- 助力人工智能數據中心、機器人等領域實現高效化與小型化的關鍵技術
- 專屬氮化鎵多項目晶圓項目計劃于10月底推出
- 將BCD工藝技術優勢拓展至氮化鎵、碳化硅等化合物半導體領域

韓國首爾2025年9月11日 /美通社/ -- 全球領先的8英寸特色晶圓代工廠DB HiTek今日宣布，其下一代功率半導體平臺 -- 650V增強型氮化鎵高電子遷移率晶體管(GaN HEMT)工藝開發已進入最終階段。該公司還將于10月底推出專屬氮化鎵多項目晶圓(MPW)項目。

與傳統硅基功率器件相比，氮化鎵半導體在高壓、高頻及高溫工作環境下具備卓越性能，功率效率出眾。特別是650V增強型氮化鎵HEMT，憑借其高速開關性能與穩健的運行穩定性，成為電動汽車充電設施、超大規模數據中心電源轉換系統及先進5G網絡設備的理想選擇。

早在2022年化合物半導體市場初現雛形時，DB HiTek便將氮化鎵與碳化硅確立為核心增長引擎，持續加大工藝研發投入。公司發言人表示："DB HiTek憑借開發全球首款0.18微米BCDMOS工藝等成就，已在硅基功率半導體領域獲得國際認可。通過新增氮化鎵工藝能力，我們將以更廣泛的技術組合增強市場競爭力。"

完成650V氮化鎵HEMT工藝開發后，DB HiTek計劃在2026年底前推出200V氮化鎵工藝及針對集成電路優化的650V氮化鎵工藝。未來公司還將根據市場需求和客戶要求，將氮化鎵平臺拓展至更廣泛的電壓范圍。

為支持這些舉措，DB HiTek正在擴建位于韓國忠清北道的Fab2潔凈室設施。此次擴建預計每月新增約3.5萬片8英寸晶圓產能，支持氮化鎵、BCDMOS和碳化硅工藝的生產。擴建完成后，DB HiTek的晶圓月總產能將提升23%，從15.4萬片增至19萬片。

與此同時，DB HiTek將參加于9月15日至18日在釜山BEXCO舉行的2025年國際碳化硅及相關材料會議（The International Conference on Silicon Carbide and Related Materials，簡稱"ICSCRM"）。在此次全球行業論壇上，DB HiTek將重點展示碳化硅工藝開發進展，同時展示其氮化鎵和BCDMOS技術，與客戶及行業領袖開展深度交流。

…… 德國最大的功率半導體展會于紐倫堡舉行（5月6日至8日）
…… 分享模擬與電源、專用CIS、SiC和GaN技術的最新進展

韓國首爾2025年4月7日 /美通社/ -- 領先的8英寸晶圓代工企業DB HiTek將參加于當地時間5月6日至5月8日在德國紐倫堡舉行的2025年德國紐倫堡電力電子系統及元器件展覽會（簡稱"PCIM 2025"），這是歐洲最大的功率半導體展會，DB HiTek希望借此擴大其在歐洲市場的影響力。

DB HiTek計劃在展會上展示其世界領先的BCDMOS、專用CIS以及下一代功率半導體碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）的最新技術進展。特別值得一提的是，DB HiTek一直積極開發的作為未來關鍵增長驅動力的SiC和GaN功率半導體工藝，將在此次活動中重點展出。

今年2月，DB HiTek通過完全自主內部加工，確定了其8英寸SiC晶圓的基本特性。該公司目標是在今年全年提高良率和可靠性，并計劃在2025年底前向客戶提供該工藝。

此外，DB HiTek已成功開發出具有650V HEMT（高電子遷移率晶體管）特性的8英寸GaN工藝，并計劃在今年內完成可靠性驗證。該公司宣布將于10月推出專用的GaN多項目晶圓(MPW)服務，積極支持客戶的產品評估。

根據市場研究機構Yole Développement的數據，全球SiC和GaN功率半導體市場預計將從2024年的36億美元增長到2027年的76億美元，年復合增長率高達27.6%。

關于參加PCIM 2025，DB HiTek表示："此次展會將為我們提供一個契機，展示我們在支持無晶圓廠客戶以及與歐洲市場的全球客戶合作方面已獲認可的優勢。"

DB HiTek已確立了其在8英寸模擬和功率半導體工藝領域的全球領先地位。然而，與其他地區相比，其在歐洲的客戶群體相對較小。該公司希望利用此次展會，通過獲取新客戶并加強與現有客戶的合作，來擴大其在不斷增長的歐洲市場的業務版圖。

目前，DB HiTek正在為400家公司批量生產芯片，模擬和電源半導體的8英寸晶圓累計出貨量已達600萬片。公司還掌握了包括X射線傳感器、全局快門和SPAD（單光子雪崩二極管）在內的專用CIS工藝技術，并正與多個合作伙伴積極投入批量生產。其半導體應用涵蓋移動、消費和工業領域，近年來汽車芯片的比重也在不斷增加。

韓國首爾2024年6月3日 /美通社/ -- 韓國領先的專業晶圓代工廠DB HiTek正在加強其在汽車、工業、機器人和醫療領域應用廣泛的全域快門和單光子雪崩二極管(SPAD)工藝技術，以拓展其專業圖像傳感器業務。

全域快門是一種傳感器，可捕捉快速移動物體的圖像而不會失真。機器視覺、汽車、無人機、機器人和醫療設備等多個領域對全域快門的需求正在迅速增長，預計2022年至2029年的年均市場增長率將達到16%。

DB HiTek的7 Tr電荷區全域快門采用光屏蔽和光導技術，在5.6 um像素下實現了PLS≥35,000，并支持各種尺寸，最小可達2.8 um像素（PLS≥10,000）。

寄生光敏度(PLS)是一個表示光敏感性的概念，PLS達到10000或更高時表明快門效率水平高得足以實現99.99%的光探測率（噪聲發生率低于萬分之一）。

DB HiTek的6 Tr電荷區全域快門可確保在2.8 μm像素、60C的條件下，PLS ≥10,000，存儲暗電流≤20e/s。這項工藝預計將于今年年底完成，并提供給客戶。

SPAD是一種超高靈敏度三維圖像傳感器，可檢測到粒子級的微弱光信號。它精度高，可進行遠距離測量，是未來實現自動駕駛汽車、AR/VR設備、機器人和智能手機等先進技術的關鍵部件。

DB HiTek的第二代SPAD工藝在BSI結構中采用了背面散射技術(BST)和背面深溝槽隔離技術(BDTI)，在波長為940 nm時，光子探測概率為15.8%，達到了先進的技術水平。此外，它還實現了相當于0.69 cps/um²的暗電流速率（DCR）性能，相當于典型CIS的暗電流，從而提高了質量。

在升級版全域快門和第二代SPAD工藝上午基礎上，DB HiTek計劃積極支持無晶圓廠客戶拓展專業圖像傳感器業務。

DB HiTek的一位主管表示："目前，我們公司正與美國、歐洲、中國、日本等地區的全球領先公司合作開發產品。"他補充說："我們計劃通過提供定制工藝、用于像素開發模擬的TDK以及可以節省顧客費用的多層掩膜(MLM)等服務，來加強對客戶的支持。"

與此同時，DB HiTek最近通過與歐洲一家領先的醫療傳感器專業公司合作成功開發產品，拓展了X射線CIS業務。先進的質量和良率特性得到了客戶的積極響應。公司將在繼醫療領域之后，把業務擴展到制造領域。

關于DB HiTek

DB HiTek Co., Ltd.總部位于韓國，是世界領先的專業晶圓代工廠，提供廣泛的支持服務和強大的具有競爭力的工藝技術組合，包括模擬/電源(BCDMOS)、CMOS圖像傳感器(CIS)、混合信號、高壓CMOS、RF HRS/SOI CMOS、超結MOSFET技術。欲了解更多信息，請訪問www.dbhitek.com。

韓國首爾2023年10月31日 /美通社/ -- 最近，8英寸晶圓代工廠DB HITEK正在升級超高壓（UHV）電力半導體工藝技術，并正式推進相關業務。

超高壓電力半導體工藝技術的應用領域廣泛，包括家電、汽車、通信、工業等，支持設計和制造用于驅動電機的 Gate Driver IC。Gate Driver IC市場占電力半導體IC市場的8%，預計自2022年至2027年年平均增長率達109%，需求有望大幅增加。

DB HITEK采用了以具競爭優勢的電力半導體技術為基礎，拓展超高壓電力半導體業務，從而提升競爭力的戰略。

通過此次工藝技術升級，DB HITEK將創造能夠在Gate Driver IC中同時使用Level-Shifter絕緣方式和Galvanic絕緣方式的環境。由此，客戶們可以發揮芯片便于設計的Level-Shifter和高壓操作穩定性較高的Galvanic絕緣的各自優勢，并且該工藝的應用范圍也有望從現有的家電領域擴展至汽車、太陽能領域。

今年5月，DB HITEK首度推出了可以應用于系統空調等大功率壓縮機，且采用寬電壓，便于設計的900V級Level-Shifter。此外，實現了原本安裝于芯片外部的Bootstrap Diode內置自主研發了縮小體積的技術，并申請了專利，創造了不同于其他代工廠的Gate Driver IC設計環境。

DB HITEK表示，未來將確保可在矽電半導體中實現的全區間工藝技術， 并提供適用于各領域的最佳Gate Driver設計環境。

具體來說，DB HITEK計劃于2024年1月將在Gate Driver IC市場中占最大比重10%的家電領域提供最佳600V工藝，并于年內依次確保用于電動滑板車及電動踏板車的200V工藝和用于紡織機及工規用1200V工藝，提升超高壓電力半導體的競爭力。

韓國首爾2023年3月9日 /美通社/ -- 在功率半導體需求的推動下，DB HiTek上個月的開工率上升至80%左右。這與業界對代工廠開工率將下降至60%的擔憂相距甚遠。去年上半年，盡管Fab處于滿負荷狀態，但新開發件數仍持續增加，這提升了客戶信賴度并對近期需求恢復起到了積極作用。

從移動設備、家電到汽車產業，功率半導體的應用領域非常廣，以多品種少量生產為特征，與其他產品群相比，可在發生經濟波動時保持穩定，經濟回升時能夠更快作出反應并趨于上升。

其中，DB HiTek一直以比移動設備需求更穩定且附加價值更高的汽車產業領域為中心，致力于開發適于客戶的特色產品，這有助于維持穩定的開工率。

DB HiTek開始關注功率半導體領域是在21世紀00年代中期。因為據判斷，與TSMC、UMC一度占領優勢的普通邏輯工藝相比，雖然市場規模較小，但發展性和附加價值較高，一旦具備技術競爭力，就能維持長期的市場支配力。

當時韓國國內沒有技術基礎，DB HiTek經過長期試錯，于2008年開發出業界最早的0.18微米級BCDMOS（復合電壓元件）工藝，由此開始在技術方面領先一步。之后，DB HiTek的功率半導體客戶從2010年的40多個增長至約240個，新產品開發件數也從每年200件增長至約600件，增長了近3倍。

快速增長得益于DB HiTek的優秀技術競爭力與最近的環保型高電壓、高電力功率半導體產品市場需求的增加相吻合。

DB HiTek可最大限度地降低功率半導體的電阻值，將單位面積的電流量最大化，從而將芯片尺寸最小化，擁有的電壓域也非常廣，從5V到900V，以此擴展系列產品。特別是順應汽車產業用產品的要求電壓上升的趨勢，在致力于新工藝及產品開發的同時, 同步進行設備投資以擴大高電壓功率半導體產能。

另外，作為最適合多品種少量功率半導體的代工廠之一，雖然每年管理2000多個產品生產，但根據客戶評價，不良率僅為先進公司水平的一半，以業界一流技術力為傲。

目前，DB HiTek在中國大陸IC設計公司中的地位與TSMC相提并論。去年在半導體不足的情況下，也穩定供應了客戶所需貨量，并積極支持新產品開發，直至最近開發件數還在增加。

另外，據市場調查機構OMDIA預測，功率半導體市場規模將從2022年的313億美元擴大至2026年的392億美元，年均增長約6%。

韓國首爾2023年1月31日 /美通社/ -- DB HiTek通過專門針對全局快門和單光子雪崩二極管(SPAD)的代工工藝技術，開始拓展高附加值的專業圖像傳感器業務，備受汽車、機器人等多個行業的關注。

基于安全的工藝技術，該公司計劃通過擴展進入新的高增長領域，如工業機器視覺、自動駕駛汽車和增強現實技術(AR)，來提高盈利能力。

全局快門是一種傳感器，可以捕捉快速移動物體的圖像而不失真,積極應用于機器視覺（一種使計算設備能夠檢查、評估和識別靜止或移動圖像的技術）。機器視覺最近已經成為"智能工廠的眼睛"，其應用范圍正迅速擴展到機器人、無人機和汽車領域。

DB HiTek的全局快門采用遮光罩和導光技術防止光信號失真，擁有99.997%（噪聲發生不到1/10000）的全局快門效率(GSE)性能，并且能支持最小至2.8微米的多種像素尺寸。

此外，SPAD是一種超靈敏的3D圖像傳感器，可以檢測光子（光粒子）水平的弱光信號，基于其高精度和遠程測量的優勢，是自動駕駛汽車激光雷達（激光探測和測距）的核心部件。最近，它通過在高端智能手機上支持增強現實功能而迅速應用，未來其作用將廣泛擴展到機器人和無人機等新一代應用領域。

激光雷達，也被稱為飛行時間(ToF)傳感器，是一種高精度部件，能夠識別從傳感器發射光線到物體反射回光線所需的飛行時間，從而測量出傳感器與物體之間的距離。

同時，根據市場研究機構Markets and Markets，激光雷達市場預計將繼續保持22%的年均增長，從2021年的13億美元增長到2026年的34億美元。

DB HiTek的SPAD工藝確保了基于940nm波長的FSI（前照式）光子探測概率為3.2%，BSI（背照式）為7%。此外，它計劃未來通過BDTI（背照式深溝槽隔離，通過在像素之間形成絕緣部分，最小化光損耗，提高光學性能）工藝將光子探測概率提升至15%，從而擁有業內最大的競爭力。

DB HiTek營銷副總裁Cheonman Shim表示："我們專注于基于全局快門和SPAD工藝與全球領先的業內公司進行產品開發，目標是在年內實現量產。我們計劃通過提供最佳的復雜工藝和工藝設計套件(PDK)來加強對客戶在正確的時間進入市場的支持。"

關于DB HiTek 

DB HiTek總部位于韓國，是世界領先的專業代工公司，擁有廣泛的支持服務，以及強大的競爭工藝技術組合，包括模擬/電源(BCDMOS)、CMOS圖像傳感器(CIS)、混合信號、高壓CMOS、射頻HRS/SOI CMOS、超級結MOSFET技術。更多信息，請訪問www.dbhitek.com。