PM1763、BM1773與zNAND-O協同應對下一代AI的性能、容量與成本挑戰
北京2026年9月3日 /美通社/ -- 9月2日至4日，2026開放數據中心大會暨首屆算博會（ODX 2026）在京舉行，三星半導體亮相大會，集中展示了面向下一代AI基礎設施的創新存儲解決方案。大會期間，三星電子副總裁兼NAND閃存規劃與賦能事業部負責人玄在雄（Jay Hyun）發表題為"突破內存墻：重構面向智能體AI的數據通路"的主旨演講。
大會期間，三星半導體斬獲多項榮譽：專為下一代AI系統擴展而設計的PM1763榮膺"年度突破項目"，上海三星半導體有限公司獲評"年度先鋒企業"，三星電子副總裁兼中國區Memory事業部首席技術官尹松虎獲評"年度領軍人物"。大會期間的獲獎結果與行業反饋，驗證了三星半導體在AI存儲架構演進方向上的技術判斷與產品布局。
玄在雄在演講中指出，人工智能正從生成式AI向智能體AI（Agentic AI）演進。智能體AI能夠通過規劃、執行與反思不斷迭代，并協調多個智能體并行完成復雜任務。這一過程會產生海量Token，對計算、內存和存儲基礎設施提出更高要求。
三星電子副總裁兼NAND閃存規劃與賦能事業部負責人玄在雄（Jay Hyun）在ODX 2026發表主旨演講，分享面向智能體AI的數據通路與存儲架構創新
"這一演進正在從根本上改變AI基礎設施的形態，而內存與存儲將成為推動這一轉型的關鍵。"玄在雄表示。隨著智能體AI規模不斷擴大，KV Cache也在快速增長。其加載速度會直接影響GPU利用率，而生命周期短、容量需求大的特點，使其需要具備高讀取帶寬、低延遲、高容量和適當耐久性的專用存儲層。三星正在為下一代硬件架構做好準備，以支持并加速這些創新。
面向高性能AI系統，三星以PCIe Gen6企業級SSD PM1763作為性能旗艦。該產品集成三星第九代TLC V-NAND、4納米控制器和PCIe 6.0 x4接口。其順序讀寫速度最高分別達到28,400MB/s和21,000MB/s，隨機讀寫性能最高分別達到680萬和95萬IOPS；容量覆蓋4TB至64TB。
面對大規模工作負載的容量需求，三星推出了高容量QLC SSD BM1773。該產品采用第九代QLC V-NAND和5納米控制器，容量覆蓋16TB至256TB，并在面積效率、性能和可靠性方面實現提升。PM1763與BM1773分別從性能和容量兩個維度支持下一代AI基礎設施。
三星半導體在ODX 2026展示PM1763、BM1773和zNAND-O，分別面向AI基礎設施的高性能、高容量以及容量、帶寬與成本效率需求
針對端側AI模型擴張帶來的DRAM成本壓力，三星提出了zNAND-O 3D存儲解決方案。該技術的比特密度可達DRAM的10倍，讀取帶寬和讀取能效可達傳統NAND閃存的7倍，為端側AI的存儲成本優化提供了新思路。
基于3D架構創新，zNAND-O核心芯片層采用SLC，并結合第十代BV-NAND與TSV技術，可與NPU集成封裝，通過UCIe標準接口互連，同時支持縱向與橫向擴展。在三星提出的新架構中，操作系統、應用、KV Cache和激活數據保留在DRAM中，大容量、讀取密集型模型權重則存儲于zNAND-O，從而降低對大容量DRAM的依賴。
三星模擬結果顯示，與傳統UMA DRAM系統相比，zNAND-O架構可在實現相同性能的情況下顯著降低內存成本，并可存儲接近兩倍大小的模型。
過去十年，三星持續發布產品規范和白皮書，以技術成果支持中國數據中心產業發展，并在西安投資建設了約120萬平方米的NAND存儲產業集群。
三星半導體在ODX 2026榮獲多項榮譽
"三星已準備好參與各類有助于推動中國AI發展的技術合作。"玄在雄在演講最后表示。三星半導體將繼續攜手客戶、合作伙伴與產業社區，推動內存、存儲和計算架構協同創新，共同突破智能體AI時代的數據瓶頸，釋放下一代AI基礎設施的更大潛能。
注：產品性能數據基于三星內部評估，實際性能可能因系統配置和使用環境而異。
