北京2018年4月24日電 /美通社/ -- 近年來，碳化硅等寬禁帶半導體已成為全球高技術領域競爭的戰略制高點之一，是國際半導體及材料領域研究和發展的熱點。寬禁帶半導體照明已經形成巨大規模的產業，并在電子功率器件領域繼續深入發展。國際上已有 ICSCRM（International Conference on Silicon Carbide and Related Materials）和 ECSCRM（European Conference on Silicon Carbide and Related Materials）兩大品牌國際會議，在地域上主要體現為美國和歐洲的科技發展態勢，為了推動亞太地區碳化硅等寬禁帶半導體產業與學術的發展，加強交流與協同創新，由中關村天合寬禁帶半導體技術創新聯盟、中國科學院物理研究所和北京硅酸鹽學會發起并主辦首屆亞太碳化硅及相關材料國際會議（2018年）（Asia-Pacific Conference on Silicon Carbide and Related Materials (APCSCRM 2018)）將于2018年7月9日-12日在北京舉行，參會規模400余人。
APCSCRM 2018 會議將圍繞寬禁帶半導體材料(如 SiC, GaN, AlN, 金剛石, Ga2O3 等)生長技術、材料結構與物性、光電子和功率器件研發與應用以及相關設備研發等領域開展廣泛交流，促進產學研的相互合作和交流。深信這次會議必將對亞太地區碳化硅等寬禁帶半導體材料與器件的學術研究、技術進步和產業發展起到有力的推動作用。
APCSCRM 將是一個亞太地區高水平的碳化硅等寬禁帶半導體相關材料、器件與應用的產業與學術并重的高水平論壇。從2018年開始，每年召開一次大會，地點在亞太地區不同地點輪換。關于本次國際會議的詳細情況參見官網：http://www.apcscrm2018.iawbs.com/。
