以色列特拉維夫2016年6月6日電 /美通社/ -- VisIC Technologies欣然宣布推出新一代高級低損耗開關V22S65A（配有內部碳化硅二極管）和V22N65A（不配有內部碳化硅二極管）。
全開關產品
測試參數-持續電流模式- 開關頻率200khz- 死區時間100ns- 輸入電壓 =401.219Vdc 輸出電壓=229.626V 輸入功率=2502W 上升時間=11.5ns 效率=99.3% 輸入電流=6.2362A 輸出電流=10.822A 輸出功率=2485W 下降時間=18.5ns
（圖片：http://photos.prnewswire.com/prnh/20160603/375139 ）
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這一新版VisIC高級低損耗開關產品系列可以顯著減少米勒效應(MILLER effect)，支持輕松提供將被用于基于VisIC的設計的標準驅動電路。這些新設備還能幫助降低關于特殊應用所用材料的費用。
V22系列產品在拓撲方面非常有效，能夠被用于零電壓開關(Zero Voltage Switching)或零電流開關(Zero Current Switching)拓撲領域。在650伏氮化鎵/碳化硅MOSFET晶體管中，該系列擁有較低的導通電阻(Rdson)，而且可以憑借超過100V/nS的壓擺率，實現效率超高的功率變換。
此外，由于閾值電壓超過了5伏，新款設備在惡劣的EMI（電磁干擾）環境中也能很好地工作。
VisIC Technologies已經憑借其半橋(Half Bridge)演示電路板的強大性能，展示了其所創造的全球紀錄 -- 在輸出功率達2.5KW的硬切換拓撲中，頻率達200 kHz時，較高效率超過99.3%。
