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株式會社半導體能源研究所(SEL)山崎舜平博士刷新吉尼斯世界紀錄(TM)"作為發明人擁有的最多專利"稱號 獲20,120件專利

日本厚木2025年9月29日 /美通社/ -- 截止到2025年3月31日為止,株式會社半導體能源研究所(SEL)山崎舜平博士在半導體器件、顯示器及模擬AI等領域共獲得20,120件專利,刷新了其自身保持的吉尼斯世界紀錄(TM)"為發明人擁有的最多專利"稱號。這一成就超過了他之前的紀錄,2004年3,245件專利、2011年6,314件專利、2016年11,353件專利。

照片
https://cdn.kyodonewsprwire.jp/prwfile/release/M104105/202509195500/_prw_PI1fl_CUnR65l4.jpg

該紀錄于2025年7月9日由六位知識產權專家證明。山崎博士于2025年9月17日收到來自吉尼斯世界紀錄認證官的紀錄證書。該紀錄包括1969年至2025年3月31日期間在日本、美國、韓國、中國和德國等國家獲得的專利。大名鼎鼎的"發明王"托馬斯?愛迪生(美國,1847-1931)一生共獲得2,332件專利,山崎博士已遠遠超過了這一數字。

山崎舜平博士表示:"兩萬余件專利是近60年的研究成果。以該紀錄為動力,我們將繼續推動有助于防止全球變暖的超低功耗LSI及模擬AI等技術的發展。"

山崎舜平博士簡介
工學博士,株式會社半導體能源研究所(SEL)董事長兼首席執行官

山崎舜平博士出生于1942年。1970年,他發明了被稱為"閃存"的非易失性存儲器的基本器件(41件專利,包括日本專利第886343號(日本已審專利申請公開第50-36955號)、美國專利第3,878,549號等基本發明)。1980年,他創立了SEL,并擔任代表董事。1997年,因在MOS LSI元件技術方面的創新,被日本政府內閣府授予紫綬褒章。他發表了一種具有yA/微米(10的-24次方A/微米)量級的極低關斷電流的氧化物半導體FET*1和*2。

他是IEEE終身會士,瑞典皇家工程科學院(IVA)外籍院士,世界陶瓷科學院(WAC)院士和電化學學會(ECS)會士。他獲得了同志社大學的名譽文化博士學位。同時,他也是同志社社友,該稱號授予對同志社做出杰出貢獻的人。

消息來源:株式會社半導體能源研究所
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