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韓國首爾2026年1月28日 /美通社/ -- 韓國8英寸純晶圓代工廠SK keyfoundry近日宣布，其第四代200V高壓0.18微米BCD (Bipolar-CMOS-DMOS)工藝已正式推出，并將與國內外主要客戶啟動全面的產品開發，目標是在年內實現量產。
隨著汽車電氣化與人工智能數據中心擴張的持續加速，市場對高壓、高效率功率半導體的需求正迅速增長。特別是汽車電氣架構正從12V系統向48V系統過渡，而人工智能服務器和數據中心則將工作電壓從380V直流電提升至高達800V直流電，以實現功率效率和密度的最大化。在此背景下，具備可靠且能承受100V以上高電壓并實現高效功率控制能力的工藝技術的重要性愈發凸顯。
SK keyfoundry新推出的第四代200V高壓0.18微米BCD工藝，與上一代工藝相比，Rsp（比導通電阻）和BVDSS（擊穿電壓）均提升了20%以上，體現了功率效率的提升和高溫下的穩定性增強。此外，該工藝針對每個工作電壓優化了低導通電阻器件，最大限度地減少了芯片面積和功率損耗，從而提升了整體工藝競爭力。值得注意的是，該工藝提供了多層厚金屬間 電介質(Thick IMD)選項，可在采用BCD和高壓MOSFET技術的高壓、大電流電源管理集成電路(PMIC)器件之間，安全傳輸數字信號，同時阻斷不必要的高壓和噪聲。它還支持廣泛的嵌入式存儲選項，包括SRAM、ROM、MTP和OTP，以及用于精密電機控制的霍爾傳感器，進一步拓展了高壓IC的設計靈活性。
SK keyfoundry的新工藝可應用于開發多種產品，包括高壓電源管理和轉換IC、電機驅動器、發光二極管(LED)驅動器和電源柵極驅動器。最重要的是，該工藝符合嚴格的汽車可靠性認證標準AEC-Q100 Grade 0，使其能夠直接應用于即使在極端工作條件下也需要高可靠性的汽車電子元件。
SK keyfoundry首席執行官Derek D. Lee表示："隨著AI服務器和汽車電子系統對功率的需求不斷增加，市場對超過100V的BCD工藝的需求也在迅速增長。特別是考慮到能夠提供基于體硅的高壓BCD工藝的晶圓代工廠數量有限，我們200V高壓0.18微米BCD工藝的量產是一個具有重要意義的里程碑。我們計劃根據功率半導體市場不斷變化的客戶需求，持續推進我們的工藝技術發展。"
