SK keyfoundry宣布推出具備業界領先高擊穿電壓特性的多層厚金屬間電介質 (Thick IMD)電容工藝。該工藝支持堆疊最多三層IMD，每層最大厚度達6微米，從而在金屬-絕緣體-金屬(MIM)結構中，總厚度最高可達到18微米。該工藝可提供高達19,000V的擊穿電壓特性及優異電容性能，預計將用于制造數字隔離用電容器，以及電子電路中抑制電容耦合的電容器。采用此工藝制造的電容已成功通過主要客戶的經時介電層擊穿(TDDB)評估，并符合AEC-Q100國際汽車半導體質量標準。（美通社）
