TI推出適用于IGBT和SiC MOSFET且集成傳感功能的隔離式柵極驅動器

北京2019年3月18日 /美通社/ -- 德州儀器(TI)（納斯達克代碼：TXN）近日推出多款新型隔離式柵極驅動器。它們不僅能夠提供出色的監控能力，還可為高壓系統構筑堅強的保護屏障。UCC21710-Q1、UCC21732-Q1和UCC21750可幫助設計師開發更小巧、更高效和具有更卓越性能的牽引逆變器、車載充電器、太陽能逆變器和電機驅動設計。如需了解更多信息，請訪問UCC21710-Q1、UCC21732-Q1和UCC21750。

這些提供集成傳感功能的設備系TI首創，適用于絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)和碳化硅(SiC)金屬氧化物半導體場效應晶體管(MOSFET)，極大簡化了設計，且實現了更高的應用系統可靠性，應用的工作電壓最高可達1.5KV_RMS。憑借集成式組件，它們能夠進行快速檢測，針對過流事件提供有效保護，并且確保系統安全關機。

UCC21710-Q1、UCC21732-Q1和UCC21750利用電容隔離技術，構建了較長的隔離勢壘使用壽命，同時提供高增強隔離電壓、快速數據傳輸和高密度封裝。

“系統穩健性日益成為高壓電機驅動和功率輸出應用的一大挑戰”，TI高壓電源部門副總裁Steve Lambouses說道，“這些新式柵極驅動器采用了TI的先進隔離技術，并結合了其它功能和支持，使工程師得以更快速進入到可靠系統的生產階段，并可將系統體積和成本降至更低。”

UCC21710-Q1、UCC21732-Q1和UCC21750產品的關鍵功能與優勢

• 增強系統性能：新穎隔離式柵極驅動器的高峰驅動強度為+/-10 A，這使得開關行為具有較大限值，不僅削減了成本，而且200 ns的過流保護可快速啟動系統保護。
• 加強系統級可靠性：UCC217xx系列通過電容隔離技術和業界領先的增強隔離電壓及高達12.8 kV的電涌抗擾性，延長了隔離勢壘的使用壽命。此外，這些設備借助超過150 V/ns的共模瞬變抑制能力(CMTI)，確保了準確的數據通信。
• 減小系統尺寸：這些柵極驅動器通過集成緩沖區和傳感器免除了使用外部組件的需要，更可借助隔離式模擬信號到PWM（脈寬調制）信號傳感器提供準確的溫度、電流或電壓傳感，進而大幅簡化系統級診斷和防止開關故障的設計。

先進的電源級系統性能與可靠性

此外，TI還宣布面向需要提高抗干擾度和擴大工作溫度范圍的工業應用設計師，推出UCC23513，這是一款兼容光電元件的柵極驅動器，驅動強度為3A，增強的安全隔離電壓為5KV_RMS。這一新式柵極驅動器旨在大限度提高電機驅動、太陽能逆變器和電源設備的系統性能與可靠性。它提供從-40攝氏度 至 +150攝氏度的寬結點溫度范圍和超過100 V/ns的CMTI，使設計師能夠實現傳統光耦合器無法達到的性能水平。借助UCC23513與光隔離柵極驅動器的引腳到引腳兼容性以及現成的設計資源，包括用于200-480 VAC驅動的基于光電仿真輸入柵極驅動器的三相逆變器參考設計等，設計師能大大縮短產品上市時間。

封裝、供貨情況

您可通過TI商店獲得UCC21710-Q1、UCC21732-Q1、UCC21750和UCC23513柵極驅動器的預生產樣品。下表列出了價格和封裝類型。

前往應用電力電子會議(APEC)的TI展臺參觀

敬請于2019年3月17日至21日期間，蒞臨在加利福尼亞州阿納海姆市舉辦的應用電力電子會議(APEC)上的511號TI展臺，探索這些電源管理設備，了解TI為工程師提供的其它創新、設計和學習方法。

了解更多有關TI UCC21710-Q1、UCC21732-Q1、UCC21750和UCC23513柵極驅動器的信息

• 閱讀白皮書“隔離式柵極驅動器的影響”及“碳化硅柵極驅動器 - 電力電子領域的顛覆性技術。”
• 下載應用指南“了解用于碳化硅MOSFET的短路保護。”
• 參考博文“替換落伍的光耦合器柵極驅動器。”
• 觀看由四個視頻組成的培訓材料“高壓隔離技術的工作原理。”