加利福尼亞州山景城2021年7月7日 /美通社/ --
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新思科技（Synopsys, Inc.， 納斯達克股票代碼：SNPS）近日宣布，其Fusion Design Platform?已支持三星晶圓廠實現一款先進高性能多子系統片上系統（SoC）一次性成功流片，驗證了下一代3納米（nm）環繞式柵極（GAA）工藝技術在功耗、性能和面積（PPA）方面的優勢。此次流片成功是新思科技和三星之間廣泛合作的成果，旨在加快提供高度優化的參考方法學，實現全新3D晶體管架構所固有的卓越功耗和性能。
新思科技提供的參考流程全面部署了其高度集成的Fusion Design Platform，包括業界唯一高度集成的、基于金牌簽核引擎的RTL到GDSII設計流程，以及最受業界信賴的金牌簽核產品。采用三星最新3nm GAA工藝的客戶，可在高性能計算（HPC）、5G、移動應用和人工智能 (AI) 應用領域, 為下一代設計實現理想PPA目標。
三星晶圓設計技術團隊副總裁Sangyun Kim表示：“三星晶圓是推動下一階段行業創新的核心，我們基于工藝技術的持續演進，來滿足專業和廣泛市場應用日益增長的需求。我們全新的先進3納米GAA工藝得益于我們與新思科技的廣泛合作，Fusion Design Platform讓我們加速實現3納米工藝的前景，這也充分彰顯了與行業領先者合作的重要性和優勢。"
根據摩爾定律，晶體管尺寸要進一步縮小，而GAA架構為更高的晶體管密度提供了經過流片驗證的途徑。GAA架構改進了靜電特性，從而可提高了性能并降低了功耗，并帶來了基于納米片寬度這一工藝矢量的全新優化機會。這種額外的自由度與成熟的電壓閾值調諧相結合，擴大了優化解決方案的空間，從而更精細化地控制總體目標設計PPA指標的實現。新思科技和三星開展密切合作，加速這一變革性技術的可用性并進一步提高效能，從而在新思科技的Fusion Compiler?和IC Compiler? II中實現了全流程、高收斂度優化。
不斷優化的新思科技Fusion Design Platform為應對來自先進節點的各種挑戰提供了完美的解決方案，這些挑戰包括復雜的庫單元擺放和布局規劃規則、新的布線規則和更加明顯的工藝變化。基于單一數據模型以及共享通用優化架構，Fusion Design Platform平臺可確保單點技術更新也能夠幫助設計的優化收斂、盡可能消除系統裕度，以實現更快的收斂周期。
新思科技數字設計事業部總經理Shankar Krishnamoorthy表示：“GAA晶體管結構是工藝技術進步的關鍵轉折點，對于延續工藝進步趨勢至關重要，為下一波超大規模創新提供保障。我們與三星晶圓的戰略合作，旨在共同提供一流的技術和解決方案，確保工藝進步趨勢的延續，為更廣泛的半導體行業帶來全新機會。"
關于3納米GAA工藝的新思科技技術文檔可通過三星晶圓獲取。新思科技Fusion Design Platform中經過驗證的關鍵產品包括：
數字設計
簽核
如需了解新思科技針對三星晶圓3納米GAA工藝技術而優化的經驗證流程的所有功能，請訪問www.synopsys.com/fusion 。
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新思科技（Synopsys, Inc.，納斯達克股票代碼：SNPS）是眾多創新型公司的Silicon to Software?（“芯片到軟件”）合作伙伴，這些公司致力于開發我們日常所依賴的電子產品和軟件應用。作為一家標普500強公司，新思科技長期以來一直是電子設計自動化（EDA）和半導體IP領域的全球領導者，并提供業界最廣泛的應用安全測試工具和服務組合。無論您是創建先進半導體的片上系統（SoC，System of Chip）設計人員，還是編寫更安全、更優質代碼的軟件開發人員，新思科技都能夠提供您的創新產品所需要的解決方案。了解更多信息，請訪問www.synopsys.com。
編輯聯系人：
Camille Xu
Synopsys，Inc.
wexu@synopsys.com
Simone Souza
Synopsys, Inc.
simone@synopsys.com
