韓國首爾2024年6月28日 /美通社/ -- SK海力士（或‘公司’，https://www.skhynix.com）28日宣布，公司開發出用于端側（On-Device）AI* PC的業界最高性能固態硬盤（SSD，Solid State Drive）產品‘PCB01’。

* 端側（On-Device）AI：在設備本身上實現AI運行，而非依賴物理分離的服務器進行計算。由于智能手機或PC等終端設備自行收集信息并進行計算，可提升AI功能的反應速度、加強用戶定制性AI服務功能。

SK海力士表示：“公司業界率先將PCB01適用了‘PCIe* 5.0 x8接口**’技術，以顯著提升數據處理速度等性能。繼HBM等超高性能DRAM后，也在NAND閃存解決方案方面，公司成功開發最高標準的產品以引領面向AI的存儲器市場。”

* PCIe（Peripheral Component Interconnect express）：用于數字設備主板上串行結構的高速輸入/輸出接口。

** 接口：在固態硬盤內NAND閃存和控制器之間數據輸入/輸出（I/O）接口的數量。隨著此接口數量增加，PCIe的世代提升的同時，數據處理速度會有改善。x4接口產品專注于普通PC市場，而x8接口產品專注于高性能PC市場。

公司正在與全球PC客戶進行對新產品的驗證，計劃驗證完成后今年內開始量產，并同時推出面向大型客戶和普通消費者的產品。

在面向PC的固態硬盤產品中，PCB01能提供業界最高標準的順序讀寫速度，分別高達14GB/s（每秒14千兆字節）和12GB/s（每秒12千兆字節），這是一秒內能夠運行AI學習和推理所需的大型語言模型*的速度。

*大型語言模型（LLM，Large Language Model）：一種基于大數據訓練的語言模型，對執行生成式人工智能任務如文本生成、摘要、翻譯等均發揮核心作用。

與上一代產品相比，PCB01的功耗效率提升了30%以上，可大幅提升大規模AI計算的穩定性。同時，SK海力士在該產品上應用了SLC*緩存（SLC Caching）技術。該技術使部分NAND閃存存儲單元能夠以高速的SLC模式運行，其不僅有助于提升AI應用的速度，還能提高普通PC的工作速度。

* SLC：NAND閃存存儲器根據每個存儲單元（Cell）中存儲的數據位數（bit）分為SLC（Single Level Cell，1位）、MLC（Multi Level Cell，2位）和TLC（Triple Level Cell，3位）等不同規格。隨著存儲容量的增加，同一面積內可以存儲更多的數據，但速度和穩定性會相應降低。SLC僅對所需數據具有提高處理速度的功能。

此外，PCB01還搭載了保護個人信息的安全功能。公司的技術團隊在此產品中配置安全解決方案信任跟（ROT）*，以防止外部攻擊和數據偽造、篡改，同時保護用戶密碼。PCB01將提供512GB、1TB（太字節）、2TB三種容量。

* 信任根（ROT，Root of Trust）：防止數據偽造、篡改，能確保安全的硬件模塊

SK海力士NAND閃存解決方案委員會（N-S Committee）擔當副社長安炫表示：“此新產品與前一代相比性能顯著提升，目前幾家面向端側AI PC的中央處理器公司提出兼容性驗證合作。公司計劃順利進行此產品的客戶驗證和量產，鞏固面向AI的存儲器市場內的領先地位。”

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SK海力士總部位于韓國，是一家全球領先的半導體供應商，為全球客戶提供DRAM（動態隨機存取存儲器），NAND Flash（NAND快閃存儲器）和CIS（CMOS圖像傳感器）等半導體產品。公司于韓國證券交易所上市，其全球托存股份于盧森堡證券交易所上市。若想了解更多，請點擊公司網站www.skhynix.com, news.skhynix.com.cn。

韓國首爾2023年10月25日 /美通社/ -- SK海力士（或‘公司'，https://www.skhynix.com）25日宣布， 公司開始推進"LPDDR5T(Low Power Double Data Rate 5 Turbo) DRAM"的商用化*，其目前移動DRAM中可實現9.6Gbps（每秒9.6千兆）最高速度。SK海力士表示，最近獲得了將LPDDR5T DRAM適用于美國高通技術公司（Qualcomm Technologies，以下簡稱高通）最新第三代驍龍8移動平臺（Snapdragon®8 Gen 3 Mobile Platform）的業內首次認證。

*LPDDR（低功耗雙倍數據速率）：是用于智能手機和平板電腦等移動端產品的DRAM規格，因以耗電量最小化為目的，具有低電壓運行特征。規格名稱附有"LP（Low Power，低功耗）"，最新規格為第七代LPDDR（5X），按1-2-3-4-4X-5-5X的順序開發而成。LPDDR5T是SK海力士業內首次開發的產品，是第八代LPDDR6正式問世之前，將第七代LPDDR（5X）性能進一步升級的產品。

自今年1月開發出LPDDR5T DRAM以來，SK海力士與高通進行了兼容性驗證合作。兩家公司在結合LPDDR5T DRAM和高通的最新第三代驍龍8移動平臺的智能手機上進行驗證得出，兩款產品都發揮出了優秀的性能。

SK海力士強調："公司的LPDDR5T DRAM成功完成與全球權威通信芯片公司高通等主要移動AP（Application Processor）供應商的性能驗證，今后移動設備中LPDDR5T DRAM的布局將迅速擴大。"

公司計劃向客戶提供以LPDDR5T DRAM單品芯片結合而成的16GB（千兆）容量套裝產品。該產品的數據處理速度為每秒77GB，其相當于1秒內可處理15部全高清（Full-HD，FHD）級電影。

另外，LPDDR5T DRAM可在國際半導體標準化組織（JEDEC）規定的最低電壓標準范圍1.01~1.12V（伏特）下運行，在功耗方面也具備了優勢。

SK海力士技術團隊在開發該產品的過程中，采用了HKMG（High-K Metal Gate）*工藝，在運行速度和功耗方面都有效提高了性能。由此公司期待，在下一代的LPDDR6 DRAM問世前，LPDDR5T DRAM在移動DRAM市場上占據很大比重。

*HKMG：在DRAM晶體管內的絕緣膜上采用高K柵電介質，在防止漏電的同時還可改善電容（Capacitance）的新一代工藝。不僅可以提高內存速度，還可降低功耗。SK海力士于去年11月在移動DRAM上全球首次采用了HKMG工藝。

高通技術公司產品管理高級副總裁（Senior Vice President of Product Management）Ziad Asghar表示："第三代驍龍8產品可以低功耗下無延遲驅動生成型AI為基礎的大語言模型（LLM）和大視覺模型（LVM）。驍龍移動平臺和SK海力士的最高速移動DRAM相結合，智能手機用戶將能夠體驗驚人的AI功能。"

SK海力士DRAM商品企劃擔當副社長柳成洙表示："LPDDR5T DRAM成功滿足了全球客戶對超高性能移動DRAM需求，對此感到很高興。"

柳副社長還補充道："預計今后智能手機將成長為驅動AI技術的核心應用。為此，需要通過移動DRAM持續提高智能手機的性能，公司將繼續加強與高通的合作，努力提高該領域的技術能力。"

Snapdragon is a trademark or registered trademark of Qualcomm Incorporated.
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韓國首爾2023年6月8日 /美通社/ -- SK海力士（或‘公司'，https://www.skhynix.com）8日宣布，已開始量產238層4D NAND閃存，并正在與生產智能手機的海外客戶公司進行產品驗證。此前，公司于去年8月成功開發出世界最高238層NAND閃存。

SK海力士強調："公司以238層NAND閃存為基礎，成功開發適用于智能手機和PC的客戶端SSD（Client SSD）解決方案產品，并在5月已開始量產。公司在176層甚至在238層產品，都確保了成本、性能和品質方面的世界頂級競爭力，期待這些產品在下半年能夠起到改善公司業績的牽引作用。"

238層NAND閃存作為世界上最小體積的芯片，生產效率比上一代的176層提升了34%，成本競爭力得到了大幅改善。此產品的數據傳輸速度為每秒2.4Gb(千兆比特)，比上一代的速度快50%。并且也改善了約20%的讀寫性能，由此公司自信，可將為采用該產品的智能手機和PC客戶提供更高的性能。

SK海力士計劃在完成智能手機客戶公司的驗證后，首先向移動端產品供應238層NAND閃存，隨后將其適用范圍擴大到基于PCIe 5.0*的PC固態硬盤（SSD）和數據中心級高容量固態硬盤產品等。

*PCIe 5.0：PCIe（Peripheral Component Interconnect Express）是為高速輸入、輸出數據而開發的串行結構的接口規格。PCIe 5.0可提供PCIe 4.0的二倍帶寬（32GT/s，千兆傳輸/秒）。

SK海力士238層NAND擔當副社長金占壽表示："公司今后將繼續突破NAND閃存技術局限，并加強競爭力，在即將到來的市場反彈周期迎來大轉機。"

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韓國首爾2023年2月1日 /美通社/ -- SK海力士（或‘公司’，https://www.skhynix.com）今日發布截至2022年12月31日的2022財年及第四季度財務報告。公司2022財年結合并收入為44.6481萬億韓元，營業利潤為7.0066萬億韓元，凈利潤為2.4389萬億韓元。2022財年營業利潤率為16%，凈利潤率為5%。

SK海力士表示：“雖然去年銷售額持續增長，但從下半年開始半導體市況持續低迷，因此營業利潤與前一年相比有所減少。隨著經營環境的不確定性提高，公司將減少投資和費用以集中于高成長性行業，最大限度地減少因市況惡化產生的影響。”

去年，公司在服務器和PC市場提升了高容量DRAM產品的供應量，同時向具有發展勢頭的AI（人工智能）、大數據、云端客戶提升了本公司超前技術的DDR5和HBM等產品的銷售。特別是數據中心SSD（固態硬盤）的銷售收入，與去年相比去年，增加4倍的成果。

但是，從去年下半年起隨著存儲器需求減少，產品價格大幅下跌，公司的第四季度經營業績由盈轉虧。公司2022財年第四季度結合并收入為7.6986萬億韓元，營業虧損為1.7012萬億韓元，凈虧損為3.5235萬億韓元。第四季度營業損失率為22%，凈損失率為46%。這是公司自2012年第三季度以來首次出現季度營業虧損。

SK海力士表示：“雖然今年上半年的低迷市況在持續深化，但從全年整體來看，預計市況會越到下半年就越好。”業界預測，由于減少投資和減產的基調，半導體存儲器企業的供應不見增加，因此產品庫存將從第一季度開始減少。

此外，公司預測，IT企業將增加與產業高點相比價格大幅下降的存儲器半導體的使用量，市場需求也將逐漸回升。

SK海力士財務擔當副社長（CFO）金祐賢表示：“由于最近英特爾公司推出了兼容DDR5的新一代CPU（中央處理器），公司正關注著市場上出現以AI為基礎的新服務器替換存儲器需求的積極信號。SK海力士在面向數據中心的DDR5和基于176層NAND閃存的企業級SSD上擁有了全球頂級技術力量，期待在市場反彈時能夠快速扭轉局面。”

另外，就如公司在去年10月的財報發布時表示，今年的投資規模將維持與去年的19萬億韓元相比減少50%以上的基調。但是，公司計劃持續投資DDR5/LPDDR5、HBM3等主力產品的量產和未來高成長領域。

金祐賢副社長表示：“公司將通過克服低迷市況，打造下更堅固的基石，盡最大努力成為全球超一流技術企業。”

• 2022財年財務報表

以合并報表為準                單位: 10億韓元

• 2022財年第四季度財務報表

以合并報表為準                                               單位: 10億韓元

 * 本報告根據K-IFRS（韓國會計準則）編制

請注意：本文涉及的財報相關內容僅代表截止2022年12月31日的初步資料。讀者不得認為這些信息在以后仍然有效。此外，這些信息可能包括前瞻性陳述，涉及各種風險和不確定性，并可能導致實際結果出現重大差異。有關這些風險和不確定性的進一步討論，讀者應參考SK海力士向韓國交易所提交的文件。本文件既不是出售也不是要求出售SK海力士證券的要約。

"These materials are not an offer for sale of the securities of SK hynix Inc. in the United States. The securities may not be offered or sold in the United States absent registration with the U.S. Securities and Exchange Commission or an exemption from registration under the U.S. Securities Act of 1933, as amended. SK hynix Inc. does not intend to register any offering in the United States or to conduct a public offering of securities in the United States. "

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韓國首爾2023年1月12日 /美通社/ -- SK海力士（或‘公司’，https://www.skhynix.com）12日宣布，公司研發的第四代10納米級（1a）DDR5服務器DRAM獲得了英特爾（Intel^®）近期上市的全新第四代Xeon^®服務器處理器（代號為Sapphire Rapids）兼容認證。

SK海力士表示：“公司采用1a納米工藝的DDR5首次在支持DDR5的全新英特爾中央處理器（CPU）上獲得兼容性認可，這是具有里程碑意義的成果。將通過目前在量產的DDR5積極應對增長趨勢的服務器市場，盡早克服存儲器半導體的低迷市況。”

在1月10日(美國時間)公司采用EUV（極紫外線）技術的1a納米DDR5 DRAM產品獲得了英特爾推出的第四代Xeon^®服務器處理器可支持的存儲器認證。

業界一直將英特爾公司的“Sapphire Rapids”作為存儲器半導體行業反彈的關鍵，期待著該產品的上市。因為新一代服務器用CPU上市后，現有的服務器需要進行更換，從而高性能存儲器的銷售會相應出現急劇增長，DDR5就可以滿足需求高性能的客戶要求。專家們預測，DDR5將盡早成為服務器DRAM市場的主力產品。

SK海力士的DDR5與DDR4相比，功耗最多可減少約20%，性能至少提升70%以上，有望為服務器客戶提供高效能功耗比*和降低碳排放量的效果。

* 效能功耗比：每一定單位功率每秒可處理的數據容量指標

在此次英特爾的DDR5認證，SK海力士還成功獲得了第二代10納米級(1y)DDR5的認證。據此，公司期待以廣泛的技術為基礎，可以提供客戶16Gb、24Gb等多種DDR5產品，服務器DRAM的銷售將進一步活躍。

SK海力士DRAM商品企劃負責副社長柳成洙表示：“跟進英特爾Sapphire Rapids的上市，我們正在與多數客戶為擴大DDR5的采用進行緊密合作，將在持續增長的服務器市場中鞏固領先地位。”

英特爾內存和IO技術副總裁Dimitrios Ziakas博士表示：“英特爾一直與SK海力士、JEDEC共同努力，為了實現DDR5與我們最新的處理器優化并兼容緊密合作。第四代Xeon^®服務器處理器與DDR5將為數據中心客戶提供最強的性能體驗。”

另外，SK海力士還與英特爾合作發行了DDR5白皮書（White paper）。白皮書包含了DDR5的優點以及基于Sapphire Rapids的1a納米級DDR5優秀性能等內容。公司期待今后對希望采用本公司DDR5的服務器客戶，此白皮書能作為參考資料使用。

<SK海力士DDR5 DRAM開發成果>
- 2020年10月，推出全球首款DDR5 DRAM
- 2021年12月，全球首次提供24Gb DDR5樣品
- 2023年1月，1a納米級DDR5服務器DRAM全球首獲英特爾認證

* Intel, the Intel logo, and other Intel marks are trademarks of Intel Corporation or its subsidiaries.

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韓國首爾2023年1月6日 /美通社/ -- SK海力士（或‘公司’，https://www.skhynix.com）今日宣布，SK海力士副會長兼聯合CEO樸正浩于在美國拉斯維加斯CES 2023開幕前一天與高通公司舉行會談探討加強合作。

1月4日（美國時間），樸正浩副會長與SK海力士社長兼聯合CEO郭魯正及其他高層領導，與高通公司總裁兼CEO安蒙(Cristiano Amon)在拉斯維加斯舉行了會談。

雙方高層就眾多話題展開討論，涉及半導體與其相關的整體未來產業。

高通公司是全球最大的智能手機應用處理器供應商之一，并且一直致力于將業務擴展至汽車、消費、工業和物聯網等應用領域。

SK海力士表示：“高通公司正在尋求業務擴展機會，此時舉行高層會談恰逢其時。我們期望此次會談能夠為雙方更積極的交流鋪平道路，為我們供應業界頂級的存儲解決方案等國際合作進一步激活提供機會。”

樸副會長表示SK海力士與全球ICT公司的合作將不受地域與行業的限制：“我們將以我們的技術為依托，與全球科技公司積極合作，探索各種商業機會。”

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首爾2022年12月27日 /美通社/ -- SK海力士（或‘公司'，www.skhynix.com）于27日表示，公司將參與明年1月5日至8日在美國拉斯維加斯舉行的世界最大的電子、IT展示會 -- "CES 2023"，展示主力存儲器產品和新的產品陣容。

SK海力士強調："在此次CES上，公司同步SK集團的‘無碳未來'方向，決定將大幅減少碳排放的產品，以‘綠色數字解決方案'為主題進行展示。公司將公開的產品陣容不僅能減少環境影響，在性能和效率方面也比上一代大幅改善，期待能吸引全球科技客戶和專家的眾多關注。"

最近，隨著AI、大數據、無人駕駛、元宇宙等尖端科技產業成長速度的加快，全球技術企業正在關注快速處理急劇增加的數據又能夠提高耗能效率的存儲器半導體。 SK海力士認為，將在CES上展示的產品具備了滿足客戶所需求的高效能功耗比*和性能。

* 效能功耗比：每一定單位功率每秒可處理的數據容量指標

此次公司展示的核心產品是超高性能企業級SSD產品 PS1010 E3.S（以下簡稱PS1010）。PS1010是由多個SK海力士的176層4D NAND結合而成的模組產品,支持PCIe第五代(Gen 5)*標準。

* PCIe（Peripheral Component Interconnect Express）:電子產品主板上串行結構的高速輸入/輸出接口。其特點是隨著每一代的上升，數據傳輸率提高約一倍。

SK海力士技術團隊解釋說："服務器用存儲器市場在低迷的情況下也在持續增長，在這種情況下，公司展示了匯聚最高競爭力技術的新產品。" 實際上，PS1010與上一代相比，讀寫速度分別最高提升了130%和49%。另外，該產品具備改善75%以上的功耗比，有望降低客戶的服務器運營費用和碳排放量。

尹載然SK海力士副社長（NAND商品企劃負責人）表示："在世界最大規模的展會中推出能夠解決服務器客戶痛點的SSD產品，感到非常自豪。期待以搭載自主開發的控制器與固件的產品為基礎，公司的NAND事業競爭力進一步加強。"

與此同時，展會上SK海力士將展示適用于高性能計算（HPC，High Performance Computing）的新一代存儲器產品，現有最高性能的DRAM"HBM3*"、采用存儲器上添加運算功能的PIM*技術的"GDDR6-AiM"、靈活擴張存儲器容量和性能的"CXL*存儲器"等。

* HBM（High Bandwidth Memory）：垂直連接多個DRAM，比現有DRAM顯著提升數據處理速度的高附加值、高性能的產品

* PIM（Processing-In-Memory）：在存儲器半導體上添加運算功能，可以解決人工智能(AI)和大數據處理領域的數據傳輸停滯問題的新一代技術

* CXL（Compute Express Link）：為有效構建高性能計算系統，基于PCIe的新一代互聯協議（Interconnect Protocol）

另外，SK海力士的CES展位還將同時展示SK集團旗下能源效率化子公司SK enmove的液浸冷卻(Immersion Cooling)*技術。此技術可以降低半導體服務器啟動溫度，SK海力士計劃今后擴大與集團成員公司以及外部合作伙伴的合作，致力于在整個半導體事業中創造新的附加價值。

* 液浸冷卻（Immersion Cooling）: 將數據服務器直接浸入冷卻油中冷卻的新一代熱管理技術，與現有的空冷式相比，冷卻電力大幅減少，整體電力消耗量可減少約30%

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韓國首爾2022年12月8日 /美通社/ -- SK海力士(或‘公司'，www.skhynix.com)今日宣布成功開發出DDR5多路合并陣列雙列直插內存模組(MCR DIMM, Multiplexer Combined Ranks Dual-Inline Memory Module)*樣品，這是目前業界最快的服務器DRAM產品。該產品的最低數據傳輸速率也高達8Gbps，較之目前DDR5產品4.8Gbps提高了80%以上。

* DDR(Double Data Rate)是一種DRAM標準，主要應用于服務器和客戶端，目前已經發展至第五代。MCR DIMM是一種模塊產品，將多個DRAM組合在一塊主板上，能夠同時運行兩個內存列。

*內存列(RANK) ：從DRAM模塊向CPU傳輸數據的基本單位。一個內存列通常可向CPU傳送64字節(Byte)的數據。

該MCR DIMM產品采用了全新的方法來以提高DDR5的傳輸速度。雖然普遍認為DDR5的運行速度取決于單個DRAM芯片的速度，但SK海力士工程師在開發該產品時另辟蹊徑，提高了模塊的速度而非單個DRAM芯片的速度。

SK海力士技術團隊在設計產品時，以英特爾MCR技術為基礎，利用安裝在MCR DIMM上的數據緩沖器(data buffer)*同時運行兩個內存列。

*緩沖器(Buffer) ：安裝在內存模塊上的組件，用于優化DRAM與CPU之間的信號傳輸性能。主要安裝在對性能和可靠性要求較高的服務器模塊中

傳統DRAM模塊每次只能向CPU傳輸64個字節的數據，而在MCR DIMM模塊中，兩個內存列同時運行可向CPU傳輸128個字節的數據。每次傳輸到CPU的數據量的增加使得數據傳輸速度提高到8Gbps以上，是單個DRAM的兩倍。

該產品的成功開發得益于與英特爾、瑞薩電子的合作。三家公司在從開發到速度和性能驗證的各個階段都進行了緊密的合作。

SK海力士DRAM產品策劃擔當副社長柳城洙認為這款產品的成功開發取決于不同技術的結合。柳城洙表示："SK海力士的DRAM模塊設計能力與英特爾卓越的Xeon處理器、瑞薩電子的緩沖器技術融為一體。為確保MCR DIMM的穩定運行，模塊內外數據緩沖器和處理器能夠順暢交互至關重要。"

數據緩沖器負責從中間的模塊傳輸多個信號，服務器CPU則負責接受和處理來自緩沖器的信號。

柳副社長還表示："開發出業界速度最快的MCR DIMM充分彰顯了SK海力士DDR5技術的又一長足進步。我們將繼續尋求突破技術壁壘，鞏固在服務器DRAM市場的領導地位。"

英特爾內存和IO技術副總裁Dimitrios Ziakas博士表示，英特爾與SK海力士在內存創新、針對服務器的高性能、可擴展的DDR5領域處于領先地位，在同一梯隊的還有其他一些主要的行業合作伙伴。

"此次采用的技術源于英特爾和關鍵業界合作伙伴多年的共同研究，極大提高了英特爾Xeon處理器可提供的帶寬。我們期待該技術能夠應用到未來的英特爾Xeon處理器上，支持業界的標準化和多世代開發。"

瑞薩電子副總裁兼Memory Interface部門長Sameer Kuppahalli表示，該數據緩沖器從構思到實現產品化歷經三年，"對于能夠攜手SK海力士和英特爾將該技術轉化為優秀的產品，我們深感自豪。"

SK海力士預計，在高性能計算對于內存帶寬提升需求的驅動下， MCR DIMM的市場將會逐步打開，公司計劃在未來量產該產品。

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首爾2022年10月26日 /美通社/ -- SK海力士（或‘公司'，www.skhynix.com）今日發布截至2022年9月30日的2022財年第三季度財務報告。公司2022財年第三季度結合并收入為10.9829萬億韓元，營業利潤為1.6556萬億韓元，凈利潤為1.1027萬億韓元。2022財年第三季度營業利潤率為15%，凈利潤率為10%。2022財年第三季度結合并收入環比減少20.5%，營業利潤環比減少60.5%。 

SK海力士分析稱，由于全球宏觀經濟環境下行，DRAM和NAND產品需求低迷，銷量和價格都下滑，第三季度的銷售額也同比減少。此外，該公司還表示，雖然提高了最新工藝10nm級第四代（1a）DRAM和176層4D NAND的銷售比重和良品率，改善了成本競爭力，但價格降幅度大于成本節約幅度，營業利潤也大幅減少。

公司還分析稱，隨著經營環境的不確定性持續，存儲器半導體產業面臨前所未有的行情惡化形勢。這是因為個人電腦和智能手機的生產商的出貨量也有所下降。

不過，該公司預測，用于數據中心服務器的存儲器需求雖然短期內會減少，但長期需求仍將穩定增長。這是因為隨著人工智能（AI）、大數據和元宇宙（Metaverse）等新行業的發展，大型數據中心企業（HyperScaler）繼續在該領域進行投資。因此，SK海力士強調，"本公司在HBM3，DDR5/LPDDR5等高帶寬DRAM產品的最尖端技術中處于領先地位，公司展現出巨大的長期成長潛力。" 

此外，公司還補充說明，"公司在今年第三季度業界首次研發了238層4D NAND，明年將擴大生產規模，確保成本競爭力，持續提高收益性。"

與此同時，SK海力士預測，供過于求的情況仍將持續一段時間。因此，公司決定將明年的投資規模從今年預計的15萬億韓元至20萬億韓元減少到50%以上的標準。     

SK海力士表示，今后將以收益性較低的產品為中心減少產量。也就是說，在一定時期內，將保持投資縮減和減產的基調，使市場的供需平衡恢復正常。                                                                                

盧鐘元SK海力士社長（事業總管）表示："公司將基于我們在過去的歷史中始終將危機轉化為機遇的能力，我們將克服這次低迷，躍升為真正的存儲器領導者。"

• 2022財年第三季度財務報表

關于SK海力士
SK海力士總部位于韓國, 是一家全球領先的半導體供應商, 為全球客戶提供DRAM(動態隨機存取存儲器), NAND Flash(NAND快閃存儲器)和CIS(CMOS圖像傳感器)等半導體產品。公司于韓國證券交易所上市, 其全球托存股份于盧森堡證券交易所上市。若想了解更多, 請點擊公司網站www.skhynix.com, news.skhynix.com.cn。

首爾2022年9月6日 /美通社/ -- SK海力士（或‘公司'，www.skhynix.com）于6日表示，公司為了奠定未來成長基礎，將在韓國忠北清州市建設新半導體生產工廠M15X(eXtension)。

公司綜合考慮市場情況等，決定在已確保的用地上提早開工M15的擴建工廠M15X。

SK海力士計劃今年10月在韓國清州科技城產業園區內約6萬平方米的用地開建M15X，并目標于2025年初竣工。

公司計劃在今后5年內共投資15萬億韓元建設M15X工廠并引進生產設備。

M15X是復式結構，其規模與現有的清州M11和M12兩座工廠的總和相近。

另外，SK海力士對于附近的M17新工廠計劃，將考慮半導體市況等經營環境決定開工時間。

樸正浩SK海力士副會長表示："回顧過去的10年，公司在危機中因有展望未來的果斷投資，之所以成長為國際企業。現在要應對未來的10年，M15X的開建將成為公司奠定未來成長基礎的第一步。"

SK海力士在經營環境劇變的情況下，通過先發制人的投資，將存儲器半導體市場的競爭力強化為全球最高水平。

在2012年，半導體產業的縮減投資趨勢下，公司不顧虧損狀態，比前一年大幅提升10%以上的投資，在當年年末成功扭虧為盈。此后，在市場不透明的情況下，SK海力士為了應對即將到來的存儲器半導體繁榮期，在2015年果斷做出建設利川M14的決定，最終從2017年開始兩年間創下了歷史最高業績。

2012年并入SK集團的SK海力士以2015年宣布的"未來展望"為中心，持續了10年的投資。其內容是從2014年開始共投資46萬億韓元，包括利川M14在內共追加建設3個工廠。公司在2018年和2021年分別竣工清州M15和利川M16，提早實現了未來展望。

最近，存儲器半導體的需求正在急劇減少。但是，由于存儲器半導體市況變動周期呈縮短趨勢，專家們預測，市況將從2024年開始逐漸恢復，并于2025年開始回升。

SK海力士應對2025年市況回升之際，提早為存儲器半導體供應的擴張，計劃了M15X的建設，公司期待M15X在即將到來的繁榮期起到重要角色。

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SK海力士總部位于韓國，是一家全球領先的半導體供應商，為全球客戶提供DRAM(動態隨機存取存儲器)，NAND Flash(NAND快閃存儲器)和CIS(CMOS圖像傳感器)等半導體產品。公司于韓國證券交易所上市，其全球托存股份于盧森堡證券交易所上市。若想了解更多，請點擊公司網站www.skhynix.com，news.skhynix.com.cn。

• 公司全球首發238層 512Gb TLC 4D NAND閃存，將于明年上半年投入量產
• 成功研發層數最高，面積最小的NAND閃存，并顯著改善生產效率、數據傳輸速度、功耗等特性
• "公司將持續創新并不斷突破技術瓶頸"

韓國首爾2022年8月3日 /美通社/ -- SK海力士（或‘公司'，www.skhynix.com）于8月3日宣布成功研發全球首款業界最高層數的238層NAND閃存。

近日，SK海力士向客戶發送了238層 512Gb TLC(Triple Level Cell)* 4D NAND閃存的樣品，并計劃在2023年上半年正式投入量產。公司表示："自2020年12月完成176層NAND閃存研發以來，時隔僅1年7個月，SK海力士全球首次成功完成了新一代技術的研發。此次238層NAND閃存在達到業界最高堆棧層數的同時實現了全球最小的面積，其意義更加非凡 。"

* NAND閃存芯片根據每個單元(Cell)可以存儲的信息量（比特,bit）可分為SLC(Single Level Cell)、MLC(Multi Level Cell)、TLC(Triple Level Cell)、QLC(Quadruple Level Cell)、PLC(Penta Level Cell)等規格。單元信息存儲容量越大，意味著單位面積可以存儲的數據越多。

當天，SK海力士在美國圣克拉拉舉行的2022閃存峰會（Flash Memory Summit 2022）*上首次亮相了238層NAND閃存新產品。在峰會主題演講中，崔正達SK海力士NAND閃存開發擔當說道："基于其4D NAND閃存技術，SK海力士全球首次成功研發了238層NAND閃存，進而確保了成本、性能、產品質量等層面的全球領先競爭力。公司將持續創新，并不斷突破技術瓶頸。"

* 閃存峰會(FMS，Flash Memory Summit)：系每年定期在美國加州圣克拉拉舉辦的全球閃存芯片領域的最高級別研討會。SK海力士于本次峰會與其NAND閃存解決方案子公司Solidigm聯合進行了主題演講。

SK海力士在2018年研發的96層NAND閃存就超越了傳統的3D方式，并導入了4D方式。為成功研發4D架構的芯片，公司采用了電荷捕獲型技術(CTF，Charge Trap Flash)*和PUC(Peri. Under Cell)* 技術。相比3D方式，4D架構具有單元面積更小，生產效率更高的優點。

* 電荷捕獲型技術 (CTF，Charge Trap Flash)

浮柵型(FG，Floating Gate)閃存技術將電荷存儲在導體1)中，而CTF將電荷存儲在絕緣體2)中，以解決單元間的干擾問題。因此，相比FG技術，CTF可縮小芯片的單元面積，同時提高數據的讀寫性能。

* PUC (Peri Under Cell)

將外圍(Peri.)電路放置在存儲單元的下方, 以最大化生產效率。

238層NAND閃存成功堆棧更高層數的同時，實現了業界最小的面積。新產品每單位面積具備更高的密度，借其更小的面積能夠在相同大小的硅晶片生產出更多的芯片，因此相比176層NAND閃存其生產效率也提高了34%。

此外，238層NAND閃存的數據傳輸速度為2.4Gbps，相比前一代產品提高了50%，芯片讀取數據時的能源消耗也減少了21%。可以說，SK海力士通過節省芯片的電力消耗，在ESG方面也取得了可圈可點的進步。

SK海力士計劃先為cSSD（client SSD，主要應用范圍為PC用存儲設備）供應238層NAND閃存，隨后將其導入范圍逐漸延伸至智能手機和高容量的服務器SSD等。公司還將于明年發布1Tb 密度的全新238層NAND閃存產品，其密度是現有產品的兩倍。

首爾2022年7月27日 /美通社/ -- SK海力士（或‘公司’，www.skhynix.com）今日發布截至2022年6月30日的2022財年第二季度財務報告。公司2022財年第二季度結合并收入為13.811萬億韓元，營業利潤為4.193萬億韓元，凈利潤為2.877萬億韓元。2022財年第二季度營業利潤率為30%，凈利潤率為21%。

*公司2022財年第一季度結合并收入為12.156萬億韓元，營業利潤為2.860萬億韓元，凈利潤為1.983萬億韓元

公司本季度的營收創下了歷史上首次超過13萬億韓元的業績。此前，該公司的最高季度營收是去年第四季度的12.377萬億韓元。

SK海力士表示：“第二季度雖然DRAM產品價格有所下降，但NAND價格反而上漲，公司的整體銷量增加帶動了營收的增長。并且，美元持續走強以及子公司Solidigm業績的合并也成為了有利因素。”

另外，通過主力產品10nm級第四代(1a)DRAM和176層4D NAND生產良率的改善提升了收益性，公司繼去年第四季度*之后，時隔兩個季度恢復了4萬億韓元以上的營業利潤和30%以上的營業利潤率。

*公司2021財年第四季度營業利潤為4.220萬億韓

公司還表示 ：“全球性物價上漲，中國部分地區的新冠肺炎疫情管控等艱難的經營環境下，公司仍然取得了有意義的經營業績。但公司預測，由于搭載存儲器的電腦和智能手機的出貨量將低于原來的預測，并且服務器用存儲器的需求也因客戶的庫存優先出貨，預計下半年的存儲器出貨量將有所放緩。不過中長期來看，數據中心的存儲器需求將持續成長。”

對于今后的經營計劃，公司表示，“將密切關注下半年的產品庫存水平的同時，慎重考慮明年的投資計劃。”

盧鐘元SK海力士社長（首席營銷官）表示：“雖然最近全球經濟的不確定性比較高，但是仍然對于內存產業的長期成長潛力充滿信心。公司將靈活地適應經營環境的變化,集中精力加強公司的基礎事業競爭力"。

• 2022財年第二季度財務報表

 * 本報告根據K-IFRS（韓國會計準則）編制

請注意：本文涉及的財報相關內容僅代表截止2022年6月30日的初步資料。讀者不得認為這些信息在以后仍然有效。此外，這些信息可能包括前瞻性陳述，涉及各種風險和不確定性，并可能導致實際結果出現重大差異。有關這些風險和不確定性的進一步討論，讀者應參考SK海力士向韓國交易所提交的文件。本文件既不是出售也不是要求出售SK海力士證券的要約。

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首爾2022年6月9日 /美通社/ -- SK海力士（或稱“公司”，www.skhynix.com）宣布公司開始量產 HBM3 -- 擁有當前業界最佳性能的 DRAM。

* HBM (High Bandwidth Memory，高帶寬存儲器)：是由垂直堆疊在一起的 DRAM 芯片組合而成的高價值、高性能內存，其數據處理速度大幅領先于傳統 DRAM。HBM3 DRAM 是第四代 HBM 產品，此前三代分別為 HBM（第一代）、HBM2（第二代），以及 HBM2E（第三代）。

SK海力士于去年十月宣布成功開發出業界首款 HBM3 DRAM，時隔七個月即宣布開始量產，這有望進一步鞏固公司在高端 DRAM 市場的領導地位。

隨著人工智能和大數據等尖端技術的加速發展，全球主要科技企業正在探索創新方法，以快速處理增速迅猛的數據量。相較于傳統 DRAM，HBM 在數據處理速度和性能方面都具有顯著優勢，有望獲得業界廣泛關注并被越來越多地采用。

英偉達（NVIDIA）在近日完成了對 SK海力士 HBM3 樣品的性能評估。SK海力士將向英偉達系統供應 HBM3，而該系統預計將在今年第三季度開始出貨。SK海力士也將按照英偉達的計劃，在今年上半年增加 HBM3 產量。

備受期待的英偉達 H100 被認為是當前全球范圍內最大、性能最強的加速器。SK海力士的 HBM3 帶寬可達 819GB/s，有望增強加速計算的性能。這個帶寬相當于能夠在每秒傳輸 163 部全高清（Full-HD）電影（每部影片約 5GB）。

SK海力士社長（事業總管）盧鐘元表示，與英偉達的緊密合作使得SK海力士在高端 DRAM 市場穩獲一流的競爭力。“我們的目標是通過持續、開放式協同合作，成為洞悉和解決客戶需求的解決方案提供商（Solution Provider）。”

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其中“間接經濟效益 (包括納稅、就業、分紅等)”部分為9.7201萬億韓元，“環境效益”部分為-9527億韓元，“社會效益”的部分則為6499億韓元。

得益于2021年創下公司成立以來最高記錄的銷售額，SK海力士該年度間接經濟效益創造的社會價值較之2020年增長81%(+4.3465萬億韓元) ；社會效益方面，由于加大力度參與促進半導體生態系統發展及針對弱勢群體的活動，所創造的社會價值增長44%(+1985億韓元)。但受2021年全球半導體需求增長導致生產量增加的影響，溫室氣體排放總量增加，使得負面影響層面的社會價值增加了2% (-150億韓元)。

就間接經濟效益而言，公司在納稅、就業、分紅等各個領域均有增長，其中因利潤的增加，納稅額較上一年度增長160%(+2.3633萬億韓元)；就業方面，員工數量和薪資規模增長56% (+1.7245萬億韓元)。此外，通過積極回報股東，分紅增加了32%(+2586億韓元)。

但是，由于產量擴大導致資源消耗和溫室氣體排放量增加，SK海力士2021年在環境效益所創造的社會價值方面出現負增長。具體而言，資源消耗/環境污染領域的負面成本增加3%(-242億韓元)，但低功耗產品/服務的業績增長128%(+91億韓元)部分抵消了負面影響。

SK海力士負責人表示：“通過積極參與綠色溢價制度*減少對環境影響，降低溫室氣體排放、擴大廢水再利用等舉措，我們單個生產單位的溫室氣體排放量比上一年有所下降。但作為一家企業，我們還是對環境產生了負面影響，對此我們深表歉意。今后，我們將繼續為改善環境而努力。”

*綠色溢價制度：電力消費者為使用由可再生能源生產的電力，在現有電費基礎上追加購買額外溢價的收費制度。

在共同發展方面的社會效益大幅提升。SK海力士一直為合作伙伴提供技術支持與教育培訓，為促進半導體生態系統發展而努力。此外，公司通過與合作伙伴共同開發相關技術，為材料、零部件、設備的國產化做出了貢獻。因此，去年共同發展成果同比增加了56%(+1806億韓元)。

社會效益方面，公司在疫情期間主要以非線下方式持續開展活動，因此社會效益較2020年增長9%(+97億韓元)。另外，通過社會性企業支持活動，在“提高弱勢群體生活質量的成果”方面增長45%(+82億韓元)。

SK海力士可持續經營擔當副社長金潤郁表示：“SK海力士自2019年始已連續四年公布社會價值成果，與利益相關方進行坦誠、透明的溝通。在創造社會價值方面，今后公司將加強對中長期目標‘社會價值 2030'的執行力度，強化ESG發展，為人類和社會的發展做出貢獻。”

* 可登錄公司全球新聞中心（news.skhynix.com.cn）查詢 SK海力士創造社會價值的具體案例及詳細計算公式

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首爾2022年4月27日 /美通社/ -- SK海力士（或‘公司'，www.skhynix.com）今日發布截至2022年3月31日的2022財年第一季度財務報告。公司2022財年第一季度結合并收入為12.156萬億韓元，營業利潤為2.860萬億韓元，凈利潤為1.983萬億韓元。2022財年第一季度營業利潤率為24%，凈利潤率為16%。

每年的第一季度通常是半導體產業典型的淡季，但SK海力士的營收卻創下了歷史上首次超過12萬億韓元的業績。這一營收超越了半導體市況最繁榮的*2018年第一季度業績。公司得以創下如此佳績，是因為本季度存儲器產品價格的下降幅度比市場預期小，且本季營收包括了去年年末設立的子公司Solidigm的營收。據統計，以第一季度為準，2.860萬億韓元的營業利潤也是僅次于2018年的歷屆第二高的營業利潤。

* 公司2018財年第一季度結合并收入為8.720萬億韓元，營業利潤為4.367萬億韓元

SK海力士表示："今年在供應鏈受阻等不確定市場環境下，部分IT產品的消費需求也有減緩。但公司靈活應對客戶需求變化的同時，通過集中管理收益性的策略取得了良好的業績。"公司又強調："隨著最近存儲器周期變動性的減少和周期本身的縮短，存儲器產業將呈現持續增長的趨勢。"

SK海力士同時表示，在過去銷售的DRAM產品中發現了部分質量下降的現象，因此公司決定在本季度會計上反映相關費用。公司已完成相關原因分析，通過與客戶協商將進行產品更換等補償措施。公司以最合理的計算邏輯預估了補償措施伴隨的相關費用，于第一季度財報上反映了3,800億韓元的一次性銷售保障不確定負債。

雖然在第一季度產生了一次性費用，但是公司的技術開發與新一代產品生產等業務如期順利進行中，因此公司預計，隨后的季度業績將不會受到影響。SK海力士表示："公司正在提高10納米級第四代（1a）DRAM和176層4D NAND產品的生產良率從而擴大其生產比重，新一代產品的開發也在順利進行中。"

盧鐘元SK海力士社長（事業總管）表示："第一季度是季節性的淡季，然而公司仍然取得了有意義的業績。隨著最近面向服務器的存儲器產品需求日益增加，我們預計存儲器市況在下半年逐漸轉好。"盧社長又補充道："目前業界面臨著一定程度的設備供需問題，但SK海力士將持續努力提升工藝良率，以減少相關影響的同時盡力滿足客戶的相關需求。"

另外，SK海力士表示，為了加強董事會活動的獨立性和多樣性，公司修訂了《獨立董事候選人推薦委員會規定》。公司解釋："為強化獨立董事候選人的驗證程序，并從ESG經營層面擴大女性獨立董事候選人的推薦和任選，公司在相關規定上追加了相關條款。"

• 2022財年第一季度財務報表

請注意：本文涉及的財報相關內容僅代表截止2022年3月31日的初步資料。讀者不得認為這些信息在以后仍然有效。此外，這些信息可能包括前瞻性陳述，涉及各種風險和不確定性，并可能導致實際結果出現重大差異。有關這些風險和不確定性的進一步討論，讀者應參考SK海力士向韓國交易所提交的文件。本文件既不是出售也不是要求出售SK海力士證券的要約。

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• SK海力士和Solidigm首次公開了結合SK海力士128層NAND閃存與Solidigm的SSD控制器和固件的合作產品。
• SK海力士和Solidigm將繼續優化兩家公司的運營，以創造協同效應和合作伙伴關系。

加州圣何塞和南韓首爾2022年4月5日 /美通社/ -- SK海力士和Solidigm（或“公司”， www.skhynix.com）今日首次公開了兩家公司共同開發的新企業級SSD（eSSD）產品-P5530。Solidigm是SK海力士在去年年底完成收購英特爾NAND閃存及SSD業務案的第一階段后，在美國設立的SSD子公司。SK海力士收購英特爾NAND閃存及SSD業務后，時隔3個月公開了結合兩家公司技術力量的新產品。

P5530是將SK海力士的128層4D NAND閃存和Solidigm的SSD控制器*和固件相結合的產品，該產品支持PCIe* Gen4接口（interface），將提供1TB，2TB和4TB容量選項。SK海力士和Solidigm針對特定數據中心使用案例和配置進行了包括產品性能優化在內的合作。

自Solidigm成立以來，兩家公司展開了包括產品共同開發在內的全面合作，在擬定未來事業戰略的同時強化囊括兩家公司的共同價值觀。SK海力士期待通過與Solidigm的合作，將其NAND閃存事業的競爭力提高至與DRAM事業同等的水平。

盧鐘元SK海力士社長（事業總管）表示：“通過及時公布結合SK海力士和Solidigm競爭力的合作產品，我們計劃在未來不斷強化NAND閃存事業的競爭力。SK海力士和Solidigm將繼續優化兩家公司的合作關系，進而創造更大的協同效應。"

Rob Crooke Solidigm CEO表示："我們很高興在Solidigm成立初期就與SK海力士形成強力的合作關系。我們齊心協力優化產品，為客戶提供無可比擬的解決方案。以此次P5530產品為開端，我們將持續主導NAND產業并創造固態存儲領域的全新范例。"

* 控制器（controller）：支持計算機系統主板和操作系統將NAND閃存作為存儲設備識別和利用的芯片

* PCIe（Peripheral Component Interconnect Express）: 用于數字設備主板的高速輸入/輸出接口；這種接口是一種連接存儲設備的技術，可以支持每秒超過8GB的數據傳輸

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韓國首爾2022年2月16日 /美通社/ -- SK海力士（或‘公司’）今日宣布，公司已開發出具備計算功能的下一代內存半導體技術“PIM（processing-in-memory，內存中處理）”¹⁾。

到目前為止，存儲半導體負責保存數據，而非存儲半導體（如CPU或GPU）負責處理數據是人們普遍的認知。盡管如此，SK海力士依然在新一代智能存儲器領域積極摸索創新，進而首次公開公司在相關領域的研發成果。

SK海力士計劃在2月底于美國舊金山舉行的半導體領域最負盛名的國際學術大會 -- 2022年ISSCC（International Solid-State Circuits Conference，國際固態電路會議）²⁾大會上發布PIM芯片技術的開發成果。隨著PIM技術的不斷發展，SK海力士期待存儲半導體在智能手機等ICT產品發揮更為核心的作用，甚至在未來成功實現“存儲器中心計算（Memory Centric Computing）”。

SK海力士還開發出了公司首款基于PIM技術的產品 - GDDR6-AiM（Accelerator-in-Memory，內存加速器^3））的樣本。GDDR6-AiM是將計算功能添加到數據傳輸速度為16Gbps的GDDR6內存的產品。與傳統DRAM相比，將GDDR6-AiM 與 CPU、GPU 相結合的系統可在特定計算環境中將演算速度提高至最高16倍。GDDR6-AiM有望在機器學習、高性能計算、大數據計算和存儲等領域有廣泛應用。

GDDR6-AiM的工作電壓為1.25V，低于GDDR6⁴⁾內存的標準工作電壓（1.35V）。不僅如此，PIM的應用還減少了與CPU、GPU的數據傳輸往來，從而降低了CPU及GPU的能源消耗，借此GDDR6-AiM成功使功耗降低80%。SK海力士相信，借助該產品的低能耗特性，公司得以減少設備的碳排放并改善公司的ESG經營成果。

此外，SK 海力士還計劃與最近剛從SK電訊拆分出來的人工智能半導體公司SAPEON Inc.攜手合作，推出將GDDR6-AiM和人工智能半導體相結合的技術。SAPEON Inc. CEO 柳秀晶表示：“近年來，隨著人工神經網絡數據的使用量迅速增加，針對相關計算特性進行優化的演算技術的需求也在日益增加的趨勢。我們將結合兩家公司的技術，在數據計算、成本和能耗方面最大限度地提高效率。”

SK海力士解決方案開發擔當副社長安炫表示：“基于具備獨立計算功能的PIM技術，SK海力士將通過GDDR6-AiM構建全新的存儲器解決方案生態系統。公司將為不斷調整業務模式并倡導技術創新的新方向而努力。”

1) PIM（processing-in-memory，內存中處理）：為內存半導體結合計算功能的下一代技術，系針對人工智能和大數據處理過程中數據傳輸瓶頸問題的解決方案。

2) ISSCC：指國際固態電路會議。該會議將于2022 年2月20日至24日線上舉行，主題為“面向可持續世界的智能硅片（Intelligent Silicon for a Sustainable World）”

3) 加速器（Accelerator）：指由針對特定信息處理及演算需求專門設計的芯片組成的特殊功能硬件設備。

4) 圖形DDR（GDDR）：由電子器件工程聯合委員會（JEDEC）定義的圖形DRAM的標準規格。圖形DRAM的標準規格依GDDR3-GDDR5-GDDR5X-GDDR6迭代演變，是專門用于更快速地處理圖形的內存規范。最近，圖形DDR作為人工智能和大數據應用領域最為廣泛采納的內存解決方案而備受關注。

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韓國首爾2021年12月30日 /美通社/ -- SK海力士(或“公司”，www.skhynix.com)今日宣布，已于12月30日圓滿完成了收購英特爾NAND閃存及SSD業務案的第一階段。繼12月22日獲得中國國家市場監督管理總局的批準后，SK海力士今日完成了第一階段的后續流程，包括從英特爾接管SSD業務及其位于中國大連NAND閃存制造廠的資產。作為對價，SK海力士將向英特爾支付70億美元。

此后，預計在2025年3月或之后的第二階段交割時，SK海力士將支付20億美元余款從英特爾收購其余相關有形/無形資產，包括NAND閃存晶圓的生產及設計相關的知識產權、研發人員以及大連工廠的員工。屆時，收購交易將最終完成。

新設立的美國子公司將運營此次收購的英特爾SSD業務。該新公司的名稱定為“Solidigm”(www.solidigmtechnology.com)。作為solid-state與paradigm的合成詞，這個名稱寓意Solidigm致力于創造一種新的固態范式提供無與倫比的客戶服務，為存儲行業帶來革新。

Solidigm的總部將設在加利福尼亞州圣何塞，負責此次收購的英特爾SSD業務的產品開發 、制造和銷售。SK海力士社長兼co-CEO李錫熙將兼任該公司的Executive Chairman，領導第一階段交割結束后的整合過程。與此同時，英特爾前高級副總裁Rob Crooke將被任命為該公司的CEO。

SK海力士、Solidigm和英特爾將密切合作，直至交易最終完成。

SK海力士認為，通過合并業務組合的協同效應，SK海力士將有機會將其NAND閃存業務競爭力大幅提升至比肩DRAM業務的全球領先水平。SK海力士在移動終端NAND閃存方面表現出色，而Solidigm則在企業級SSD（eSSD）方面更有優勢。SK海力士將充分利用合并業務組合的協同效應。

SK海力士副會長兼co-CEO樸正浩表示，“我衷心歡迎Solidigm團隊成員加入我們的大家庭。此次收購將為SK海力士的NAND閃存業務躍升至全球領先水平(Global Top Tier)帶來突破性機遇。同時，SK海力士也將通過此次交易進一步向成為全球一流技術企業的目標邁進。”

Crooke表示，“Solidigm將是全球半導體行業冉冉升起的一顆新星，為重塑數據存儲器和存儲行業帶來前所未有的新機遇。我們將堅定不移地引領數據產業向真正有利于人類發展的方向發展。”

關于SK海力士
SK海力士總部位于韓國, 是一家全球領先的半導體供應商, 為全球客戶提供DRAM(動態隨機存取存儲器), NAND Flash(NAND快閃存儲器)和CIS(CMOS圖像傳感器)等半導體產品。公司于韓國證券交易所上市, 其全球托存股份于盧森堡證券交易所上市。若想了解更多, 請點擊公司網站www.skhynix.com, news.skhynix.com.cn。

ISO 26262認證是國際標準化組織（ISO）于2011年制定的關于汽車功能安全系統的國際標準，旨在預防因汽車電氣和電子系統故障引發的事故。此次授予SK海力士的這項認證是依據ISO 26262:2018最新版本的標準，其中新增了對汽車半導體的附加要求。在汽車行業，安全、質量和可靠性至關重要。因此，汽車零部件生產商必須滿足ISO 26262標準。

SK海力士說明，獲取這項認證為SK海力士引領車用存儲半導體市場的發展奠定了堅實的基礎，并強化了公司的產品競爭力。公司達到了業內汽車安全完整性等級（ASIL）最高評級，即ASIL-D認證，這是四個認證等級（A~D）中最高的等級，進一步證實了SK海力士的產品安全水平達到了業內最高水準。

本次通過FSM認證的SK海力士產品是8Gb LPDDR5 DRAM。LPDDR5是一款高容量、高性能、低功耗的內存組件，對于高級駕駛輔助系統（ADAS）和自動駕駛汽車技術至關重要。SK海力士將繼續鞏固自身在汽車半導體市場的地位，為車用半導體產品群陸續追加通用閃存存儲（UFS）和HBM2E、HBM3等高帶寬內存等。

SK海力士汽車業務擔當副社長沈大用表示：“這項認證證明了SK海力士的汽車半導體產品擁有世界領先的功能安全技術，得益于此，我們計劃擴大與汽車行業客戶的戰略合作伙伴關系。”SK海力士品質系統擔當副社長宋埈豪補充道：“為確保不斷發展的汽車內存市場主導權，SK海力士將繼續提升我們產品的安全性、質量和可靠性。”

根據市調機構Strategy Analytics的數據，到2028年，整個ADAS內存市場規模預計將增長近三倍，年均增長率（CAGR）將達到24.5%（以銷售額為準）。

HBM3是第四代HBM(High Bandwidth Memory)技術*，由多個垂直連接的DRAM芯片組合而成，是一種高價值產品，創新性地提高了數據處理速度。

SK海力士去年7月在業界首次開始批量生產HBM2E* DRAM后，時隔僅1年零3個月開發了HBM3，鞏固了該市場的主導權。

SK海力士強調，“通過此次HBM3，不僅實現了目前為止的HBM DRAM中最高的速度和最大容量，還大幅提高了質量水平。”

SK海力士研發的HBM3能夠每秒處理819GB的數據。這速度相當于能夠在一秒內傳輸 163部全高清(Full-HD)電影(每部5GB)。與上一代HBM2E相比，速度提高了約78%。

與此同時，該產品還內置了ECC校檢(On Die-Error Correction Code)。HBM3通過該內置型ECC校檢可以自身修復DRAM單元(cell)的數據的錯誤，因此產品的可靠性也大幅提高。

此次HBM3將以16GB和24GB兩種容量上市。特別是24GB是業界最大的容量。為了實現24GB，SK海力士技術團隊將單品DRAM芯片的高度磨削到約30微米(μm, 10^-6m)，相當于A4紙厚度的1/3，然后使用TSV技術垂直連接12個芯片。

HBM3將搭載高性能數據中心，有望適用于提高人工智能(AI)完成度的機器學習(Machine Learning)和分析氣候變化，新藥開發等的超級計算機。

負責SK海力士DRAM開發的車宣龍副社長表示，“該公司推出了全球首款HBM DRAM，引領了HBM2E市場，并在業界內首次成功開發了HBM3。公司將鞏固在高端存儲器市場的領導力，同時提供符合ESG經營的產品，盡最大努力提高客戶價值。”

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SK海力士總部位于韓國, 是一家全球領先的半導體供應商, 為全球客戶提供DRAM(動態隨機存取存儲器), NAND Flash(NAND快閃存儲器)和CIS(CMOS圖像傳感器)等半導體產品。公司于韓國證券交易所上市，其全球托存股份于盧森堡證券交易所上市。若想了解更多, 請點擊公司網站www.skhynix.com, news.skhynix.com.cn。