TI發布業內首款80V半橋GaN FET模塊

北京2015年3月20日電 /美通社/ -- 近日，德州儀器推出了業內首款80V、10A 集成氮化鎵 (GaN) 場效應晶體管 (FET) 功率級原型機。此次原型機由位于四方扁平無引線 (QFN) 封裝內的一個高頻驅動器和兩個采用半橋配置的GaN FET組成，使之非常易于設計。如需了解更多信息，敬請訪問 http://www.ti.com.cn/lmg5200-pr-cn。

全新的 LMG5200 GaN FET功率級原型機將有助于加快下一代 GaN 電源轉換解決方案的市場化，此方案為空間有限且高頻的工業應用和電信應用提供更高的功率密度和效率。

TI高壓電源解決方案業務部副總裁 Steve Lambouses 表示：“過去基于 GaN 的電源設計面對的一大挑戰是與驅動 GaN FET 有關的不確定性，以及由封裝方式和設計布局布線所導致的寄生效應。我們將采用先進、易于設計封裝的經優化集成模塊、驅動器和高頻控制器，組成的完整、可靠電源轉換生態系統，從而使設計人員可以充分實現 GaN 技術在電源應用方面的全部潛能。”

實現GaN的優勢

通常情況下，使用 GaN FET 在高頻下進行開關的設計人員必須謹慎對待電路板布局布線，以避免振鈴和電磁干擾 (EMI)。TI 的 LMG5200雙80V 功率級原型機極大地簡化了這個問題，同時又通過減少關鍵柵極驅動回路中的封裝寄生電感增加了功率級效率。LMG5200的特色就在于運用了高級多芯片封裝技術，在優化后還能夠支持頻率高達5MHz 的電源轉換拓撲結構。

易于使用的6mmx8mm QFN 封裝無需底部填充，從而大大簡化了生產制造過程。封裝尺寸的減少進一步提升了GaN 技術的應用價值，并且有助于擴充 GaN 電源設計的用途，包括從高頻無線充電應用到48V電信和工業設計的許多全新應用。如需了解與TI完整 GaN 解決方案相關的更多信息，敬請訪問http://www.ti.com.cn/lsds/ti_zh/power-management/gate-driver-products.page。

LMG5200的關鍵特性和優勢：

• 較高功率密度。相對基于硅工藝的設計，首款集成80V 半橋 GaN 功率級將功率損耗減少了25%，從而實現了單級轉換。
• 增加可靠性的綜合GaN專用質量保證計劃。如需了解更多內容，敬請單擊此處。
• 關鍵柵極驅動回路中的較低封裝寄生電感增加了功率級效率，并在減少 EMI 的同時提高 dV/dt 抗擾度。
• 簡化的布局布線和可制造性。易于使用的 QFN 封裝免除了對于底部填充的需要，以解決高壓間隔方面的顧慮，從而提高了電路板的可制造性并降低了成本。

工具和軟件

除了訂購已上市的 LMG5200評估模塊 (EVM)，設計人員使用針對LMG5200的 PSpice 和 TINA-TI 模塊來仿真這項技術的性能和開關頻率優勢，以便更快地開始設計工作。

供貨情況

目前可在 TIStore 中購買 GaN 功率級的原型機樣片。

其他資源：

• 查看TI GaN解決方案的綜合產品組合。
• 下載以下白皮書：
  • GaN 模塊性能優勢與硅工藝的對比。
  • 限定 GaN 產品可靠性的綜合方法。
  • 用GaN的發展前景推進電源解決方案不斷進步。
• 加入德州儀器在線支持社區，尋找解決方案，獲得幫助，并與同行工程師和TI專家分享知識和解決難題。