使其成為端側人工智能PC的優選解決方案。相比于上一代產品PM9A1a,PM9E1在性能、存儲容量、能效和安全性等 SSD關鍵特性上均有顯著提升。

三星PC SSD PM9E1量產
三星PC SSD PM9E1量產

三星電子存儲產品規劃執行副總裁YongCheol Bae表示:"我們的PM9E1集成了5nm控制器,提供優異能效和卓越性能,并且通過了三星主要合作企業的驗證。在快速發展的端側人工智能時代,三星的PM9E1將為全球客戶提供堅實的基礎,幫助客戶有效布局人工智能產品。"

得益于PCIe 5.0接口和八通道設計,新款SSD的順序讀/寫速度相比于上一代提升超過兩倍,分別高達14.5GB/s(千兆字節每秒)和13GB/s。這一強大性能讓數據傳輸更快捷,能夠滿足數據密集型人工智能應用的需求,即使14GB的大語言模型(LLM)也可以在不到一秒的時間內從SSD傳輸到DRAM。

PM9E1具備多種存儲規格,包括512GB、1TB、2TB,以及4TB。4TB規格尤其適合需要高容量存儲的PC(個人電腦)用戶,能夠存儲諸如人工智能生成的內容、大型數據程序和高分辨率視頻等大型文件,還能夠滿足游戲等高負載任務的存儲需求。

三星PC SSD PM9E1
三星PC SSD PM9E1

此外,PM9E1的能效提升幅度超過50%,大幅提升的能效增強了電池續航能力,非常適合端側人工智能應用。

為了加強安全措施,三星的PM9E1采用了安全協議和數據模型(SPDM) v1.2規范。SPDM包含"安全通道"、"設備認證"和"固件篡改認證"等技術,有助于預防生產或分銷環節的供應鏈攻擊,避免存儲數據遭到偽造或篡改。

PM9E1是三星高級SSD產品全球PC制造商推廣計劃的開篇之作,未來,三星預計推出基于PCIe 5.0的消費類產品,以鞏固其在端側人工智能市場的市場地位。

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三星電子開發出其首款基于第八代V-NAND的車載SSD 2024-09-24 07:00:00 三星半導體基于第八代V-NAND技術的車載SSD AM9C1 三星電子副總裁兼存儲器事業部汽車業務負責人Hyunduk Cho表示:“我們正在與全球自動駕駛汽車廠商合作,為這些企業提供高性能、高容量的車載產品。三星將繼續推動涵蓋從自動駕駛到機器人技術的物理人工智能(Physic AI)[1] 存儲器市場的發展。” AM9C1基于三星的5納米(nm)控制器,提供單層單元(SLC)命名空間 [2] 功能,其優異的性能讓訪問數據密集型文件更為輕松。用戶將初始的三層單元(TLC)狀態切換至SLC模式,即可體驗大幅提升的讀寫速度,其中讀取速度高達4,700MB/s,寫入速度高達1,400MB/s,同時還能享有SLC SSD可靠性增強所帶來的優勢。 當前,三星的主要合作伙伴正在進行256GB版本AM9C1的樣品測試,這款產品預計將于今年年底開始量產。為了滿足對高容量車載SSD日益增長的需求,三星計劃推出128GB到2TB等多種容量規格的AM9C1存儲器產品陣容。其中最大的2TB SSD預計將在明年年初開始量產。 三星的新款車載SSD通過了更為嚴苛的板級測試,能夠滿足汽車半導體質量標準AEC-Q100 [3] 的2級溫度測試標準,在-40°C至105°C寬幅的溫度范圍內能保持穩定運行。 為了進一步滿足汽車行業在可靠性和穩定性方面的高標準,三星電子獲得了基于ISO/SAE 21434標準的CSMS [4] (網絡安全管理體系)認證。今年3月,三星的車載UFS 3.1產品通過了ASPICE[5](汽車軟件過程改進與能力評定)CL3認證。 三星電子存儲器事業部執行副總裁Hwaseok Oh表示:“ASPICE和ISO/SAE 21434認證是證明三星技術可靠性和穩定性的里程碑。三星將繼續提升產品的穩定性和品質,為關鍵合作伙伴提供優秀解決方案。” [1] 例如機器人和自動駕駛汽車等通過傳感器感知物理世界,且能進行交互的人工智能 [2] 經過SLC分區后的性能與可靠性均高于TLC,用戶可以根據數據類型配置模式。但當切換到SLC模式時,容量會下降到TLC的1/3。 [3] 一項由汽車零部件制造商協會(ACMA)設立的全球標準,旨在為汽車電子零部件確立可靠性評估程序和標準。 [4] 基于ISO/SAE 21434的國際標準,旨在提升汽車行業的網絡安全性,內容涵蓋網絡安全流程以及對設計、開發、評估及量產等方面的要求。 [5] 由德國汽車協會(VDA)制定并推廣的軟件開發標準,旨在評估汽車零部件制造商軟件開發流程的可靠性及能力。能力水平(CL)分為0到5級,CL3表示該制造商的流程已形成體系,且能夠有效執行。 ]]> 256GB AM9C1使用先進的V-NAND技術,5nm制程控制器,提供SLC模式選項,速度目前為三星最快

更高的性能和可靠性,使此款SSD支持端側AI功能,更適配下一代車載解決方案

深圳2024年9月24日 /美通社/ -- 三星電子今日宣布成功開發其首款基于第八代V-NAND技術的PCIe 4.0車載SSD。三星新款AM9C1車載SSD憑借行業前沿的速度和更高的可靠性,成為適配車載應用端側人工智能功能的解決方案。

三星新款256GB AM9C1車載SSD相比前代產品AM991,能效提高約50%,順序讀寫速度分別高達4,400MB/s和400MB/s。

三星半導體基于第八代V-NAND技術的車載SSD AM9C1
三星半導體基于第八代V-NAND技術的車載SSD AM9C1

三星電子副總裁兼存儲器事業部汽車業務負責人Hyunduk Cho表示:“我們正在與全球自動駕駛汽車廠商合作,為這些企業提供高性能、高容量的車載產品。三星將繼續推動涵蓋從自動駕駛到機器人技術的物理人工智能(Physic AI)[1] 存儲器市場的發展。”

AM9C1基于三星的5納米(nm)控制器,提供單層單元(SLC)命名空間 [2] 功能,其優異的性能讓訪問數據密集型文件更為輕松。用戶將初始的三層單元(TLC)狀態切換至SLC模式,即可體驗大幅提升的讀寫速度,其中讀取速度高達4,700MB/s,寫入速度高達1,400MB/s,同時還能享有SLC SSD可靠性增強所帶來的優勢。

當前,三星的主要合作伙伴正在進行256GB版本AM9C1的樣品測試,這款產品預計將于今年年底開始量產。為了滿足對高容量車載SSD日益增長的需求,三星計劃推出128GB到2TB等多種容量規格的AM9C1存儲器產品陣容。其中最大的2TB SSD預計將在明年年初開始量產。

三星的新款車載SSD通過了更為嚴苛的板級測試,能夠滿足汽車半導體質量標準AEC-Q100 [3] 的2級溫度測試標準,在-40°C至105°C寬幅的溫度范圍內能保持穩定運行。

為了進一步滿足汽車行業在可靠性和穩定性方面的高標準,三星電子獲得了基于ISO/SAE 21434標準的CSMS [4](網絡安全管理體系)認證。今年3月,三星的車載UFS 3.1產品通過了ASPICE [5](汽車軟件過程改進與能力評定)CL3認證。

三星電子存儲器事業部執行副總裁Hwaseok Oh表示:“ASPICE和ISO/SAE 21434認證是證明三星技術可靠性和穩定性的里程碑。三星將繼續提升產品的穩定性和品質,為關鍵合作伙伴提供優秀解決方案。”


[1] 例如機器人和自動駕駛汽車等通過傳感器感知物理世界,且能進行交互的人工智能

[2] 經過SLC分區后的性能與可靠性均高于TLC,用戶可以根據數據類型配置模式。但當切換到SLC模式時,容量會下降到TLC的1/3。

[3] 一項由汽車零部件制造商協會(ACMA)設立的全球標準,旨在為汽車電子零部件確立可靠性評估程序和標準。

[4] 基于ISO/SAE 21434的國際標準,旨在提升汽車行業的網絡安全性,內容涵蓋網絡安全流程以及對設計、開發、評估及量產等方面的要求。

[5] 由德國汽車協會(VDA)制定并推廣的軟件開發標準,旨在評估汽車零部件制造商軟件開發流程的可靠性及能力。能力水平(CL)分為0到5級,CL3表示該制造商的流程已形成體系,且能夠有效執行。

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三星首批面向AI時代的QLC第九代V-NAND啟動量產 2024-09-12 07:00:00 三星半導體1TB QLC第九代V-NAND 今年四月,三星啟動了其首批三層單元(TLC)第九代V-NAND的量產,隨后又率先實現了QLC 第九代V-NAND的量產,這進一步鞏固了三星在高容量、高性能NAND閃存市場中的地位。 “在距上次TLC版本量產僅四個月后,QLC第九代V-NAND產品成功啟動量產,使我們能夠提供,能夠滿足人工智能時代需求的完整陣容的SSD解決方案。”三星電子執行副總裁兼閃存產品與技術負責人SungHoi Hur表示:“隨著企業級SSD市場呈現日益增長的趨勢,對人工智能應用的需求更加強勁,我們將通過QLC和TLC第九代V-NAND繼續鞏固三星在該領域的市場地位。” 三星計劃擴大QLC第九代V- NAND的應用范圍,從品牌消費類產品開始,擴展到移動通用閃存(UFS)、個人電腦和服務器SSD,為包括云服務提供商在內的客戶提供服務。 三星半導體1TB QLC第九代V-NAND 三星QLC第九代V-NAND綜合運用多項創新成果,實現了多項技術突破。 * 三星引以為傲的通道孔蝕刻技術(Channel Hole Etching) ,能夠基于雙堆棧架構實現當前業內最高的單元層數。三星運用在TCL第九代V-NAND中積累的技術經驗,優化了存儲單元面積及外圍電路,位密度比上一代QLC V-NAND提升約86%。 * 預設模具(Designed Mold) 技術能夠調整控制存儲單元的字線(WL)間距,確保同一單元層內和單元層之間的存儲單元的特性保持一致,達到最佳效果。V-NAND層數越多,存儲單元特性越重要。采用預設模具技術使得數據保存性能相比之前的版本提升約20%,增強了產品的可靠性。 * 預測程序(Predictive Program) 技術能夠預測并控制存儲單元的狀態變化,盡可能減少不必要的操作。這項技術進步讓三星QLC第九代V-NAND的寫入性能翻倍,數據輸入/輸出速度提升60%。 * 低功耗設計(Low-Power Design) 技術使得數據讀取功耗約分別下降了約30%和50%。這項技術降低了驅動NAND存儲單元所需的電壓,能夠僅感測必要的位線(BL),從而盡可能減少功耗。 ]]> 三星最新的QLC V-NAND綜合采用了多項突破性技術,其中通道孔蝕刻技術能基于雙堆棧架構實現最高單元層數
 
推出的三星首批QLC和TLC第九代V-NAND,為各種AI應用提供優質內存解決方案

深圳2024年9月12日 /美通社/ -- 三星電子今日宣布,三星首款1太比特(Tb)四層單元(QLC)第九代V-NAND(V-NAND)已正式開始量產。

三星半導體1TB QLC第九代V-NAND
三星半導體1TB QLC第九代V-NAND

今年四月,三星啟動了其首批三層單元(TLC)第九代V-NAND的量產,隨后又率先實現了QLC 第九代V-NAND的量產,這進一步鞏固了三星在高容量、高性能NAND閃存市場中的地位。

“在距上次TLC版本量產僅四個月后,QLC第九代V-NAND產品成功啟動量產,使我們能夠提供,能夠滿足人工智能時代需求的完整陣容的SSD解決方案。”三星電子執行副總裁兼閃存產品與技術負責人SungHoi Hur表示:“隨著企業級SSD市場呈現日益增長的趨勢,對人工智能應用的需求更加強勁,我們將通過QLC和TLC第九代V-NAND繼續鞏固三星在該領域的市場地位。”

三星計劃擴大QLC第九代V- NAND的應用范圍,從品牌消費類產品開始,擴展到移動通用閃存(UFS)、個人電腦和服務器SSD,為包括云服務提供商在內的客戶提供服務。

三星半導體1TB QLC第九代V-NAND
三星半導體1TB QLC第九代V-NAND

三星QLC第九代V-NAND綜合運用多項創新成果,實現了多項技術突破。

  • 三星引以為傲的通道孔蝕刻技術(Channel Hole Etching),能夠基于雙堆棧架構實現當前業內最高的單元層數。三星運用在TCL第九代V-NAND中積累的技術經驗,優化了存儲單元面積及外圍電路,位密度比上一代QLC V-NAND提升約86%。
  • 預設模具(Designed Mold)技術能夠調整控制存儲單元的字線(WL)間距,確保同一單元層內和單元層之間的存儲單元的特性保持一致,達到最佳效果。V-NAND層數越多,存儲單元特性越重要。采用預設模具技術使得數據保存性能相比之前的版本提升約20%,增強了產品的可靠性。
  • 預測程序(Predictive Program)技術能夠預測并控制存儲單元的狀態變化,盡可能減少不必要的操作。這項技術進步讓三星QLC第九代V-NAND的寫入性能翻倍,數據輸入/輸出速度提升60%。
  • 低功耗設計(Low-Power Design)技術使得數據讀取功耗約分別下降了約30%和50%。這項技術降低了驅動NAND存儲單元所需的電壓,能夠僅感測必要的位線(BL),從而盡可能減少功耗。
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三星半導體在2024 ODCC上分享生成式AI時代大容量高性能的存儲解決方案 2024-09-03 13:39:00 三星電子副總裁,閃存應用工程師團隊負責人沈昊俊(Thomas Shim)發表主題演講 演講中,沈昊俊介紹了為解決這些問題三星半導體提出的存儲解決方案和行業主流應用趨勢。為克服性能和容量的制約,采用并行搭載HBM和DRAM的方式正在逐漸成為行業趨勢。其中HBM在性能方面扮演重要角色,DRAM則日益突破內存容量限制,滿足市場對大容量的需求。 關于目前行業主流應用的大容量存儲產品,沈昊俊分別介紹了三星半導體目前單芯片容量最大32Gb的DDR5內存產品,不久將可供應128GB/256GB等大容量封裝規格;以及擁有目前三星最高隨機寫入性能400K IOPS的高性能8通道PCIe Gen5 SSD PM9D3a。 關于性能突破方面,三星的主要代表產品有通過12層單die24Gb容量堆疊技術實現的36GB容量的HBM3E Shine Bolt,每引腳速度可達三星最快8Gbps,峰值速率高達1TB/s;于此同時三星在存內處理技術上取得顯著進展,LPDDR5X-PIM產品能夠將系統能效提高70%左右,同時可以將性能提升最多8倍。 最后,三星從總成本優化(TCO)層面說明了CXL存儲產品可在任何xPU環境中擴展容量和性能,以及無需兼容性驗證即可引入和運行的優勢,并進一步強調未來大容量趨勢中,基于QLC NAND技術的SSD產品BM1743未來可提供的大容量規格計劃。 三星在2024 ODCC上榮獲產品獎項 三星在本次2024開放數據中心峰會上獲得了"優秀合作伙伴"的稱號,與此同時,沈昊俊也強調了在技術挑戰面前緊密合作的重要性。三星將一如既往地與合作伙伴和客戶攜手合作,共同克服內存技術的挑戰,將不確定性轉化為機遇,攜手開創AI時代的未來。 ]]> 深圳2024年9月3日 /美通社/ -- 9月3日,由開放數據中心委員會 (ODCC) 主辦的"2024開放數據中心峰會"在北京國際會議中心隆重召開。三星電子副總裁兼閃存應用工程師團隊負責人,沈昊俊在會上發表了"跨入未來:人工智能時代的存儲創新"的主題演講。他深入淺出的介紹了推動社會進入生成式AI新時代的三大因素,即計算能力的飛躍,大語言模型(LLM)的精進,以及各種AI服務的興起,并進一步探討了生成式AI時代"更優AI"的技術趨勢,指出新時代面臨的挑戰不僅僅是存儲器大容量的需求,隨著邁向更精密的AI模型,存儲器的高性能讀寫能力也是當下面臨的巨大挑戰。

三星電子副總裁,閃存應用工程師團隊負責人沈昊俊(Thomas Shim)發表主題演講
三星電子副總裁,閃存應用工程師團隊負責人沈昊俊(Thomas Shim)發表主題演講

演講中,沈昊俊介紹了為解決這些問題三星半導體提出的存儲解決方案和行業主流應用趨勢。為克服性能和容量的制約,采用并行搭載HBM和DRAM的方式正在逐漸成為行業趨勢。其中HBM在性能方面扮演重要角色,DRAM則日益突破內存容量限制,滿足市場對大容量的需求。

關于目前行業主流應用的大容量存儲產品,沈昊俊分別介紹了三星半導體目前單芯片容量最大32Gb的DDR5內存產品,不久將可供應128GB/256GB等大容量封裝規格;以及擁有目前三星最高隨機寫入性能400K IOPS的高性能8通道PCIe Gen5 SSD PM9D3a。

關于性能突破方面,三星的主要代表產品有通過12層單die24Gb容量堆疊技術實現的36GB容量的HBM3E Shine Bolt,每引腳速度可達三星最快8Gbps,峰值速率高達1TB/s;于此同時三星在存內處理技術上取得顯著進展,LPDDR5X-PIM產品能夠將系統能效提高70%左右,同時可以將性能提升最多8倍。

最后,三星從總成本優化(TCO)層面說明了CXL存儲產品可在任何xPU環境中擴展容量和性能,以及無需兼容性驗證即可引入和運行的優勢,并進一步強調未來大容量趨勢中,基于QLC NAND技術的SSD產品BM1743未來可提供的大容量規格計劃。

三星在2024 ODCC上榮獲產品獎項
三星在2024 ODCC上榮獲產品獎項

三星在本次2024開放數據中心峰會上獲得了"優秀合作伙伴"的稱號,與此同時,沈昊俊也強調了在技術挑戰面前緊密合作的重要性。三星將一如既往地與合作伙伴和客戶攜手合作,共同克服內存技術的挑戰,將不確定性轉化為機遇,攜手開創AI時代的未來。

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三星宣布攜手高通,助力高級車載信息娛樂與高級駕駛員輔助系統 2024-08-27 07:00:00 三星和高通攜手共同助力高級車載信息娛樂(IVI)和高級駕駛員輔助系統(ADAS) "三星豐富的DRAM和NAND車規產品組合,且均通過了AEC-Q100[1] 驗證。因此,三星是高通技術公司攜手共進、為客戶打造長期解決方案的理想伙伴,"三星電子副總裁兼存儲器事業部汽車業務負責人Hyunduk Cho表示,"三星憑借在存儲器解決方案領域的設計、生產和封裝能力的領先優勢,不僅能夠提供快速的開發周期,同時能夠保障可靠性、驗證和卓越的產品控制,滿足汽車行業的嚴格要求。" 三星車載內存LPDDR4X 三星正在開發下一代LPDDR5車規芯片,預計今年第四季度可以提供樣品。LPDDR5將能夠支持三星車軌內存能達到的最高數據傳輸速度,即每秒9.6千兆位(Gbps),即使在極端溫度條件下,依舊保持卓越性能。 [1] AEC-Q100標準是針對車載封裝集成電路產品的應力測試標準。 ]]> 三星LPDDR4X車載內存通過高通汽車模組驗證

強大的車載存儲解決方案產品陣容將確保供應鏈長久、穩定、可靠

深圳2024年8月27日 /美通社/ -- 三星電子今日宣布,其用于高級車載信息娛樂(IVI)和高級駕駛輔助系統(ADAS)的LPDDR4X車載內存,已通過高通最新的驍龍® 數字底盤?平臺驗證。這不僅證明了三星LPDDR4X車載存儲器的卓越性能,也體現了三星在汽車應用領域的深厚技術實力和長期支持客戶的堅實承諾。

三星和高通攜手共同助力高級車載信息娛樂(IVI)和高級駕駛員輔助系統(ADAS)
三星和高通攜手共同助力高級車載信息娛樂(IVI)和高級駕駛員輔助系統(ADAS)

"三星豐富的DRAM和NAND車規產品組合,且均通過了AEC-Q100[1]驗證。因此,三星是高通技術公司攜手共進、為客戶打造長期解決方案的理想伙伴,"三星電子副總裁兼存儲器事業部汽車業務負責人Hyunduk Cho表示,"三星憑借在存儲器解決方案領域的設計、生產和封裝能力的領先優勢,不僅能夠提供快速的開發周期,同時能夠保障可靠性、驗證和卓越的產品控制,滿足汽車行業的嚴格要求。"

三星車載內存LPDDR4X
三星車載內存LPDDR4X

三星正在開發下一代LPDDR5車規芯片,預計今年第四季度可以提供樣品。LPDDR5將能夠支持三星車軌內存能達到的最高數據傳輸速度,即每秒9.6千兆位(Gbps),即使在極端溫度條件下,依舊保持卓越性能。

[1] AEC-Q100標準是針對車載封裝集成電路產品的應力測試標準。

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三星半導體亮相OCP China 2024,分享AI時代存儲創新技術 2024-08-08 13:30:00 三星電子副總裁,先行開發團隊負責人張實完(Silwan Chang)發表主題演講 張實完指出,生成式AI的浪潮席卷全球,為各行各業帶來顛覆性變革。面對挑戰,三星憑借對未來趨勢的預判和持續不斷的技術創新,介紹了一系列推動行業發展的技術和高容量產品,為AI時代打造 高容量、高性能和低功耗的存儲解決方案。 三星預測到大容量存儲變得日益重要,并且在兩年前發布了相關產品的發展路線。于今年年初開始量產的128TB SSD正是基于對高容量存儲需求的預判。演講中指出,三星的目標是向市場提供基于TLC和QLC NAND技術的各種規格的高容量產品,以滿足AI應用對存儲容量不斷增長的需求。三星2023年末推出了PM1743a 32TB/64TB,并提及數據中心級固態硬盤產品PM9D3a,以及基于第九代VNAND技術的PM1753等高容量產品在未來的進展。 三星半導體展臺現場展示創新大容量存儲產品PM9D3a 性能方面,三星也一直在嘗試突破。為了AI訓練和推理提供強勁性能保障,即將推出的新一代PCIe Gen5 SSD PM1753,與上一代產品相比,順序寫入性能提升1.6倍,隨機讀寫速度分別提升1.3和1.7倍。在追求技術突破的同時,AI處理功耗的重要性也不容忽視。同樣以基于TLC技術的 PM1753為例,其AI工作負載下的順序寫入能效比上一代相比提高1.7倍,在傳統服務器中的隨機I/O操作的能效也提高了1.6倍。AI應用既要優化I/O操作時的功耗,同時也要降低SSD在待機狀態下的功耗。PM1753的閑置功耗已經降至4W,下一代產品計劃將閑置功耗壓縮至2W,助力數據中心實現節能減排的目標。PM1753有望成為生成式AI服務器應用所需的出色解決方案。 在演講末尾,張實完還介紹了三星近期正在進行客戶測試的HBM3E內存產品,預計其速度可高達9.8Gbps,帶寬不低于1TB/s。而同樣備受矚目的下一代HBM4產品預計會在2025年介紹給大家。同時,三星還提及了業界首款基于SoC(處理器)的CMM產品CMM-H,包括CMM-PM和CMM-H TM,分別針對數據持久性和虛擬機遷移需求,為AI時代提供更強大的內存解決方案。 三星榮獲2024開放計算最佳創新獎 在本屆大會上,三星PM9D3a固態硬盤榮獲"開放計算最佳創新獎"。作為三星業界首款8通道PCIe Gen5 SSD,PM9D3a突破了現有閃存層次結構的限制,實現了每TB高達50K IOPS的隨機寫入性能,并率先支持FDP技術,已經在美國以及中國的主要數據中心完成引入測試。其卓越性能和前瞻性設計獲得了評審委員會的一致認可。 三星將繼續與OCP社區緊密合作,推動開放計算生態系統的發展,以生態融合、智能化實踐和技術創新,為全球用戶打造更加高效、可靠、可持續的存儲解決方案。 ]]> 深圳2024年8月8日 /美通社/ -- 8月8日,在北京舉辦的2024年開放計算中國峰會(OCP China)上,三星電子副總裁、先行開發團隊負責人張實完(Silwan Chang)發表了題為"AI革新:AI時代的存儲創新之路"的主題演講。

三星電子副總裁,先行開發團隊負責人張實完(Silwan Chang)發表主題演講
三星電子副總裁,先行開發團隊負責人張實完(Silwan Chang)發表主題演講

張實完指出,生成式AI的浪潮席卷全球,為各行各業帶來顛覆性變革。面對挑戰,三星憑借對未來趨勢的預判和持續不斷的技術創新,介紹了一系列推動行業發展的技術和高容量產品,為AI時代打造高容量、高性能和低功耗的存儲解決方案。

三星預測到大容量存儲變得日益重要,并且在兩年前發布了相關產品的發展路線。于今年年初開始量產的128TB SSD正是基于對高容量存儲需求的預判。演講中指出,三星的目標是向市場提供基于TLC和QLC NAND技術的各種規格的高容量產品,以滿足AI應用對存儲容量不斷增長的需求。三星2023年末推出了PM1743a 32TB/64TB,并提及數據中心級固態硬盤產品PM9D3a,以及基于第九代VNAND技術的PM1753等高容量產品在未來的進展。

三星半導體展臺現場展示創新大容量存儲產品PM9D3a
三星半導體展臺現場展示創新大容量存儲產品PM9D3a

性能方面,三星也一直在嘗試突破。為了AI訓練和推理提供強勁性能保障,即將推出的新一代PCIe Gen5 SSD PM1753,與上一代產品相比,順序寫入性能提升1.6倍,隨機讀寫速度分別提升1.3和1.7倍。在追求技術突破的同時,AI處理功耗的重要性也不容忽視。同樣以基于TLC技術的 PM1753為例,其AI工作負載下的順序寫入能效比上一代相比提高1.7倍,在傳統服務器中的隨機I/O操作的能效也提高了1.6倍。AI應用既要優化I/O操作時的功耗,同時也要降低SSD在待機狀態下的功耗。PM1753的閑置功耗已經降至4W,下一代產品計劃將閑置功耗壓縮至2W,助力數據中心實現節能減排的目標。PM1753有望成為生成式AI服務器應用所需的出色解決方案。

在演講末尾,張實完還介紹了三星近期正在進行客戶測試的HBM3E內存產品,預計其速度可高達9.8Gbps,帶寬不低于1TB/s。而同樣備受矚目的下一代HBM4產品預計會在2025年介紹給大家。同時,三星還提及了業界首款基于SoC(處理器)的CMM產品CMM-H,包括CMM-PM和CMM-H TM,分別針對數據持久性和虛擬機遷移需求,為AI時代提供更強大的內存解決方案。

三星榮獲2024開放計算最佳創新獎
三星榮獲2024開放計算最佳創新獎

在本屆大會上,三星PM9D3a固態硬盤榮獲"開放計算最佳創新獎"。作為三星業界首款8通道PCIe Gen5 SSD,PM9D3a突破了現有閃存層次結構的限制,實現了每TB高達50K IOPS的隨機寫入性能,并率先支持FDP技術,已經在美國以及中國的主要數據中心完成引入測試。其卓越性能和前瞻性設計獲得了評審委員會的一致認可。

三星將繼續與OCP社區緊密合作,推動開放計算生態系統的發展,以生態融合、智能化實踐和技術創新,為全球用戶打造更加高效、可靠、可持續的存儲解決方案。

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三星開始量產其最薄LPDDR5X內存產品,助力端側AI應用 2024-08-06 07:00:00 三星LPDDR5X DRAM 憑借在芯片封裝領域豐富的技術經驗,三星可提供超薄的LPDDR5X DRAM封裝,使移動設備內有多余的空間,促進空氣流動。散熱控制能力因此得到提升,這一屬性對于像端側人工智能類具有復雜功能的高性能應用尤為關鍵。 三星LPDDR5X DRAM封裝示意圖 “LPDDR5X DRAM在具備卓越的移動端低功耗性能的同時,還能在超輕薄的封裝中提供先進的熱管理功能,為高性能端側AI解決方案樹立了新標準。”三星電子存儲器產品企劃團隊執行副總裁YongCheol Bae表示。“三星將持之以恒地與客戶密切合作,不斷創新,提供能夠滿足符合時代的低功耗DRAM解決方案。 憑借LPDDR5X DRAM的封裝技術,三星提供了其業內最薄,采用四層堆疊結構[1]的12納米級LPDDR DRAM。與上一代產品相比,厚度降低約9%,耐熱性能提升約21.2%。 三星LPDDR5X DRAM緊有0.65mm,薄如指甲 通過采用更先進的印刷電路板(PCB)和環氧樹脂模塑料(EMC)[2]工藝,新一代LPDDR DRAM的封裝厚度僅0.65毫米(mm),薄如指甲,超過之前所有12GB及以上容量的LPDDR DRAM。此外,三星優化了背面研磨工藝[3] ,進一步壓縮了封裝厚度。 三星計劃通過向移動處理器生產商,和移動設備制造商供應0.65mm的LPDDR5X DRAM芯片,繼續擴大低功耗DRAM的市場。隨著市場對高性能、高密度且封裝尺寸更小的移動存儲解決方案的需求持續增長,三星計劃開發6層24GB和8層32GB的模組,為未來設備打造超薄的LPDDR DRAM封裝。 除非經特殊說明,本文中所涉及的數據均為三星內部測試結果,涉及的對比均為與三星產品相比較。 [1] 四層堆疊封裝,每層均由兩片LPDDR DRAM芯片組成 [2] 用于保護半導體電路免受高溫、沖擊和潮濕等外部環境影響的材料。 [3] 研磨晶圓的背面使厚度變薄的工藝 ]]> 三星輕薄型LPDDR5X DRAM的封裝厚度僅0.65mm,散熱控制能力更強,適合端側AI在移動端的應用

LPDDR封裝采用12納米級工藝,四層堆疊,在提升Die密度的同時,減少厚度,提高耐熱性

深圳2024年8月6日 /美通社/ -- 2024年8月6日,三星電子今日宣布其業內最薄的12納米(nm)級LPDDR5X DRAM(內存)開始量產,支持12GB和16GB容量。這將進一步鞏固三星在低功耗內存市場的地位。

三星LPDDR5X DRAM
三星LPDDR5X DRAM

憑借在芯片封裝領域豐富的技術經驗,三星可提供超薄的LPDDR5X DRAM封裝,使移動設備內有多余的空間,促進空氣流動。散熱控制能力因此得到提升,這一屬性對于像端側人工智能類具有復雜功能的高性能應用尤為關鍵。

三星LPDDR5X DRAM封裝示意圖
三星LPDDR5X DRAM封裝示意圖

“LPDDR5X DRAM在具備卓越的移動端低功耗性能的同時,還能在超輕薄的封裝中提供先進的熱管理功能,為高性能端側AI解決方案樹立了新標準。”三星電子存儲器產品企劃團隊執行副總裁YongCheol Bae表示。“三星將持之以恒地與客戶密切合作,不斷創新,提供能夠滿足符合時代的低功耗DRAM解決方案。

憑借LPDDR5X DRAM的封裝技術,三星提供了其業內最薄,采用四層堆疊結構[1]的12納米級LPDDR DRAM。與上一代產品相比,厚度降低約9%,耐熱性能提升約21.2%。

三星LPDDR5X DRAM緊有0.65mm,薄如指甲
三星LPDDR5X DRAM緊有0.65mm,薄如指甲

通過采用更先進的印刷電路板(PCB)和環氧樹脂模塑料(EMC)[2]工藝,新一代LPDDR DRAM的封裝厚度僅0.65毫米(mm),薄如指甲,超過之前所有12GB及以上容量的LPDDR DRAM。此外,三星優化了背面研磨工藝[3],進一步壓縮了封裝厚度。

三星計劃通過向移動處理器生產商,和移動設備制造商供應0.65mm的LPDDR5X DRAM芯片,繼續擴大低功耗DRAM的市場。隨著市場對高性能、高密度且封裝尺寸更小的移動存儲解決方案的需求持續增長,三星計劃開發6層24GB和8層32GB的模組,為未來設備打造超薄的LPDDR DRAM封裝。

除非經特殊說明,本文中所涉及的數據均為三星內部測試結果,涉及的對比均為與三星產品相比較。

[1] 四層堆疊封裝,每層均由兩片LPDDR DRAM芯片組成

[2] 用于保護半導體電路免受高溫、沖擊和潮濕等外部環境影響的材料。

[3] 研磨晶圓的背面使厚度變薄的工藝

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三星于聯發科技天璣旗艦移動平臺完成其最快LPDDR5X驗證 2024-07-16 07:00:00 三星半導體LPDDR5X移動內存產品圖 此次10.7Gbps運行速度的驗證,使用三星的16GB LPDDR5X封裝規格,基于聯發科技計劃于下半年發布的天璣9400旗艦移動平臺進行。兩家公司保持密切合作,僅用三個月就完成了驗證。 "通過與聯發科技的戰略合作,三星已驗證了其最快的LPDDR5X DRAM,該內存有望推動人工智能(AI)智能手機市場,"三星電子內存產品規劃執行副總裁YongCheol Bae表示。"三星將繼續通過與客戶的積極合作進行創新,并為設備端人工智能時代提供優秀解決方案。" "通過與三星電子的合作,聯發科技的下一代天璣旗艦移動平臺成為首個在三星高達10.7Gbps LPDDR5X運行速度下得到驗證的產品,為即將推出的設備帶來驚艷的AI功能和移動性能。"聯發科技資深副總經理暨無線通信事業部總經理徐敬全博士表示,"這種更新的架構將為開發人員和用戶帶來更好的體驗,在提升AI能力和豐富設備功能的同時,有效降低對電池壽命的影響。" 三星于聯發科技天璣旗艦移動平臺完成其最快LPDDR5X驗證 三星的10.7Gbps LPDDR5X的功耗較前代降低25%左右,性能較前代提升約25%。這可以延長移動設備的電池續航時間并增強設備端AI性能,從而提高AI功能的速度(如語音文本生成),而無需服務器或云訪問。 隨著設備端AI市場的擴展,尤其是AI智能手機,節能、高性能的LPDDR DRAM解決方案變得越來越重要。通過與聯發科技的驗證,三星正在鞏固其在低功耗、高性能DRAM市場的技術前沿地位,并有望將應用范圍從移動設備擴展到服務器、PC和汽車設備。 除非經特殊說明,本文中所涉及的數據均為三星內部測試結果,涉及的對比均為與三星產品相比較。 ]]> 三星的10.7Gbps LPDDR5X在聯發科技下一代天璣移動平臺上完成驗證

新款DRAM的功耗降低和性能提升均達25%左右,可延長移動設備的電池續航時間,并顯著提升設備端AI功能的性能

深圳2024年7月16日 /美通社/ -- 三星今日宣布,已成功在聯發科技的下一代天璣旗艦移動平臺完成其最快的10.7千兆比特/秒(Gbps)LPDDR5X DRAM驗證。

三星半導體LPDDR5X移動內存產品圖
三星半導體LPDDR5X移動內存產品圖

此次10.7Gbps運行速度的驗證,使用三星的16GB LPDDR5X封裝規格,基于聯發科技計劃于下半年發布的天璣9400旗艦移動平臺進行。兩家公司保持密切合作,僅用三個月就完成了驗證。

"通過與聯發科技的戰略合作,三星已驗證了其最快的LPDDR5X DRAM,該內存有望推動人工智能(AI)智能手機市場,"三星電子內存產品規劃執行副總裁YongCheol Bae表示。"三星將繼續通過與客戶的積極合作進行創新,并為設備端人工智能時代提供優秀解決方案。"

"通過與三星電子的合作,聯發科技的下一代天璣旗艦移動平臺成為首個在三星高達10.7Gbps LPDDR5X運行速度下得到驗證的產品,為即將推出的設備帶來驚艷的AI功能和移動性能。"聯發科技資深副總經理暨無線通信事業部總經理徐敬全博士表示,"這種更新的架構將為開發人員和用戶帶來更好的體驗,在提升AI能力和豐富設備功能的同時,有效降低對電池壽命的影響。"

三星于聯發科技天璣旗艦移動平臺完成其最快LPDDR5X驗證
三星于聯發科技天璣旗艦移動平臺完成其最快LPDDR5X驗證

三星的10.7Gbps LPDDR5X的功耗較前代降低25%左右,性能較前代提升約25%。這可以延長移動設備的電池續航時間并增強設備端AI性能,從而提高AI功能的速度(如語音文本生成),而無需服務器或云訪問。

隨著設備端AI市場的擴展,尤其是AI智能手機,節能、高性能的LPDDR DRAM解決方案變得越來越重要。通過與聯發科技的驗證,三星正在鞏固其在低功耗、高性能DRAM市場的技術前沿地位,并有望將應用范圍從移動設備擴展到服務器、PC和汽車設備。

除非經特殊說明,本文中所涉及的數據均為三星內部測試結果,涉及的對比均為與三星產品相比較。

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三星為智能手機攝像頭推出三款多功能圖像傳感器 2024-06-27 07:00:00 <三星半導體發布的ISOCELL HP9圖像傳感器,ISOCELL GNJ圖像傳感器,ISOCELL JN5圖像傳感器> 隨著用戶對智能手機攝像頭質量和性能的期望不斷提高,從各個角度拍出出色照片的需求也空前高漲。為此,三星半導體推出其最新的移動圖像傳感器產品矩陣,讓消費者從各個角度拍照,都能拍攝出滿意的圖像效果,為移動手機攝影打開了新天地。 "提升圖像傳感器性能,逐漸彌合主攝像頭和副攝像頭之間的差距,從而在全角度提供一致的攝影體驗,這已成為行業發展的新方向。"三星電子執行副總裁兼系統LSI傳感器業務團隊首席技術官Jesuk Lee表示,"我們將持續通過集成三星最新技術進展的圖像傳感器產品陣容,不斷打破技術壁壘,并推進新的行業標準。" ISOCELL HP9:業界首款用于智能手機的2億像素長焦傳感器 ISOCELL HP9采用1/1.4 英寸的光學規格,內置了2億個0.56微米(μm)大小的像素。 <三星ISOCELL HP9圖像傳感器> 三星獨有的高折射率微透鏡采用了新材料,使HP9傳感器能夠將更多光線精準地導向相應的 RGB濾色片,從而顯著提升了感光能力。與上一代產品相比,HP9的感光度提高了12%(基于信噪比 10),自動對焦對比度性能提高了 10%,實現了更生動的色彩還原和更強大的對焦性能。 值得一提的是,HP9在弱光環境下表現尤為出色,解決了傳統長焦相機普遍面臨的難題。其Tetra2pixel技術將16個像素(4x4)合并到一個1200萬像素、2.24μm尺寸的大傳感器中,即使在黑暗環境中也能拍攝出更清晰的人像照片,并創造出引人注目的焦外虛化效果。 隨著高端智能手機主攝像頭尺寸的增大,長焦攝像頭的空間也越來越大。HP9的大光學格式使其適用于長焦模組,在圖像質量、自動對焦、高動態范圍(HDR)和每秒幀數(fps)方面的性能可媲美高端主攝像頭。 HP9 采用remosaic算法,提供2倍或4倍傳感器內變焦模式,與3倍變焦長焦模組搭配使用時可實現高達12倍的變焦,同時保持清晰的圖像質量。 ISOCELL GNJ:集成三星前沿像素技術的創新 ISOCELL GNJ是一款雙像素傳感器,擁有5000萬1.0微米(μm)像素,光學格式為1/1.57英寸。 <三星ISOCELL GNJ圖像傳感器> 雙像素技術允許每個像素容納兩個光電二極管,從而實現快速準確的自動對焦(類似于人眼對焦的方式),同時捕捉全彩信息,從而實現快速對焦并保持圖像質量。 GNJ將雙像素技術與傳感器內變焦功能相結合,在視頻模式下可提供更清晰的畫面,在照片模式下提供無偽影或摩爾紋的高分辨率圖像。 新改進的高透光率抗折射層(ARL)與三星專有的高折射微透鏡相結合,不僅提高了透光率,減少了不必要的反射,還確保了暗部不會過度增亮,從而獲得更準確的照片,并更好地保留圖像細節。 此外,GNJ還采用了從多晶硅到氧化硅的升級版像素深溝隔離(DTI)材料,最大限度地減少了相鄰像素之間的串擾。這使得傳感器能夠捕捉到更細致、更精確的圖像。 所有這些創新都是在功耗更低的情況下實現的,在預覽模式下功耗降低了29%,在4K 60fps的視頻模式下功耗降低了34%。 ISOCELL JN5:色彩范圍廣,自動對焦性能出色,從各個角度獲得一致的拍照體驗 ISOCELL JN5采用1/2.76英寸光學格式,擁有5000萬0.64微米(μm)像素。 傳感器采用雙垂直傳輸門(Dual VTG)技術,增加了像素內的電荷傳輸,大大降低了極弱光線下的噪點,使圖像質量更清晰。 JN5 利用超級四相位檢測(Super QPD)自動對焦技術,通過比較垂直和水平方向上的相位差來調整對焦,從而以最小的抖動捕捉快速移動物體的微小細節。 此外,JN5還采用了雙斜率增益(DSG)技術來增強高動態范圍(HDR)。該技術將進入像素的模擬光信息放大為兩個信號,將其轉換為數字信號,然后合并為一個數據,從而擴大了傳感器可生成的色彩范圍。 硬件Remosaic算法提高了相機的拍攝速度,同時在預覽和拍攝模式下都能實現無延遲的實時變焦。 JN5的超薄光學格式使其具有很強的通用性,可用于主攝像頭和副攝像頭,包括廣角、超廣角、前置和長焦攝像頭,確保從不同角度都能獲得一致的拍照體驗。 除非經特殊說明,本文中所涉及的數據均為三星內部測試結果,涉及的對比均為與三星產品相比較。 ]]> 新產品系列配備2億像素和5000萬像素傳感器,縮小了主攝像頭和副攝像頭之間的差距,全方位增強了智能手機成像效果

深圳2024年6月27日 /美通社/ -- 6月27日,三星發布了三款專為智能手機主攝像頭和副攝像頭設計的新型移動圖像傳感器:ISOCELL HP9、ISOCELL GNJ和ISOCELL JN5。


<三星半導體發布的ISOCELL HP9圖像傳感器,ISOCELL GNJ圖像傳感器,ISOCELL JN5圖像傳感器>

隨著用戶對智能手機攝像頭質量和性能的期望不斷提高,從各個角度拍出出色照片的需求也空前高漲。為此,三星半導體推出其最新的移動圖像傳感器產品矩陣,讓消費者從各個角度拍照,都能拍攝出滿意的圖像效果,為移動手機攝影打開了新天地。

"提升圖像傳感器性能,逐漸彌合主攝像頭和副攝像頭之間的差距,從而在全角度提供一致的攝影體驗,這已成為行業發展的新方向。"三星電子執行副總裁兼系統LSI傳感器業務團隊首席技術官Jesuk Lee表示,"我們將持續通過集成三星最新技術進展的圖像傳感器產品陣容,不斷打破技術壁壘,并推進新的行業標準。"

ISOCELL HP9:業界首款用于智能手機的2億像素長焦傳感器

ISOCELL HP9采用1/1.4 英寸的光學規格,內置了2億個0.56微米(μm)大小的像素。


<三星ISOCELL HP9圖像傳感器>

三星獨有的高折射率微透鏡采用了新材料,使HP9傳感器能夠將更多光線精準地導向相應的 RGB濾色片,從而顯著提升了感光能力。與上一代產品相比,HP9的感光度提高了12%(基于信噪比 10),自動對焦對比度性能提高了 10%,實現了更生動的色彩還原和更強大的對焦性能。

值得一提的是,HP9在弱光環境下表現尤為出色,解決了傳統長焦相機普遍面臨的難題。其Tetra²pixel技術將16個像素(4x4)合并到一個1200萬像素、2.24μm尺寸的大傳感器中,即使在黑暗環境中也能拍攝出更清晰的人像照片,并創造出引人注目的焦外虛化效果。

隨著高端智能手機主攝像頭尺寸的增大,長焦攝像頭的空間也越來越大。HP9的大光學格式使其適用于長焦模組,在圖像質量、自動對焦、高動態范圍(HDR)和每秒幀數(fps)方面的性能可媲美高端主攝像頭。

HP9 采用remosaic算法,提供2倍或4倍傳感器內變焦模式,與3倍變焦長焦模組搭配使用時可實現高達12倍的變焦,同時保持清晰的圖像質量。

ISOCELL GNJ:集成三星前沿像素技術的創新

ISOCELL GNJ是一款雙像素傳感器,擁有5000萬1.0微米(μm)像素,光學格式為1/1.57英寸。


<三星ISOCELL GNJ圖像傳感器>

雙像素技術允許每個像素容納兩個光電二極管,從而實現快速準確的自動對焦(類似于人眼對焦的方式),同時捕捉全彩信息,從而實現快速對焦并保持圖像質量。

GNJ將雙像素技術與傳感器內變焦功能相結合,在視頻模式下可提供更清晰的畫面,在照片模式下提供無偽影或摩爾紋的高分辨率圖像。

新改進的高透光率抗折射層(ARL)與三星專有的高折射微透鏡相結合,不僅提高了透光率,減少了不必要的反射,還確保了暗部不會過度增亮,從而獲得更準確的照片,并更好地保留圖像細節。

此外,GNJ還采用了從多晶硅到氧化硅的升級版像素深溝隔離(DTI)材料,最大限度地減少了相鄰像素之間的串擾。這使得傳感器能夠捕捉到更細致、更精確的圖像。

所有這些創新都是在功耗更低的情況下實現的,在預覽模式下功耗降低了29%,在4K 60fps的視頻模式下功耗降低了34%。

ISOCELL JN5:色彩范圍廣,自動對焦性能出色,從各個角度獲得一致的拍照體驗

ISOCELL JN5采用1/2.76英寸光學格式,擁有5000萬0.64微米(μm)像素。

傳感器采用雙垂直傳輸門(Dual VTG)技術,增加了像素內的電荷傳輸,大大降低了極弱光線下的噪點,使圖像質量更清晰。

JN5 利用超級四相位檢測(Super QPD)自動對焦技術,通過比較垂直和水平方向上的相位差來調整對焦,從而以最小的抖動捕捉快速移動物體的微小細節。

此外,JN5還采用了雙斜率增益(DSG)技術來增強高動態范圍(HDR)。該技術將進入像素的模擬光信息放大為兩個信號,將其轉換為數字信號,然后合并為一個數據,從而擴大了傳感器可生成的色彩范圍。

硬件Remosaic算法提高了相機的拍攝速度,同時在預覽和拍攝模式下都能實現無延遲的實時變焦。

JN5的超薄光學格式使其具有很強的通用性,可用于主攝像頭和副攝像頭,包括廣角、超廣角、前置和長焦攝像頭,確保從不同角度都能獲得一致的拍照體驗。

除非經特殊說明,本文中所涉及的數據均為三星內部測試結果,涉及的對比均為與三星產品相比較。

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三星電子宣布成功構建其首個紅帽認證的CXL基礎設施 2024-06-25 07:00:00 三星電子構建首個紅帽認證的CXL基礎設施 作為該基礎設施的首個成果,三星本月成功驗證了其CMM-D產品,這也是三星在業界首例。三星還可以在早期開發階段優化產品,從而為客戶提供定制化解決方案。 "我們非常高興能與紅帽合作,為我們的客戶提供更可靠的CXL存儲產品,"三星電子副總裁兼新DRAM解決方案開發團隊負責人Taeksang Song表示。"我們將繼續在軟件和硬件領域開展合作,始終站在開發創新內存解決方案和CXL生態系統的前沿。" 紅帽韓國總經理Kyeong Sang Kim表示:"三星硬件針對紅帽軟件進行了優化,這彰顯了開源技術的價值,也體現了其對于擴展CMM-D等下一代內存解決方案的必要性。我們期待著繼續與三星合作,進一步將CXL解決方案推向市場。" 三星和紅帽合作,構建首個紅帽認證的CXL基礎設施 繼去年12月首次獲得紅帽的CXL存儲驗證后,三星的數據中心SSD產品也獲得了認證。使用經紅帽認證產品的客戶可以通過獲得頂級Linux支持來構建高性能系統,與三星穩定的硬件運營形成互補。 三星和紅帽還一直在各個領域密切合作,包括硬件和軟件的產品認證,致力于豐富下一代CXL生態系統。 在5月份于科羅拉多州丹佛市舉行的"紅帽全球峰會"上,三星展示了嵌入在"紅帽企業級Linux 9.3"的CMM-D[1] ,該方案增強了深度學習推薦模型(DLRM)的性能。 該演示利用了可擴展內存開發套件(SMDK)的內存交織軟件技術,突出了改進的內存訪問性能。配備SMDK的CMM-D通過加速數據處理、人工智能學習和推理速度,使客戶能夠構建高性能的人工智能模型,而無需進行大量投資。 展望未來,三星和紅帽將繼續深化合作,致力于提供廣泛適用于各種用戶系統的客戶解決方案,同時向合作伙伴和客戶推出新技術標準,共同擴展CXL內存生態系統。 [1] 注:CMM-D是三星的CXL存儲模組內存解決方案,它是基于PCIe接口并支持CXL協議的一種解決方案。 關于三星電子 三星以不斷創新的思想與技術激勵世界、塑造未來。重新定義電視、智能手機、可穿戴設備、平板電腦、數碼電器、網絡系統、存儲、系統集成電路、半導體代工制造及LED解決方案。 欲了解更多最新消息,請訪問三星新聞中心:http://news.samsung.com ? ]]> 三星可直接驗證包括CXL產品和軟件在內的服務器配置元素,

該基礎設施將加速產品開發周期,并為客戶提供定制化解決方案

深圳 2024年6月25日 /美通社/ -- 今日,三星電子宣布已成功構建其首個經紅帽(Red Hat,全球領先的開源解決方案提供商)認證的Compute Express Link?(CXL?)基礎設施。

這意味著從CXL相關產品到軟件,構成服務器的各種元素現在都可以在位于韓國華城的三星存儲器研發中心 (SMRC) 直接進行驗證。一旦CXL產品通過三星驗證,即可立即注冊成為"紅帽認證"產品,從而大大加快產品開發速度。

三星電子構建首個紅帽認證的CXL基礎設施
三星電子構建首個紅帽認證的CXL基礎設施

作為該基礎設施的首個成果,三星本月成功驗證了其CMM-D產品,這也是三星在業界首例。三星還可以在早期開發階段優化產品,從而為客戶提供定制化解決方案。

"我們非常高興能與紅帽合作,為我們的客戶提供更可靠的CXL存儲產品,"三星電子副總裁兼新DRAM解決方案開發團隊負責人Taeksang Song表示。"我們將繼續在軟件和硬件領域開展合作,始終站在開發創新內存解決方案和CXL生態系統的前沿。"

紅帽韓國總經理Kyeong Sang Kim表示:"三星硬件針對紅帽軟件進行了優化,這彰顯了開源技術的價值,也體現了其對于擴展CMM-D等下一代內存解決方案的必要性。我們期待著繼續與三星合作,進一步將CXL解決方案推向市場。"

三星和紅帽合作,構建首個紅帽認證的CXL基礎設施
三星和紅帽合作,構建首個紅帽認證的CXL基礎設施

繼去年12月首次獲得紅帽的CXL存儲驗證后,三星的數據中心SSD產品也獲得了認證。使用經紅帽認證產品的客戶可以通過獲得頂級Linux支持來構建高性能系統,與三星穩定的硬件運營形成互補。

三星和紅帽還一直在各個領域密切合作,包括硬件和軟件的產品認證,致力于豐富下一代CXL生態系統。

在5月份于科羅拉多州丹佛市舉行的"紅帽全球峰會"上,三星展示了嵌入在"紅帽企業級Linux 9.3"的CMM-D[1],該方案增強了深度學習推薦模型(DLRM)的性能。

該演示利用了可擴展內存開發套件(SMDK)的內存交織軟件技術,突出了改進的內存訪問性能。配備SMDK的CMM-D通過加速數據處理、人工智能學習和推理速度,使客戶能夠構建高性能的人工智能模型,而無需進行大量投資。

展望未來,三星和紅帽將繼續深化合作,致力于提供廣泛適用于各種用戶系統的客戶解決方案,同時向合作伙伴和客戶推出新技術標準,共同擴展CXL內存生態系統。

[1] 注:CMM-D是三星的CXL存儲模組內存解決方案,它是基于PCIe接口并支持CXL協議的一種解決方案。

于三星

三星以不斷創新的思想與技術激勵世界、塑造未來。重新定義電視、智能手機、可穿戴設備、平板電腦、數碼電器、網絡系統、存儲、系統集成電路、半導體代工制造及LED解決方案。

欲了解更多最新消息,請訪問三星新聞中心:http://news.samsung.com

 

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三星攜全方位車載創新產品和解決方案首次亮相2024北京國際車展 2024-04-25 14:10:00 三星半導體北京車展展臺(中國國際展覽中心4號館) 三星傳感器和處理器:升級智駕體驗的兩大引擎 隨著出行體驗向數字化和智能化轉型,消費市場對車載信息娛樂系統和駕駛輔助系統的功能需求不斷增加。三星半導體在圖像傳感器領域推出了一系列創新產品,其中包括ISOCELL Auto 1H1、ISOCELL Auto 3B6和ISOCELL Auto 4AC等。ISOCELL Auto 1H1是專為提高ADAS/AD安全性而設計的單曝光HDR圖像傳感器,擁有830萬像素和120dB HDR,采用深溝隔離技術,為下一代汽車的像素革新提供了強大支持。ISOCELL Auto 3B6和ISOCELL Auto 4AC分別適用于高性能SVM攝像頭和SVM/RVM攝像頭,具備120dB HDR和LED閃爍抑制功能,可滿足各種光照條件下的安全駕駛需求。此外,三星還推出了Exynos Auto V920和Exynos Auto V9兩款處理器,不僅在性能上有了顯著提升,而且內置了先進的數字信號處理器(DSP)和雙核神經網絡處理器(NPU)引擎,為車載信息娛樂系統和駕駛輔助系統帶來了更強大的計算能力和智能化體驗。 三星存儲解決方案:助力車載技術創新的數據底座 隨著人工智能和大數據時代的發展,智能出行對數據存儲的需求也日益增長,為此,三星半導體推出了一系列創新存儲解決方案,包括LPDDR5X、GDDR7、AutoSSD(車載固態硬盤)、Detachable AutoSSD(可拆卸車載固態硬盤)和UFS 3.1等多樣化產品。這些解決方案嚴格符合汽車安全標準,同時在容量和性能方面取得重大突破。LPDDR5X是三星首創的優質低功耗DRAM,尺寸減半、功耗減小、性能增強,滿足車載系統對更優存儲器的需求;GDDR7顯存為圖形處理和人工智能提供高效能支持;AutoSSD和Detachable AutoSSD提供大容量和高讀寫速度,適應各種極限環境,為車內數據管理提供超高速支持;UFS 3.1擁有最大512GB容量、高達2100MB/s的讀取速度和2000MB/s的順序寫入速度,為智能出行提供快速、穩定的存儲支持。 三星晶圓代工:支持車載技術創新的可靠保障 隨著汽車產業智能化水平的提升,三星半導體晶圓代工正扮演著越來越重要的角色。三星在本次車展上展示了從28納米到2納米的車規級先進工藝技術路線,以及適用于車載的高性能8英寸工藝和BCD Power IC等電源管理解決方案。三星晶圓代工憑借先進的工藝技術,為合作伙伴提供覆蓋面向車載信息娛樂系統,PMIC/BMIC, ADAS/AD處理器與傳感器,以及MCU等全方面的晶圓代工解決方案,全力支持汽車行業合作伙伴打造更高性能、更可靠的出行體驗。 三星車載OLED屏:刷新智能體驗的顯示窗口 當前,OLED作為一種先進的自發光顯示技術,帶來了高響應速度和優秀的畫質,正成為車載OLED屏的理想選擇。2024北京國際車展上,三星顯示展示了前沿的車載OLED屏和技術,相較于LCD,三星OLED在各種氣候條件下表現卓越,更薄、更輕、更高效,帶來車載內飾新變革。此次亮相車展的'Flex Note Extendable?',采用折疊和滑動技術,尺寸可靈活調整,滿足不同尺寸需求。此外,現場展示的'Flex Magic Pixel?'技術,可以進一步提高智能設備的安全性,觀眾在三星顯示展區便可通過正面和側面分別觀察屏幕體驗其個人隱私保護功能。此外,7英寸OLED產品專為汽車后視鏡及小型中控顯示屏設計,快速響應和高畫質使其成為CMS的理想選擇。這些創新產品提升了汽車內飾美感,為駕駛者帶來便捷、智能的用車體驗。 本次三星半導體亮相北京國際車展,通過全方位車載領域的創新技術介紹和展示,彰顯了與中國汽車產業共發展的決心,三星將繼續深耕中國市場,積極探索并推動車載技術和產品的更新迭代,為助力中國智駕體驗升級而不斷努力。 * 本文中提及的功能、特點、規格和其他產品信息,包括但不限于產品優點、組件、性能、可用性和功能,如有更改,恕不另行通知。所有產品規格均反映內部測試結果,并可能因用戶的系統配置而異。實際性能可因使用條件和環境而異。 ]]> 深圳2024年4月25日 /美通社/ -- 2024年4月25日,三星半導體以"革新未來出行"為主題首次亮相第十八屆北京國際汽車展覽會(Auto China 2024, 以下簡稱北京國際車展)。北京國際車展作為中國汽車產業的風向標,吸引了各大汽車廠商的關注。三星半導體作為汽車零部件參展商之一,展出了其在車載領域的全方位創新產品和解決方案,希望借助這些創新技術進一步加強與中國市場的合作。

三星半導體北京車展展臺(中國國際展覽中心4號館)
三星半導體北京車展展臺(中國國際展覽中心4號館)

三星傳感器和處理器:升級智駕體驗的兩大引擎

隨著出行體驗向數字化和智能化轉型,消費市場對車載信息娛樂系統和駕駛輔助系統的功能需求不斷增加。三星半導體在圖像傳感器領域推出了一系列創新產品,其中包括ISOCELL Auto 1H1、ISOCELL Auto 3B6和ISOCELL Auto 4AC等。ISOCELL Auto 1H1是專為提高ADAS/AD安全性而設計的單曝光HDR圖像傳感器,擁有830萬像素和120dB HDR,采用深溝隔離技術,為下一代汽車的像素革新提供了強大支持。ISOCELL Auto 3B6和ISOCELL Auto 4AC分別適用于高性能SVM攝像頭和SVM/RVM攝像頭,具備120dB HDR和LED閃爍抑制功能,可滿足各種光照條件下的安全駕駛需求。此外,三星還推出了Exynos Auto V920和Exynos Auto V9兩款處理器,不僅在性能上有了顯著提升,而且內置了先進的數字信號處理器(DSP)和雙核神經網絡處理器(NPU)引擎,為車載信息娛樂系統和駕駛輔助系統帶來了更強大的計算能力和智能化體驗。


三星存儲解決方案:助力車載技術創新的數據底座

隨著人工智能和大數據時代的發展,智能出行對數據存儲的需求也日益增長,為此,三星半導體推出了一系列創新存儲解決方案,包括LPDDR5X、GDDR7、AutoSSD(車載固態硬盤)、Detachable AutoSSD(可拆卸車載固態硬盤)和UFS 3.1等多樣化產品。這些解決方案嚴格符合汽車安全標準,同時在容量和性能方面取得重大突破。LPDDR5X是三星首創的優質低功耗DRAM,尺寸減半、功耗減小、性能增強,滿足車載系統對更優存儲器的需求;GDDR7顯存為圖形處理和人工智能提供高效能支持;AutoSSD和Detachable AutoSSD提供大容量和高讀寫速度,適應各種極限環境,為車內數據管理提供超高速支持;UFS 3.1擁有最大512GB容量、高達2100MB/s的讀取速度和2000MB/s的順序寫入速度,為智能出行提供快速、穩定的存儲支持。


三星晶圓代工:支持車載技術創新的可靠保障

隨著汽車產業智能化水平的提升,三星半導體晶圓代工正扮演著越來越重要的角色。三星在本次車展上展示了從28納米到2納米的車規級先進工藝技術路線,以及適用于車載的高性能8英寸工藝和BCD Power IC等電源管理解決方案。三星晶圓代工憑借先進的工藝技術,為合作伙伴提供覆蓋面向車載信息娛樂系統,PMIC/BMIC, ADAS/AD處理器與傳感器,以及MCU等全方面的晶圓代工解決方案,全力支持汽車行業合作伙伴打造更高性能、更可靠的出行體驗。

三星車載OLED屏:刷新智能體驗的顯示窗口

當前,OLED作為一種先進的自發光顯示技術,帶來了高響應速度和優秀的畫質,正成為車載OLED屏的理想選擇。2024北京國際車展上,三星顯示展示了前沿的車載OLED屏和技術,相較于LCD,三星OLED在各種氣候條件下表現卓越,更薄、更輕、更高效,帶來車載內飾新變革。此次亮相車展的'Flex Note Extendable?',采用折疊和滑動技術,尺寸可靈活調整,滿足不同尺寸需求。此外,現場展示的'Flex Magic Pixel?'技術,可以進一步提高智能設備的安全性,觀眾在三星顯示展區便可通過正面和側面分別觀察屏幕體驗其個人隱私保護功能。此外,7英寸OLED產品專為汽車后視鏡及小型中控顯示屏設計,快速響應和高畫質使其成為CMS的理想選擇。這些創新產品提升了汽車內飾美感,為駕駛者帶來便捷、智能的用車體驗。

本次三星半導體亮相北京國際車展,通過全方位車載領域的創新技術介紹和展示,彰顯了與中國汽車產業共發展的決心,三星將繼續深耕中國市場,積極探索并推動車載技術和產品的更新迭代,為助力中國智駕體驗升級而不斷努力。

* 本文中提及的功能、特點、規格和其他產品信息,包括但不限于產品優點、組件、性能、可用性和功能,如有更改,恕不另行通知。所有產品規格均反映內部測試結果,并可能因用戶的系統配置而異。實際性能可因使用條件和環境而異。

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三星推出其當前最快、專為人工智能應用優化的10.7Gbps LPDDR5X 2024-04-17 10:00:00 專為人工智能應用優化的10.7Gbps LPDDR5X DRAM 利用12納米(nm)級工藝技術,三星實現了三星現有LPDDR中最小的芯片尺寸,鞏固了其在低功耗DRAM市場的技術卓越地位。 "隨著對低功耗、高性能內存需求的增加,LPDDR DRAM的應用領域有望從主要的移動領域擴展到PC、加速器、服務器和汽車等其他領域,傳統上說,它們需要更高性能和可靠性,"三星電子內存業務內存產品規劃執行副總裁YongCheol Bae表示,"三星將通過與客戶的密切合作,不斷創新,為即將到來的設備端人工智能時代提供更優的產品。" 隨著人工智能應用的激增,可在設備上直接處理的設備端人工智能正變得越來越重要,這凸顯了對低功耗、高性能LPDDR內存的需求。 與三星上一代產品相比,三星10.7Gbps LPDDR5X不僅將性能提高了25%以上,容量提高了30%以上,同時還將移動DRAM的單封裝容量擴展到了32GB,成為端側人工智能時代亟需高性能、大容量和低功耗內存的理想解決方案。 值得一提的是,LPDDR5X采用了專門的節能技術,可根據工作負載頻率調整和優化供電模式,以及擴展低功耗模式頻段從而延長低能耗工作時長。這些改進使能效比上一代產品提高了25%,從而延長了移動設備的電池壽命,并通過降低服務器處理數據時的能耗,最大限度地降低了總體擁有成本(TCO)。 經過與移動應用處理器(AP)和移動設備供應商的驗證之后,10.7Gbps LPDDR5X將于今年下半年開始量產。 ]]> 功能亮點包括:性能提升25%、容量提高30%、能效提高25%

新型LPDDR5X是未來端側人工智能的理想解決方案,預計將在個人電腦、加速器、服務器和汽車中得到更廣泛的應用

深圳2024年4月17日 /美通社/ -- 近日,三星宣布已開發出其首款支持高達10.7吉比特每秒(Gbps)的LPDDR5X DRAM。

專為人工智能應用優化的10.7Gbps LPDDR5X DRAM
專為人工智能應用優化的10.7Gbps LPDDR5X DRAM

利用12納米(nm)級工藝技術,三星實現了三星現有LPDDR中最小的芯片尺寸,鞏固了其在低功耗DRAM市場的技術卓越地位。

"隨著對低功耗、高性能內存需求的增加,LPDDR DRAM的應用領域有望從主要的移動領域擴展到PC、加速器、服務器和汽車等其他領域,傳統上說,它們需要更高性能和可靠性,"三星電子內存業務內存產品規劃執行副總裁YongCheol Bae表示,"三星將通過與客戶的密切合作,不斷創新,為即將到來的設備端人工智能時代提供更優的產品。"

隨著人工智能應用的激增,可在設備上直接處理的設備端人工智能正變得越來越重要,這凸顯了對低功耗、高性能LPDDR內存的需求。

與三星上一代產品相比,三星10.7Gbps LPDDR5X不僅將性能提高了25%以上,容量提高了30%以上,同時還將移動DRAM的單封裝容量擴展到了32GB,成為端側人工智能時代亟需高性能、大容量和低功耗內存的理想解決方案。

值得一提的是,LPDDR5X采用了專門的節能技術,可根據工作負載頻率調整和優化供電模式,以及擴展低功耗模式頻段從而延長低能耗工作時長。這些改進使能效比上一代產品提高了25%,從而延長了移動設備的電池壽命,并通過降低服務器處理數據時的能耗,最大限度地降低了總體擁有成本(TCO)。

經過與移動應用處理器(AP)和移動設備供應商的驗證之后,10.7Gbps LPDDR5X將于今年下半年開始量產。

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三星半導體在CFMS 2024分享移動、PC、服務器的創新技術和存儲解決方案 2024-03-20 14:45:00 三星電子執行副總裁兼解決方案產品工程師團隊負責人吳和錫(Hwaseok Oh)發表題為“與客戶同行,共筑創新之路”演講 在演講中,吳和錫強調了推動存儲創新的重要性,以及如何通過協同合作克服變革中出現的挑戰,并呼吁業界和客戶共同攜手推動技術進步。峰會上,三星半導體展出了面向移動端的JEDEC最新技術規格的UFS 4.0存儲,為加速服務器提供的PM9D3a, 以及基于CXL的創新內存池技術的CMM-D, 和針對AI和MI開發的基于CXL技術的混合式存儲解決方案的CMM-H。 在本次演講中,三星半導體著重介紹了圍繞與客戶攜手合作實現的幾個存儲領域的技術創新。三星在介紹QLC UFS的技術進展時,要與包括客戶在內的生態系統各方參與者開展緊密的合作。繼三星在2023年推出QLC UFS以后,現已準備批量生產。雖然QLC技術目前仍然處于早期階段,但三星QLC性能通過加入全新的TW2.0和HID技術,并且從縱向發力,不斷優化主機系統,提升用戶應用水平,使QLC產品在實際工作中表現穩定,給用戶帶來優異的性能。 三星電子執行副總裁兼解決方案產品工程師團隊負責人吳和錫(Hwaseok Oh)分享移動,PC,服務器的創新技術和存儲解決方案 為了滿足日漸增長的端側(End-to-End)人工智能的需求,實現大語言模型的端側運行,三星半導體計劃提升UFS接口速度并正在研發一款使用UFS 4.0技術的新產品,將通道數量從目前的2路提升到4路。同時,三星半導體也在積極參與UFS 5.0標準的討論,期望與移動公司和AP公司共同促進UFS 4.0 4通道和UFS 5.0的合作。 UFS 4.0是目前三星封裝體積最小、容量高達 1TB的移動存儲 在面向PC存儲方面,三星半導體介紹了在PCIe 4.0接口環境下表現優異的PM9C1a。 此外,為迎接PCIe5.0時代,三星半導體結合數據中心的先進經驗,計劃將PCIe 5.0應用于PC存儲。 PM9D3a是使用目前三星最先進的PCIe 5.0的固態硬盤,適用于大型數據運算,幫助加速數據中心。 三星半導體準備在多方面為客戶提供支持,以幫助PC客戶在數據中心部署支持PCIe5.0的SSD。演講中,三星半導體還提出了FDP技術,即通過控制數據布局來延長設備使用壽命。目前,FDP已經成為當下的解決方案,且已經具備了構建生態系統的四大要素,一是被批準成為NVMe標準,二是主機驅動程序已包含在Linux內核并已分發,三是推出全球首個支持FDP的SSD產品,最后三星開展通過案例研究證明了其在CacheLib應用中的有效性。基于這項技術,三星半導體已經與客戶展開合作,并計劃通過后續產品提升性能、強化特點提供更多支持,有望構建強大生態系統。 三星半導體還指出,目前搭載了DRAM的CXL產品很受歡迎,已成為新的技術范疇。三星第一代CMM-D搭載了支持CXL2.0的SoC的,計劃在2025年發布搭載第二代控制器、容量為128GB的新產品。與此同時,三星還在不斷研發同時使用NAND和DRAM的混合式CXL存儲模組架構,即針對AI和ML系統使用的CMM-H。 最后三星呼吁客戶積極參與高質量的測試數據收集,推動技術進步。 三星半導體將持續與客戶緊密合作,共同推動各行業邁向智能化轉型的新時代。 ]]> 深圳2024年3月20日 /美通社/ -- 在2024年CFMS閃存市場峰會上,三星半導體展示了其面向PC、移動端和服務器的多樣化創新存儲解決方案。三星電子執行副總裁兼解決方案產品工程師團隊負責人吳和錫(Hwaseok Oh),發表了題為"與客戶同行,共筑創新之路"的演講。

三星電子執行副總裁兼解決方案產品工程師團隊負責人吳和錫(Hwaseok Oh)發表題為“與客戶同行,共筑創新之路”演講
三星電子執行副總裁兼解決方案產品工程師團隊負責人吳和錫(Hwaseok Oh)發表題為“與客戶同行,共筑創新之路”演講

在演講中,吳和錫強調了推動存儲創新的重要性,以及如何通過協同合作克服變革中出現的挑戰,并呼吁業界和客戶共同攜手推動技術進步。峰會上,三星半導體展出了面向移動端的JEDEC最新技術規格的UFS 4.0存儲,為加速服務器提供的PM9D3a, 以及基于CXL的創新內存池技術的CMM-D, 和針對AI和MI開發的基于CXL技術的混合式存儲解決方案的CMM-H。

在本次演講中,三星半導體著重介紹了圍繞與客戶攜手合作實現的幾個存儲領域的技術創新。三星在介紹QLC UFS的技術進展時,要與包括客戶在內的生態系統各方參與者開展緊密的合作。繼三星在2023年推出QLC UFS以后,現已準備批量生產。雖然QLC技術目前仍然處于早期階段,但三星QLC性能通過加入全新的TW2.0和HID技術,并且從縱向發力,不斷優化主機系統,提升用戶應用水平,使QLC產品在實際工作中表現穩定,給用戶帶來優異的性能。

三星電子執行副總裁兼解決方案產品工程師團隊負責人吳和錫(Hwaseok Oh)分享移動,PC,服務器的創新技術和存儲解決方案
三星電子執行副總裁兼解決方案產品工程師團隊負責人吳和錫(Hwaseok Oh)分享移動,PC,服務器的創新技術和存儲解決方案

為了滿足日漸增長的端側(End-to-End)人工智能的需求,實現大語言模型的端側運行,三星半導體計劃提升UFS接口速度并正在研發一款使用UFS 4.0技術的新產品,將通道數量從目前的2路提升到4路。同時,三星半導體也在積極參與UFS 5.0標準的討論,期望與移動公司和AP公司共同促進UFS 4.0 4通道和UFS 5.0的合作。

UFS 4.0是目前三星封裝體積最小、容量高達 1TB的移動存儲
UFS 4.0是目前三星封裝體積最小、容量高達 1TB的移動存儲

在面向PC存儲方面,三星半導體介紹了在PCIe 4.0接口環境下表現優異的PM9C1a。

此外,為迎接PCIe5.0時代,三星半導體結合數據中心的先進經驗,計劃將PCIe 5.0應用于PC存儲。

PM9D3a是使用目前三星最先進的PCIe 5.0的固態硬盤,適用于大型數據運算,幫助加速數據中心。 三星半導體準備在多方面為客戶提供支持,以幫助PC客戶在數據中心部署支持PCIe5.0的SSD。演講中,三星半導體還提出了FDP技術,即通過控制數據布局來延長設備使用壽命。目前,FDP已經成為當下的解決方案,且已經具備了構建生態系統的四大要素,一是被批準成為NVMe標準,二是主機驅動程序已包含在Linux內核并已分發,三是推出全球首個支持FDP的SSD產品,最后三星開展通過案例研究證明了其在CacheLib應用中的有效性。基于這項技術,三星半導體已經與客戶展開合作,并計劃通過后續產品提升性能、強化特點提供更多支持,有望構建強大生態系統。

三星半導體還指出,目前搭載了DRAM的CXL產品很受歡迎,已成為新的技術范疇。三星第一代CMM-D搭載了支持CXL2.0的SoC的,計劃在2025年發布搭載第二代控制器、容量為128GB的新產品。與此同時,三星還在不斷研發同時使用NAND和DRAM的混合式CXL存儲模組架構,即針對AI和ML系統使用的CMM-H。

最后三星呼吁客戶積極參與高質量的測試數據收集,推動技術進步。 三星半導體將持續與客戶緊密合作,共同推動各行業邁向智能化轉型的新時代。

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三星全新microSD,憑借高性能和大容量助力移動計算和端側AI 2024-02-28 10:00:00 三星SD Express microSD 三星推出了采用SD Express接口的全新高性能microSD卡,這也是與客戶成功合作開發定制產品的成果。 得益于三星的低功耗設計以及為實現產品優良性能和可靠熱管理而專門優化的固件技術,三星SD Express microSD儲存卡能夠以小巧外形尺寸提供與SSD相媲美的性能。傳統microSD存儲卡采用UHS-1接口,讀取速度上限為104MB/s,而SD Express系列產品的最大讀取速度可達985MB/s,但截至目前,SD Express microSD存儲卡尚未投入商用。? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? 三星SD Express microSD存儲卡的順序讀取速度可達800MB/s,是SATA SSD(最高560MB/s)的1.4倍、傳統UHS-1接口存儲卡(最高200MB/s)的4倍以上,能夠在PC和移動設備等多種應用端得到更好的計算體驗。為確保SD Express microSD存儲卡性能穩定、質量可靠,三星采用了動態散熱保護(Dynamic Thermal Guard)技術,即使長時間使用,也能確保存儲卡溫度始終處于理想水平。 1TB UHS-1 microSD存儲卡,搭載先進1Tb V-NAND技術 三星1TB UHS-1 EVO Plus microSD ? 三星1TB UHS-1 PRO Plus microSD 三星在全新1TB microSD存儲卡上堆疊了八層三星第8代1Tb V-NAND,實現了過去僅能應用于SSD的大容量封裝。全新1TB microSD存儲卡已通過業內測試,即使在極具挑戰性的環境中也能保持穩定可靠。產品具備防水、耐極端溫度、防摔、防磨損、防X射線和防磁[4]等六重防護特性。 推出時間? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ?? 256GB SD Express microSD存儲卡將于今年內推出,1TB UHS-1 microSD存儲卡預計將于今年第三季度投入市場。 [1] GB=1,000,000,000字節(10億字節)。實際可用容量可能會少于標識容量。 [2] SD Express:全新SD存儲卡接口支持PCIe Gen3x1 協議(基于2019年2月發布的SD 7.1規范),理論傳輸速度可達985MS/s。 [3] 1TB=1,000,000,000,000字節(1萬億字節)。實際可用存儲容量可能會有所不同。 [4] 對于存儲卡數據恢復過程中出現的任何數據損壞/損失或費用,三星概不負責。六重防護僅針對1TB UHS-1 microSD存儲卡,不包括256GB SD Express microSD存儲卡。1米深度,海水,持續72小時。工作溫度-25℃至85℃(-13°F to 185°F),非工作溫度-40℃至85℃ (-40°F to 185°F)。可承受標準機場X光機器(高達100mGy)。相當于高磁場MRI掃描儀的磁場(高達15,000高斯)。可承受高達5米(16.4 英尺)的摔落。最高10,000 次插拔。 ? ]]> 三星推出其首款256GB SD Express microSD存儲卡,其傳輸速度為三星現有接口速度的4倍以上

三星1TB UHS-1 microSD存儲卡搭載其最新V-NAND技術,現已投入量產

深圳2024年2月28日 /美通社/ -- 三星電子今日宣布,已開始向客戶提供其256GB[1]SD Express[2] microSD存儲卡樣品,該款存儲卡順序讀取速度最高可達800MB/s,此外,1TB[3] UHS-1 microSD存儲卡現已進入量產階段。隨著新一代microSD存儲卡產品的推出,三星將著力打造差異化存儲解決方案,更好滿足未來移動計算和端側人工智能應用的需求。

"來自移動計算和端側人工智能應用的需求與日俱增,三星推出的這兩款全新micro SD卡為應對這一問題提供了有效解決方案。"三星電子品牌存儲事業部全球副總裁Hangu Sohn表示,"盡管存儲卡尺寸極小,但能夠帶來SSD(固態硬盤)級別的強大性能和超大容量,幫助用戶充分利用要求嚴格的現代和未來應用。"

三星首款SD Express microSD存儲卡,傳輸速度最高可達800MB/s

三星SD Express microSD
三星SD Express microSD

三星推出了采用SD Express接口的全新高性能microSD卡,這也是與客戶成功合作開發定制產品的成果。

得益于三星的低功耗設計以及為實現產品優良性能和可靠熱管理而專門優化的固件技術,三星SD Express microSD儲存卡能夠以小巧外形尺寸提供與SSD相媲美的性能。傳統microSD存儲卡采用UHS-1接口,讀取速度上限為104MB/s,而SD Express系列產品的最大讀取速度可達985MB/s,但截至目前,SD Express microSD存儲卡尚未投入商用。                                                             

三星SD Express microSD存儲卡的順序讀取速度可達800MB/s,是SATA SSD(最高560MB/s)的1.4倍、傳統UHS-1接口存儲卡(最高200MB/s)的4倍以上,能夠在PC和移動設備等多種應用端得到更好的計算體驗。為確保SD Express microSD存儲卡性能穩定、質量可靠,三星采用了動態散熱保護(Dynamic Thermal Guard)技術,即使長時間使用,也能確保存儲卡溫度始終處于理想水平。

1TB UHS-1 microSD存儲卡,搭載先進1Tb V-NAND技術

三星1TB UHS-1 EVO Plus microSD
三星1TB UHS-1 EVO Plus microSD

 

三星1TB UHS-1 PRO Plus microSD
三星1TB UHS-1 PRO Plus microSD

三星在全新1TB microSD存儲卡上堆疊了八層三星第8代1Tb V-NAND,實現了過去僅能應用于SSD的大容量封裝。全新1TB microSD存儲卡已通過業內測試,即使在極具挑戰性的環境中也能保持穩定可靠。產品具備防水、耐極端溫度、防摔、防磨損、防X射線和防磁[4]等六重防護特性。

推出時間                                                                

256GB SD Express microSD存儲卡將于今年內推出,1TB UHS-1 microSD存儲卡預計將于今年第三季度投入市場。

[1] GB=1,000,000,000字節(10億字節)。實際可用容量可能會少于標識容量。

[2] SD Express:全新SD存儲卡接口支持PCIe Gen3x1 協議(基于2019年2月發布的SD 7.1規范),理論傳輸速度可達985MS/s。

[3] 1TB=1,000,000,000,000字節(1萬億字節)。實際可用存儲容量可能會有所不同。

[4] 對于存儲卡數據恢復過程中出現的任何數據損壞/損失或費用,三星概不負責。六重防護僅針對1TB UHS-1 microSD存儲卡,不包括256GB SD Express microSD存儲卡。1米深度,海水,持續72小時。工作溫度-25℃至85℃(-13°F to 185°F),非工作溫度-40℃至85℃ (-40°F to 185°F)。可承受標準機場X光機器(高達100mGy)。相當于高磁場MRI掃描儀的磁場(高達15,000高斯)。可承受高達5米(16.4 英尺)的摔落。最高10,000 次插拔。

 

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三星發布其首款36GB HBM3E 12H DRAM,滿足人工智能時代的更高要求 2024-02-27 10:00:00 三星首款36GB HBM3E 12H DRAM HBM3E 12H采用了先進的熱壓非導電薄膜(TC NCF)技術,使得12層和8層堆疊產品的高度保持一致,以滿足當前HBM封裝的要求。因為行業正在尋找緩解薄片帶來的芯片彎曲問題,這項技術將在更高的堆疊中帶來更多益處。三星一直在努力降低其非導電薄膜(NCF)材料的厚度,并實現芯片之間的間隙最小化至7微米(μm),同時消除了層與層之間的空隙。這些努力使其HBM3E 12H產品的垂直密度比其HBM3 8H產品提高了20%以上。 三星先進的熱壓非導電薄膜(TC NCF)技術還通過允許在芯片之間使用不同尺寸的凸塊(bump)改善HBM的熱性能。在芯片鍵合(chip bonding)過程中,較小凸塊用于信號傳輸區域,而較大凸塊則放置在需要散熱的區域。這種方法有助于提高產品的良率。 隨著人工智能應用的指數級增長,HBM3E 12H有望成為未來系統的優選解決方案,滿足系統對更大存儲的需求。憑借超高性能和超大容量,HBM3E 12H將幫助客戶更加靈活地管理資源,同時降低數據中心的總體擁有成本(TCO)。相比HBM3 8H,HBM3E 12H搭載于人工智能應用后,預計人工智能訓練平均速度可提升34%,同時推理服務用戶數量也可增加超過11.5倍[1]。 目前,三星已開始向客戶提供HBM3E 12H樣品,預計于今年下半年開始大規模量產。 [1] 基于內部模擬結果 ]]> 三星HBM3E 12H DRAM是目前三星容量最大的HBM,憑借三星卓越的12層堆疊技術,其性能和容量可大幅提升50%以上

先進的TC-NCF技術有效提升垂直密度和熱性能

三星致力于滿足人工智能時代對高性能和大容量解決方案的更高要求

深圳2024年2月27日 /美通社/ -- 三星電子今日宣布,公司成功發布其首款12層堆疊HBM3E DRAM——HBM3E 12H,這是三星目前為止容量最大的HBM產品。                                                          

三星HBM3E 12H支持全天候最高帶寬達1280GB/s,產品容量也達到了36GB。相比三星8層堆疊的HBM3 8H,HBM3E 12H在帶寬和容量上大幅提升超過50%。

“當前行業的人工智能服務供應商越來越需要更高容量的HBM,而我們的新產品HBM3E 12H正是為了滿足這種需求而設計的,” 三星電子存儲器產品企劃團隊執行副總裁 Yongcheol Bae 表示,“這一新的存儲解決方案是我們研發多層堆疊HBM核心技術以及在人工智能時代為高容量HBM市場提供技術領導力而努力的一部分。

三星首款36GB HBM3E 12H DRAM
三星首款36GB HBM3E 12H DRAM

HBM3E 12H采用了先進的熱壓非導電薄膜(TC NCF)技術,使得12層和8層堆疊產品的高度保持一致,以滿足當前HBM封裝的要求。因為行業正在尋找緩解薄片帶來的芯片彎曲問題,這項技術將在更高的堆疊中帶來更多益處。三星一直在努力降低其非導電薄膜(NCF)材料的厚度,并實現芯片之間的間隙最小化至7微米(µm),同時消除了層與層之間的空隙。這些努力使其HBM3E 12H產品的垂直密度比其HBM3 8H產品提高了20%以上。

三星先進的熱壓非導電薄膜(TC NCF)技術還通過允許在芯片之間使用不同尺寸的凸塊(bump)改善HBM的熱性能。在芯片鍵合(chip bonding)過程中,較小凸塊用于信號傳輸區域,而較大凸塊則放置在需要散熱的區域。這種方法有助于提高產品的良率。

隨著人工智能應用的指數級增長,HBM3E 12H有望成為未來系統的優選解決方案,滿足系統對更大存儲的需求。憑借超高性能和超大容量,HBM3E 12H將幫助客戶更加靈活地管理資源,同時降低數據中心的總體擁有成本(TCO)。相比HBM3 8H,HBM3E 12H搭載于人工智能應用后,預計人工智能訓練平均速度可提升34%,同時推理服務用戶數量也可增加超過11.5倍[1]

目前,三星已開始向客戶提供HBM3E 12H樣品,預計于今年下半年開始大規模量產。

[1] 基于內部模擬結果

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三星與紅帽攜手推動CXL存儲生態系統擴展并取得重要進展 2023-12-27 10:00:00 三星存儲器研究中心(與紅帽合作) 由于生成式人工智能、自動駕駛和內存數據庫(IMDB)等新興領域對數據吞吐量和內存的需求呈指數級增長,對具有更大內存帶寬和容量的系統的需求也在迅速增加。CXL 作為一種統一的接口標準,通過 PCIe? 接口連接 CPU、GPU 和內存設備等各種處理器,解決了現有系統在速度、延遲和可擴展性方面的限制。 三星電子內存產品規劃執行副總裁Yongcheol Bae表示:"三星一直與軟件、數據中心、服務器及芯片組提供商等行業合作伙伴密切合作,一直站在構建CXL內存生態系統方面的前線。我們與紅帽的 CXL 內存技術合作是先進軟件與硬件合作的典范,這將豐富并加速整個 CXL 生態系統的發展。" 在最新進展中,三星針對紅帽企業級Linux? (RHEL) 9.3 [1]優化了其 CXL 內存,并在紅帽的KVM[2]和Podman[3] 環境中驗證了內存識別、讀取和寫入操作。這意味著數據中心客戶能夠輕松使用三星的 CXL 內存技術,且無需對現有硬件進行額外調整。 紅帽公司高級副總裁兼亞太區負責人Marjet Andriesse表示:"三星CXL內存擴展器與紅帽企業級 Linux互操作性的成功驗證具有重要意義,因為它拓展了CXL內存擴展器在基于IaaS[4](基礎設施即服務)和PaaS[5] (平臺即服務)的紅帽軟件中的適用性。這是硬件和軟件集成的重要里程碑,為下一代內存開發構建了一個開源生態系統。" 三星和紅帽正在合作編寫《RHEL 9.3 CXL內存使用指南》,旨在幫助用戶在RHEL 9.3上充分發揮三星的CXL內存性能,并在各種用戶環境中構建高性能計算系統。 三星存儲器研究中心(與紅帽合作) 三星和紅帽于2022年5月首次簽署了關于合作開發下一代內存的合作意向書(MOU),并決定通過三星存儲器研究中心(SMRC)持續推動CXL開源代碼和參考模型的開發。目前雙方的合作涵蓋了多個領域,包括NVMe固態硬盤、CXL內存、計算內存/存儲和Fabrics等一系列存儲和內存產品。 [1] 紅帽企業級Linux? (RHEL) 9.3是紅帽公司最新的服務器操作系統,提供卓越的性能和穩定性。 [2]?KVM:虛擬機,即Kernel-based Virtual Machine的簡稱,是一個開源的系統虛擬化模塊。 [3]?Red Hat Podman:由紅帽公司推出的容器管理工具,不受基礎設施環境限制,驅動應用程序的虛擬化技術。 [4] 基礎設施即服務(IaaS)是一種云計算服務模型,它提供了虛擬化的計算資源作為服務。 [5] 平臺即服務(PaaS) ]]> 三星首次在業內成功驗證CXL內存與紅帽最新操作系統在用戶環境中的互操作性

這一進展將支持數據中心和企業客戶利用CXL內存進行高性能計算,無需對硬件進行重大調整

深圳2023年12月27日 /美通社/ -- 三星宣布,與開源軟件提供商紅帽(Red Hat)攜手,首次成功在真實用戶環境中驗證了Compute Express Link?(CXL?)內存技術的運行,這將進一步擴大三星的 CXL生態系統。

三星存儲器研究中心(與紅帽合作)
三星存儲器研究中心(與紅帽合作)

由于生成式人工智能、自動駕駛和內存數據庫(IMDB)等新興領域對數據吞吐量和內存的需求呈指數級增長,對具有更大內存帶寬和容量的系統的需求也在迅速增加。CXL 作為一種統一的接口標準,通過 PCIe® 接口連接 CPU、GPU 和內存設備等各種處理器,解決了現有系統在速度、延遲和可擴展性方面的限制。

三星電子內存產品規劃執行副總裁Yongcheol Bae表示:"三星一直與軟件、數據中心、服務器及芯片組提供商等行業合作伙伴密切合作,一直站在構建CXL內存生態系統方面的前線。我們與紅帽的 CXL 內存技術合作是先進軟件與硬件合作的典范,這將豐富并加速整個 CXL 生態系統的發展。"

在最新進展中,三星針對紅帽企業級Linux® (RHEL) 9.3 [1]優化了其 CXL 內存,并在紅帽的KVM[2]和Podman[3] 環境中驗證了內存識別、讀取和寫入操作。這意味著數據中心客戶能夠輕松使用三星的 CXL 內存技術,且無需對現有硬件進行額外調整。

紅帽公司高級副總裁兼亞太區負責人Marjet Andriesse表示:"三星CXL內存擴展器與紅帽企業級 Linux互操作性的成功驗證具有重要意義,因為它拓展了CXL內存擴展器在基于IaaS[4](基礎設施即服務)和PaaS[5](平臺即服務)的紅帽軟件中的適用性。這是硬件和軟件集成的重要里程碑,為下一代內存開發構建了一個開源生態系統。"

三星和紅帽正在合作編寫《RHEL 9.3 CXL內存使用指南》,旨在幫助用戶在RHEL 9.3上充分發揮三星的CXL內存性能,并在各種用戶環境中構建高性能計算系統。

三星存儲器研究中心(與紅帽合作)
三星存儲器研究中心(與紅帽合作)

三星和紅帽于2022年5月首次簽署了關于合作開發下一代內存的合作意向書(MOU),并決定通過三星存儲器研究中心(SMRC)持續推動CXL開源代碼和參考模型的開發。目前雙方的合作涵蓋了多個領域,包括NVMe固態硬盤、CXL內存、計算內存/存儲和Fabrics等一系列存儲和內存產品。

[1] 紅帽企業級Linux® (RHEL) 9.3是紅帽公司最新的服務器操作系統,提供卓越的性能和穩定性。

[2] KVM:虛擬機,即Kernel-based Virtual Machine的簡稱,是一個開源的系統虛擬化模塊。

[3] Red Hat Podman:由紅帽公司推出的容器管理工具,不受基礎設施環境限制,驅動應用程序的虛擬化技術。

[4] 基礎設施即服務(IaaS)是一種云計算服務模型,它提供了虛擬化的計算資源作為服務。

[5] 平臺即服務(PaaS)

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三星發布兩款最新ISOCELL Vizion傳感器,專為機器人和XR應用定制 2023-12-19 10:00:00 三星ISOCELL Vizion 63D 傳感器 ToF傳感器的原理與蝙蝠在黑暗中使用回聲定位導航相似:通過檢測光束發射到物體再返回傳感器的時間來計算距離和深度。 三星ISOCELL Vizion 63D作為一款間接飛行時間(iToF)傳感器,它通過檢測發射和反射光束之間的相位差來感知其周圍的三維環境。63D傳感器具有出色的準確度和清晰度,是服務業和工業機器人的理想選擇,其對需要高分辨率和精確深度檢測的XR設備和面部驗證至關重要。 ISOCELL Vizion 63D是三星首款具有集成深度感知硬件圖像信號處理器(ISP)的iToF傳感器。憑借著創新的單芯片設計,它可以無需其他芯片的幫助而精準捕獲3D深度信息,并且與ISOCELL Vizion 33D相比,功耗降低40%。這款傳感器還可以在QVGA分辨率(320x240)下,以高達每秒320幀的速度進行高速圖像處理,從而滿足商業和工業市場中對顯示分辨率的高要求。 參考業界最小型iToF傳感器的像素尺寸,ISOCELL Vizion 63D僅有3.5?像素大小,在1/6.4"光學格式內達到視頻圖形陣列(VGA)級別分辨率(640x480),靈活適配于各類便攜式設備。 借助背面散射技術(BST)提高傳感器的量子效率,Vizion 63D在940納米(nm)紅外光波長下提高至38%,接近業界最高的量子效率水平。這樣能夠增強感光度并降低噪點,從而以最少運動模糊的情況下生成更為清晰的畫質。 此外,ISOCELL Vizion 63D支持泛光(短距離高分辨率)和聚光(長距離)照明模式,將可測距離范圍從5米提升至10米。 ISOCELL Vizion 931:為精準捕捉動態瞬間而革新 三星ISOCELL Vizion 931 傳感器 ISOCELL Vizion 931是一款專為捕捉動態瞬間而設計的全局快門圖像傳感器,即使拍攝快速運動的物體也不會出現果凍效應。與從上到下以"滾動"方式逐行掃描場景的卷簾快門傳感器不同,全局快門傳感器以類似人眼的成像方式一次性或"全局"捕捉整個場景。這使得ISOCELL Vizion 931能夠捕捉清晰而不失真的移動中的物體圖像,非常適合用于動作追蹤的擴展現實(XR)設備、游戲系統、服務及物流機器人和無人機。 Vizion 931采用1:1的VGA分辨率(640 x 640)設計,可在更小的外形尺寸中封裝更多的像素,使其成為虹膜識別的優質選擇,同時還能在XR等頭戴式顯示設備中檢測如面部表情和手勢的細微動作。 ISOCELL Vizion 931 還通過結合前深溝隔離 (FDTI)實現了接近業界最高水平的量子效率,在850納米(nm) 紅外光波長下提高至 60%。除了 ISOCELL Vizion 63D 中使用的 BST 方法之外,像素之間的絕緣層能以最大限度提高光吸收量。 Vizion 931支持多路連接,可通過單根電線無縫連接多達四個攝像頭至應用處理器。該傳感器盡可能減少布線,為設備制造商提供更多設計上的靈活性。 三星ISOCELL Vizion 63D和ISOCELL Vizion 931傳感器目前正在向全球OEM廠商提供樣品。 *除非經特殊說明,本網站中所涉及的數據均為三星內部測試結果,涉及的對比均為與三星產品相比較。 ]]> ToF傳感器ISOCELL Vizion 63D以卓越細節捕捉高分辨率3D圖像

全局快門傳感器ISOCELL Vizion 931精準捕捉高清動態瞬間

深圳2023年12月19日 /美通社/ -- 三星電子推出兩款ISOCELL影像傳感器:ToF(飛行時間)傳感器ISOCELL Vizion 63D和全局快門傳感器ISOCELL Vizion 931。三星ISOCELL Vizion系列于2020年首次推出,包括ToF傳感器、全局快門傳感器,專門用于為下一代移動、商業和工業應用提供視覺支持。

三星電子傳感器業務團隊執行副總裁Haechang Lee表示:"三星ISOCELL Vizion 63D和ISOCELL Vizion 931采用先進的傳感器技術,對于機器人和擴展現實(XR)等未來高科技應用至關重要。憑借著我們在技術創新上的豐富歷史,我們致力于推動快速擴張的圖像傳感器市場向前發展。"

ISOCELL Vizion 63D:專為以卓越細節捕捉高分辨率3D像而設計

三星ISOCELL Vizion 63D 傳感器
三星ISOCELL Vizion 63D 傳感器

ToF傳感器的原理與蝙蝠在黑暗中使用回聲定位導航相似:通過檢測光束發射到物體再返回傳感器的時間來計算距離和深度。

三星ISOCELL Vizion 63D作為一款間接飛行時間(iToF)傳感器,它通過檢測發射和反射光束之間的相位差來感知其周圍的三維環境。63D傳感器具有出色的準確度和清晰度,是服務業和工業機器人的理想選擇,其對需要高分辨率和精確深度檢測的XR設備和面部驗證至關重要。

ISOCELL Vizion 63D是三星首款具有集成深度感知硬件圖像信號處理器(ISP)的iToF傳感器。憑借著創新的單芯片設計,它可以無需其他芯片的幫助而精準捕獲3D深度信息,并且與ISOCELL Vizion 33D相比,功耗降低40%。這款傳感器還可以在QVGA分辨率(320x240)下,以高達每秒320幀的速度進行高速圖像處理,從而滿足商業和工業市場中對顯示分辨率的高要求。

參考業界最小型iToF傳感器的像素尺寸,ISOCELL Vizion 63D僅有3.5?像素大小,在1/6.4"光學格式內達到視頻圖形陣列(VGA)級別分辨率(640x480),靈活適配于各類便攜式設備。

借助背面散射技術(BST)提高傳感器的量子效率,Vizion 63D在940納米(nm)紅外光波長下提高至38%,接近業界最高的量子效率水平。這樣能夠增強感光度并降低噪點,從而以最少運動模糊的情況下生成更為清晰的畫質。

此外,ISOCELL Vizion 63D支持泛光(短距離高分辨率)和聚光(長距離)照明模式,將可測距離范圍從5米提升至10米。

ISOCELL Vizion 931:精準捕捉動態瞬間革新

三星ISOCELL Vizion 931 傳感器
三星ISOCELL Vizion 931 傳感器

ISOCELL Vizion 931是一款專為捕捉動態瞬間而設計的全局快門圖像傳感器,即使拍攝快速運動的物體也不會出現果凍效應。與從上到下以"滾動"方式逐行掃描場景的卷簾快門傳感器不同,全局快門傳感器以類似人眼的成像方式一次性或"全局"捕捉整個場景。這使得ISOCELL Vizion 931能夠捕捉清晰而不失真的移動中的物體圖像,非常適合用于動作追蹤的擴展現實(XR)設備、游戲系統、服務及物流機器人和無人機。

Vizion 931采用1:1的VGA分辨率(640 x 640)設計,可在更小的外形尺寸中封裝更多的像素,使其成為虹膜識別的優質選擇,同時還能在XR等頭戴式顯示設備中檢測如面部表情和手勢的細微動作。

ISOCELL Vizion 931 還通過結合前深溝隔離 (FDTI)實現了接近業界最高水平的量子效率,在850納米(nm) 紅外光波長下提高至 60%。除了 ISOCELL Vizion 63D 中使用的 BST 方法之外,像素之間的絕緣層能以最大限度提高光吸收量。

Vizion 931支持多路連接,可通過單根電線無縫連接多達四個攝像頭至應用處理器。該傳感器盡可能減少布線,為設備制造商提供更多設計上的靈活性。

三星ISOCELL Vizion 63D和ISOCELL Vizion 931傳感器目前正在向全球OEM廠商提供樣品。

*除非經特殊說明,本網站中所涉及的數據均為三星內部測試結果,涉及的對比均為與三星產品相比較。

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三星半導體亮相第六屆進博會 分享面向未來的創新解決方案 2023-11-06 12:22:00 三星半導體進博會展臺(國家會展中心4.1館) ? 三星半導體進博會展臺(國家會展中心4.1館) 面向AI時代的存儲解決方案 在此次進博會上,三星半導體展出了包括第三代超高速高帶寬內存HBM3E Shinebolt、CMM-D等一系列滿足AI時代的數據中心應用需求的創新存儲解決方案。 其中,新一代HBM3E Shinebolt在展會上吸引了眾多關注。與前代產品相比,其傳輸速率將提升達43%,每千兆字節(GB)的功耗將減少達20%。此外,HBM3E Shinebolt采用了非導電薄膜(NCF)技術,保證設備的穩定運行。HBM3E Shinebolt憑借高達1.15TB/s的帶寬,能夠有效提升數據中心的運算效率,從而推動AI技術的進一步發展。 重塑移動設備體驗,探索手機影像未來 在面向未來的智能移動設備方面,三星半導體展出了擁有2億像素超高分辨率的圖像傳感器ISOCELL HP2。 借助三星雙垂直傳輸門技術,用戶在使用搭載ISOCELL HP2的智能手機拍攝時,即使高亮環境下也能還原像素的色彩和細節。先進的深度學習算法能夠使裁剪或縮放的照片仍然保持足夠的清晰度。而超級QPD自動對焦技術和Tetra2pixel 十六合一像素技術能夠幫助用戶在暗光環境下快速捕捉高光時刻。除此之外,得益于雙斜率增益和Smart-ISO Pro技術,ISOCELL HP2可生成高達50MP的HDR圖像,為手機影像創作者提供了極大的自由度,開啟"電影級"的智能手機影像時代。 革新未來出行的下一代車載技術 在汽車半導體領域,三星半導體展出的包括令汽車視覺更敏銳的車載圖像傳感器ISOCELL Auto 1H1;使智能汽車前照燈更加智能精巧的PixCell LED;可支持6個高分辨率顯示器多屏異顯的汽車處理器V920,助力未來智能出行領域創新發展。 除此之外,三星半導體還展出了包括AutoSSD(車載固態硬盤)、Auto UFS 3.1 (車載通用閃存)以及為車載應用優化設計的Auto LPDDR5/X等車載存儲解決方案,為實現智能、安全、互聯的智能駕駛提供技術支撐。 未來,三星半導體將繼續秉持開放創新的合作理念,以創新驅動發展,用技術賦能產業,通過技術和產品的不斷迭代創新,開啟未來發展的新格局。 ]]> 深圳2023年11月6日 /美通社/ -- 2023年11月5日,第六屆中國國際進口博覽會(以下簡稱"進博會")在上海國家會展中心盛大開幕。今年是三星電子連續參展的第六年,在本次進博會上,三星半導體全面展示了面向智能汽車、消費電子、人工智能等熱點應用及新興產業的創新半導體技術。

三星半導體進博會展臺(國家會展中心4.1館)
三星半導體進博會展臺(國家會展中心4.1館)

 

三星半導體進博會展臺(國家會展中心4.1館)
三星半導體進博會展臺(國家會展中心4.1館)

面向AI時代的存儲解決方案

在此次進博會上,三星半導體展出了包括第三代超高速高帶寬內存HBM3E Shinebolt、CMM-D等一系列滿足AI時代的數據中心應用需求的創新存儲解決方案。

其中,新一代HBM3E Shinebolt在展會上吸引了眾多關注。與前代產品相比,其傳輸速率將提升達43%,每千兆字節(GB)的功耗將減少達20%。此外,HBM3E Shinebolt采用了非導電薄膜(NCF)技術,保證設備的穩定運行。HBM3E Shinebolt憑借高達1.15TB/s的帶寬,能夠有效提升數據中心的運算效率,從而推動AI技術的進一步發展。

重塑移動設備體驗,探索手機影像未來

在面向未來的智能移動設備方面,三星半導體展出了擁有2億像素超高分辨率的圖像傳感器ISOCELL HP2。

借助三星雙垂直傳輸門技術,用戶在使用搭載ISOCELL HP2的智能手機拍攝時,即使高亮環境下也能還原像素的色彩和細節。先進的深度學習算法能夠使裁剪或縮放的照片仍然保持足夠的清晰度。而超級QPD自動對焦技術和Tetra²pixel 十六合一像素技術能夠幫助用戶在暗光環境下快速捕捉高光時刻。除此之外,得益于雙斜率增益和Smart-ISO Pro技術,ISOCELL HP2可生成高達50MP的HDR圖像,為手機影像創作者提供了極大的自由度,開啟"電影級"的智能手機影像時代。

革新未來出行的下一代車載技術

在汽車半導體領域,三星半導體展出的包括令汽車視覺更敏銳的車載圖像傳感器ISOCELL Auto 1H1;使智能汽車前照燈更加智能精巧的PixCell LED;可支持6個高分辨率顯示器多屏異顯的汽車處理器V920,助力未來智能出行領域創新發展。

除此之外,三星半導體還展出了包括AutoSSD(車載固態硬盤)、Auto UFS 3.1 (車載通用閃存)以及為車載應用優化設計的Auto LPDDR5/X等車載存儲解決方案,為實現智能、安全、互聯的智能駕駛提供技術支撐。

未來,三星半導體將繼續秉持開放創新的合作理念,以創新驅動發展,用技術賦能產業,通過技術和產品的不斷迭代創新,開啟未來發展的新格局。

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三星推出其首個LPCAMM內存解決方案 開啟內存模組新未來 2023-09-26 10:00:00 三星LPCAMM內存模組結構示意圖 截至目前,個人計算機和筆記本電腦都在使用傳統的 LPDDR DRAM 或基于 DDR 的 So-DIMM(小型雙重內嵌式內存模組)。然而受結構限制,LPDDR需要被直接安裝在設備的主板上,導致其在維修或升級換代期間難以更換。相比之下,雖然So-DIMM 可以更方便地被安裝或拆卸,但在性能、功耗和其他物理特性方面還存在諸多限制。 隨著行業對更高效、更小巧設備的需求日益增長,LPCAMM 有望同時克服LPDDR 和 So-DIMM 的缺陷。LPCAMM 作為一種可拆卸模組,在制造過程中為個人計算機和筆記本電腦制造商提供了更大的靈活性。此外,與 So-DIMM 相比,LPCAMM 在主板上所占的最多可減少 60%。這不僅能更有效地利用設備的內部空間,還將性能和能效分別提高了50% 和 70%。 LPCAMM比So-DIMM尺寸縮小60% LPDDR的省電特性使其應用于服務器上被廣泛看好,它可以幫助數據中心實現降本增效。然而,LPDDR 在實際使用中有一定的限制,例如在升級服務器的 DRAM 規格時必須更換整個主板。而使用 LPCAMM 則可以避免這些問題,這使其成為未來數據中心和服務器潛在的優選解決方案。 ?"LPCAMM的能效和可修性優勢使這種新形態有機會改變當今PC市場的游戲規則。"英特爾內存和IO技術副總裁Dimitrios Ziakas博士表示: "我們很高興能參與制定新標準,為客戶端PC生態系統提供支持,并為未來在更廣泛的細分市場中被采用,以及為技術的創新奠定基礎。" 三星LPCAMM內存模組為PC生態系統提供支持 三星電子存儲器產品企劃團隊執行副總裁Yongcheol Bae表示:"隨著各領域對高性能、低能耗和具備制造靈活性的創新內存解決方案的需求不斷增長,LPCAMM有望被廣泛應用在個人計算機、筆記本電腦和數據中心。三星將積極擴展 LPCAMM解決方案市場,并與業界保持密切合作,共同探索其新的應用領域。" 三星將于今年與包括英特爾在內的主要客戶一起,將LPCAMM應用于下一代系統進行測試,并計劃將于?2024 年實現其商業化。 ]]> 基于 LPDDR  LPCAMM 將引領計算機的下一代內存模組市場 有望應用于數據中心
So-DIMM 相比,LPCAMM性能提高 50%,能效提高 70%,面積縮小 60%計將于 2024 年實現商業化

深圳2023年9月26日 /美通社/ -- 三星電子宣布已開發出其首款 7.5Gbps(千兆字節每秒)低功耗壓縮附加內存模組(LPCAMM)形態規格,這有望改變個人計算機和筆記本電腦的 DRAM(動態隨機存取存儲器) 市場,甚至改變數據中心的DRAM市場。三星的突破性研發成果已在英特爾平臺上完成了系統驗證。

三星LPCAMM內存模組結構示意圖
三星LPCAMM內存模組結構示意圖

截至目前,個人計算機和筆記本電腦都在使用傳統的 LPDDR DRAM 或基于 DDR 的 So-DIMM(小型雙重內嵌式內存模組)。然而受結構限制,LPDDR需要被直接安裝在設備的主板上,導致其在維修或升級換代期間難以更換。相比之下,雖然So-DIMM 可以更方便地被安裝或拆卸,但在性能、功耗和其他物理特性方面還存在諸多限制。

隨著行業對更高效、更小巧設備的需求日益增長,LPCAMM 有望同時克服LPDDR 和 So-DIMM 的缺陷。LPCAMM 作為一種可拆卸模組,在制造過程中為個人計算機和筆記本電腦制造商提供了更大的靈活性。此外,與 So-DIMM 相比,LPCAMM 在主板上所占的最多可減少 60%。這不僅能更有效地利用設備的內部空間,還將性能和能效分別提高了50% 和 70%。

LPCAMM比So-DIMM尺寸縮小60%
LPCAMM比So-DIMM尺寸縮小60%

LPDDR的省電特性使其應用于服務器上被廣泛看好,它可以幫助數據中心實現降本增效。然而,LPDDR 在實際使用中有一定的限制,例如在升級服務器的 DRAM 規格時必須更換整個主板。而使用 LPCAMM 則可以避免這些問題,這使其成為未來數據中心和服務器潛在的優選解決方案。

 "LPCAMM的能效和可修性優勢使這種新形態有機會改變當今PC市場的游戲規則。"英特爾內存和IO技術副總裁Dimitrios Ziakas博士表示: "我們很高興能參與制定新標準,為客戶端PC生態系統提供支持,并為未來在更廣泛的細分市場中被采用,以及為技術的創新奠定基礎。"

三星LPCAMM內存模組為PC生態系統提供支持
三星LPCAMM內存模組為PC生態系統提供支持

三星電子存儲器產品企劃團隊執行副總裁Yongcheol Bae表示:"隨著各領域對高性能、低能耗和具備制造靈活性的創新內存解決方案的需求不斷增長,LPCAMM有望被廣泛應用在個人計算機、筆記本電腦和數據中心。三星將積極擴展 LPCAMM解決方案市場,并與業界保持密切合作,共同探索其新的應用領域。"

三星將于今年與包括英特爾在內的主要客戶一起,將LPCAMM應用于下一代系統進行測試,并計劃將于 2024 年實現其商業化。

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