北京2021年11月12日 /美通社/ -- 宜普電源轉換公司（EPC）是增強型硅基氮化鎵（eGaN®）功率場效應晶體管和集成電路的全球行業領先供應商，其eToF?激光驅動器集成電路（EPC21601）在2021全球電子成就獎（WEAA）評選中，榮獲年度功率半導體/驅動器大獎。
全球電子成就獎旨在評選并表彰對推動全球電子產業創新做出杰出貢獻的企業和管理者，以及在業界處于領先地位的產品。由ASPENCORE全球資深產業分析師組成的評審委員會和全球網站用戶群進行綜合評定，共同評選出得獎者。ASPENCORE主辦的全球高科技領袖論壇-全球CEO峰會和全球電子成就獎頒獎典禮在2021年11月3日于深圳舉行。
宜普電源轉換公司首席執行官兼共同創辦人Alex Lidow博士說：“我謹代表EPC團隊感謝ASPENCORE團隊和所有投票者，支持eToF激光驅動器IC（EPC21601）以獲得享有盛譽的全球電子成就獎。我們的氮化鎵IC技術的最新發展針對改變飛行時間激光雷達系統的設計方式，在單個芯片上集成氮化鎵場效應晶體管（eGaN®FET）和驅動器,可實現功能強大、速度超快的集成電路，從而實現尺寸更小、成本更低的飛行時間（ToF）激光雷達系統以在消費類應用中，更普遍被采用。”
eToF?激光驅動器集成電路（EPC21601）在單個芯片上集成了40 V、10 A 場效應晶體管、柵極驅動器和3.3 V邏輯電平輸入，針對飛行時間（ToF）激光雷達系統，用于機器人、監控保安系統、無人機、全自動駕駛汽車和吸塵器。
EPC21601集成電路能夠在超過100 MHz的超高頻率和低于2 ns的超短脈沖下，調制并實現高達10 A的激光驅動電流。開啟和斷開時間分別為410 ps和320 ps。
EPC21601集成了基于EPC專有的氮化鎵IC技術的單芯片驅動器和氮化鎵場效應晶體管，采用芯片級BGA封裝，其外形尺寸僅為1.5 mm x 1.0 mm。由于外形小巧且集成了多個功能，因此與采用等效多芯片分立器件的解決方案相比，其占板面積小36％。
宜普電源轉換公司是基于增強型氮化鎵（eGaN®）的功率管理器件的領先供應商，其氮化鎵場效應晶體管及集成電路的性能比最好的硅功率MOSFET器件高出很多倍，目標應用包括直流- 直流轉換器、激光雷達（LiDAR）、用于電動運輸、機器人和無人機的電機驅動器，以及低成本衛星等應用。此外，宜普電源轉換公司繼續擴大基于eGaN IC的產品系列，為客戶提供進一步節省占板面積、節能及節省成本的解決方案。詳情請訪問我們的網站（www.epc-co.com.cn）和觀看優酷視頻。eGaN® 是Efficient Power Conversion Corporation宜普電源轉換公司的注冊商標。
